CIP-2021 : H01L 23/28 : Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).

CIP-2021HH01H01LH01L 23/00H01L 23/28[1] › Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/28 · Encapsulados, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos (H01L 23/552 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.

(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método: proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…

SISTEMA DE SUSPENSION DE CIRCUITOS ELECTRICOS.

(16/03/2005) SE PRESENTA UN DISPOSITIVO Y UN METODO EN LOS QUE LOS COMPONENTES ELECTRICOS ESTAN MECANICAMENTE SUSPENDIDOS Y ELECTRICAMENTE INTERCONECTADOS EN UN CUERPO ELASTOMERICO AISLANTE , TAL COMO SILICONA, ELIMINANDO DE ESTA FORMA LA NECESIDAD DE UNA TARJETA DE CIRCUITO O DE OTRO SUSTRATO DE CIRCUITO. EL DISPOSITIVO PUEDE CAMBIAR DE FORMA MEDIANTE COMPRESION, DISTENSION, FLEXION Y OTRAS FUERZAS EXTERNAS AL TIEMPO QUE MANTIENE SU RENDIMIENTO ELECTRICO Y SU INTEGRIDAD MECANICA. EL DISPOSITIVO PUEDE COMPRIMIRSE Y DEFORMARSE PARA AJUSTARLO DENTRO DE OTRO DISPOSITIVO, TAL COMO LA CUBIERTA DE UN CONECTOR ELECTRICO O UNA CUBIERTA DE SUJECION DE PLASTICO, CREANDO AL MISMO TIEMPO FUERZAS ELASTICAS PARA CONSEGUIR CONTACTOS ELECTRICOS FIABLES Y PARA UN SELLAMIENTO ECOLOGICO. DE ESTA FORMA, EL…

DISPOSITIVO PARA PROTECCION Y MEJORA DE LA IMPLANTACION DE SENSORES Y ACTUADORES EN PIEZAS DE MATERIALES COMPUESTOS.

(01/03/2000) Dispositivo para protección y mejora de la implantación de sensores y actuadores en piezas de materiales compuestos. Se propone un dispositivo que permite la protección de elementos sensores y actuadores, tales como fibras ópticas o piezoeléctricos, implantados en piezas fabricadas en material compuesto de tipo fibra de refuerzo con matriz polimérica orgánica. Asimismo facilita el proceso de fabricación de este tipo de piezas. Este dispositivo está dirigido a conseguir tres objetivos fundamentales: asegurar la supervivencia de los elementos sensores/actuadores durante el proceso de fabricación de las piezas de material compuesto, simplificar el propio proceso de fabricación adaptándolo a la implantación de los mencionados…

METODO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/04/1996) EN UN PROCESO DE ENCAPSULACION DE CIRCUITO INTEGRADO HIBRIDO, CADA SISTEMA DE CARGA ES RODEADO POR UN MIEMBRO DE BARRERA ALARGADO CON FORMA DE C QUE SE ABRAZA SOBRE LAS PORCIONES DEL SISTEMA DE CARGA ADYACENTE AL SUBSTRATO ; ESTO ES, LOS LADOS OPUESTOS DE UNA RANURA EN EL MIEMBRO DE BARRERA SE ASEN A LOS LADOS OPUESTOS DE LAS CARGAS. DESPUES DE ESO, LA SILICONA RTV SIN CURAR SE REPARTE SOBRE EL SUBSTRATO, CIRCULA SOBRE Y RODEA LOS CHIPS MONTADOS SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO Y SE IMPIDE QUE CIRCULE A LO LARGO DE LAS CARGAS MEDIANTE LOS MIEMBROS CON FORMA DE C , CADA UNO DE LOS CUALES, DEBIDO A SU CONFIGURACION, CONSTITUYE UNA BARRERA PARA QUE EL FLUIDO CIRCULE, TANTO A LO LARGO DE LA EXTENSION…

METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON TENSION DE EMPAQUETADO REDUCIDA.

(16/02/1994). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN. Inventor/es: CAGAN, MYRON RALPH, RIDLEY, DOUGLAS FREDERICK, BELTON, DANIEL JAMES.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CONTIENE UNA CAPA DE DESAHOGO DE TENSION QUE TIENE UNA TEMPERATURA DE TRANSICION DE CRISTAL POR DEBAJO DE LOS 150 (GRADOS) C. LA CAPA GENERALMENTE DESCANSA SOBRE UN SISTEMA DE INTERCONEXION ELECTRICA EN EL DISPOSITIVO PERO NO SE APOYA EN LAS AREAS DE RELLENO DE LA UNION. ESTO ALIVIA SUBSTANCIALMENTE LA TENSION TERMICAMENTE INDUCIDA QUE DE OTRA MANERA PODRIA DAÑAR LOS COMPONENTES ELECTRONICOS EN EL DISPOSITIVO MIENTRAS SIMULTANEAMENTE PERMITE EL MAXIMO DE TENSION EN LOS CONDUCTORES ELECTRICOS (32 Y 34) QUE SOBRESALEN DEL REVESTIMIENTO DE EMPAQUETADO EXTERNO PARA PRODUCIRSE EN LAS AREAS DE UNION QUE PUEDAN TOLERAR LA TENSION. LA CAPA SE HACE PREFERIBLEMENTE MEDIANTE DISEÑO LITOGRAFICO.

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