CIP 2015 : H01L 51/05 : especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación,

a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie.

CIP2015HH01H01LH01L 51/00H01L 51/05[1] › especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).

H01L 51/05 · especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Procedimiento de fabricación de transistor orgánico de baja tensión.

(24/06/2019) Procedimiento para la fabricación de un transistor orgánico sobre un sustrato plástico flexible, comprendiendo dicho transistor las etapas de: - formar, sobre un electrodo de puerta, una capa dieléctrica, utilizando una combinación de una capa de óxido metálico y una capa de polímero dieléctrico, que incluye: • formar en la parte superior de dicho electrodo de puerta, dicha capa de óxido metálico que tiene un primer espesor (T1) comprendido entre 0 nm < T1 ≤ 20 nm y que tiene una primera permitividad (ε1) relativa, • depositar mediante deposición química de vapor (CVD) dicha capa de polímero dieléctrico que tiene un segundo espesor (T2) comprendido entre 0 nm < T2 ≤ 50 nm, dicha capa de polímero dieléctrico tiene una segunda permitividad (ε2) relativa y forma una interfaz…

Dispositivos optoelectrónicos con la unión de punto cuántico-fullereno.

(06/02/2019). Solicitante/s: RESEARCH TRIANGLE INSTITUTE. Inventor/es: LEWIS,JOHN, KLEM,ETHAN.

Un dispositivo optoelectrónico que comprende: - un primer electrodo ; - una capa de bloqueo de electrón dispuesta en el primer electrodo; - una capa de punto cuántico dispuesta en la capa de bloque de electrón y comprendiendo una multitud de puntos cuánticos; - una capa de fullereno dispuesta directamente en la capa del punto cuántico, en la cual la capa del punto cuántico y la capa de fullereno forman una heterounión electrónica ; y - un segundo electrodo dispuesto en la capa de fullereno, en el cual la capa de bloqueo del electrón comprende una capa discontinua que opcionalmente es un modelo de un material de bloqueo de electrón.

PDF original: ES-2723523_T3.pdf

Dispositivo de visualización.

(25/05/2016). Solicitante/s: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Inventor/es: HUITEMA,HJALMAR E. A, KUIJK,KAREL E.

Un dispositivo de visualización que comprende un sustrato con una matriz de píxeles sobre el sustrato, electrodos de fila, electrodos de columna que cruzan los electrodos de fila, elementos de conmutación que son seleccionables por medio de los electrodos de fila para presentar datos, que han sido presentados mediante los electrodos de columna, a los píxeles, en los que partes de los electrodos de columna están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor, o partes de los electrodos de fila están dispuestos paralelos a bandas mutuamente separadas de un material conductor caracterizado porque el sustrato es flexible y porque las bandas mutuamente separadas forman derivaciones con los electrodos (6, 5 respectivamente) con respecto a los que están dispuestas paralelas.

PDF original: ES-2587906_T3.pdf

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA, PELÍCULA ORGÁNICA SEMICONDUCTORA Y DISPOSITIVO ELECTRÓNICO QUE LA CONTIENE.

(10/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: VECIANA MIRO,JAUME, ROVIRA ANGULO,CONCEPCIO, MAS TORRENT,MARTA, PFATTNER,Raphael, DEL POZO LEÓN,Freddy Geovanny.

Comprende preparar una disolución de una mezcla que comprende a) una molécula o polímero semiconductor orgánico y b) un polímero ligante a una viscosidad determinada; en un sustrato, depositar la disolución, donde el sustrato, y opcionalmente la disolución, se ha precalentado previa la deposición de la disolución sobre el sustrato; formar un menisco con el soporte de una barra; desplazar el menisco a lo largo del sustrato a una velocidad determinada para obtener una película semiconductora orgánica sólida e isotrópica, donde el disolvente se evapora simultáneamente al avance del menisco. La película obtenida es útil para preparar un dispositivo electrónico, en especial un transistor de efecto de campo (OFET). La nueva técnica permite una buena procesabilidad de mezclas complejas que permite obtener películas semiconductoras orgánicas isotrópicas con excelentes propiedades de estabilidad a escala industrial.

Conducción eléctrica mediante unos ensamblajes supramoleculares de triarilaminas.

(29/04/2015) Dispositivo conductor que comprende dos materiales metálicos conductores cuyas superficies, respectivamente (S) y (S'), están interconectadas eléctricamente por un material orgánico que comprende unas especies supramoleculares orgánicas fibrilares conductoras que comprenden una asociación de las triarilaminas de fórmula (I) siguiente:**Fórmula** en la que: - cada uno de los grupos -A1- y -A2-, idénticos o diferentes, designa un enlace covalente simple o bien un grupo -O-, -S-, -NH-, NH(C≥O), o -NR3-; - cada uno de los grupos R1, R2 y R3, idénticos o diferentes, representa: - un grupo aromático, preferentemente un grupo bencilo; o - una cadena hidrocarbonada que comprende de 4 a 30 átomos de carbono; o - una cadena polietilenglicol; y - R es un grupo de terminación, que es preferentemente una cadena hidrocarbonada, que…

Transistores orgánicos de efecto de campo basados en imida/diimida y un método de producción de estos.

(25/12/2013) Método para construir un transistor orgánico de efecto de campo (OFET), procesado por solución, ambipolar, estable al aire que incluye las etapas de: a) modelar óxido de indio y estaño electroconductor (ITO) en un sustrato de vidrio y limpiar el ITO modelado; b) recubrir por rotación una película transparente de PVA (alcohol de polivinilo) como una capa dieléctrica encima del ITO; c) recubrir por rotación el sustrato de ITO/vidrio cubierto con PVA con una capa de semiconductor N,N'-bis-(deshidroabietil)- 3,4,9,10-perilenbis(dicarboximida); o recubrir por rotación el sustrato de ITO/vidrio cubierto con PVA…

Un nuevo colorante dopante, una composición que lo comprende y un dispositivo fotovoltaico que incluye dicha composición.

(18/07/2012) Un colorante dopante que tiene la fórmula (I) : en la que R1, R2 y R3 son independientemente hidrógeno o alquilo C1-8.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE UN COMPONENTE ELECTRÓNICO.

(07/03/2012) Procedimiento para la fabricación de un componente electrónico sobre una superficie de un sustrato , configurándose el componente electrónico, visto en perpendicular a la superficie del sustrato , con al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') dispuestas una sobre otra y de manera que se solapan al menos en una zona de superficie F, estructurándose las al menos dos capas funcionales eléctricas (2, 2', 3, 3', 4, 4') sobre el sustrato directa o indirectamente en un proceso continuo, moviéndose el sustrato relativamente respecto a una unidad de estructuración, usándose como sustrato un sustrato flexible con un espesor en el intervalo de 6 µm a 200 µm, que se transporta de rodillo a rodillo durante el proceso continuo, a) estructurándose una primera capa funcional eléctrica de las al menos dos capas funcionales…

Capa de acoplamiento sobre polímeros fluorados.

(07/03/2012) Dispositivo que comprende una capa realizada en polímero fluorado del que, por lo menos, una parte de la superficie está recubierta por una composición que comprende un polímero que presenta, como mínimo, una función fluorada y, como mínimo, una función ácido o base y que forma una capa de acoplamiento sobre dicho polímero fluorado, estando recubierta dicha capa de acoplamiento total o parcialmente por otra capa.

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