CIP-2021 : H01L 31/02 : Detalles.

CIP-2021HH01H01LH01L 31/00H01L 31/02[1] › Detalles.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/02 · Detalles.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.

(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.

PIXEL FOTOSENSIBLE DE CONTROL EQUILIBRADO Y METODO DE FUNCIONAMIENTO.

(01/06/1996). Solicitante/s: OIS OPTICAL IMAGING SYSTEMS, INC. Inventor/es: BARON, YAIR.

INCLUYE UN ELEMENTO CONECTADO CON UN GRUPO DE SERIES DE ELEMENTOS DE CIERRE A UN PUNTO NODAL . LAS CAPACITANCIAS DE CADA GRUPO DE CIERRE SON IGUALES REDUCIENDO EL PICO CAPACITIVO DURANTE EL DIRECCIONAMIENTO DEL PIXEL. PUEDE SER ADAPTADO PARA PROVEER AMBAS LINEAS Y SE ADAPTAN DOS MATRICES DE PIXEL PARA FUNCIONAR COMO DISPOSITIVOS DISPLAY Y FOTOSENSORES CON GRAN EXACTITUD, RESOLUCION Y TIEMPOS BREVES DE ACCESO.

DISPOSITIVO DETECTOR DE RADIACIONES INFRARROJAS.

(01/11/1995). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: BETHEA, CLYDE G., CHOI, KWONG-KIT, LEVINE, BARRY FRANKLIN, MALIK, ROGER JOHN, WALKER, JOHN FLEMING.

UN DETECTOR DE RADIACIONES INFRARROJAS A ALTA VELOCIDAD Y PEQUEÑO ANCHO DE BANDA, ESTA BASADO EN EL EFECTO TUNEL DE ELECTRONES FOTOEXCITADOS FUERA DE FUENTES CUANTICAS. LA RADIACION INFRARROJA INCIDE SOBRE UNA GRAN MALLA DE FUENTES CUANTICAS DOPADAS AUMENTANDO LA RADIACION RESONANTE ENTRE SUBBANDAS, LA CUAL HACE QUE LOS ELECTRONES PASEN DESDE EL ESTADO DE MINIMA ENERGIA A UN ESTADO EXCITADO. SE GENERA UNA CORRIENTE FOTOELECTRICA CUANDO LOS ELECTRONES EXCITADOS SALEN DE LAS FUENTES CUANTICAS POR EFECTO TUNEL. SE PUEDEN USAR, CONVENIENTEMENTE, MATERIALES DE LOS GRUPOS III-V EN LA REALIZACION DEL DISPOSITIVO. PREFERIBLEMENTE, SE FORMAN BARRERAS POTENCIALES DE FUENTES CUANTICAS PARA FACILITAR EL EFECTO TUNEL RESONANTE DE LA CORRIENTE FOTOELECTRICA EN COMPARACION CON LA CORRIENTE NO LUMINOSA. EL MEJOR FUNCIONAMIENTO DEL DISPOSITIVO SE REALIZA CON UN ELEVADO VOLTAJE DE POLARIZACION, DANDO LUGAR A UN AUMENTO DE LA CORRIENTE FOTOELECTRICA POR EL EFECTO DE AVALANCHA EN LA FUENTE CUANTICA.

MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION Y DOPANTES, UTILES EN LA FABRICACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

(01/09/1995) COMPUESTOS QUE TIENEN LA FORMULA (MX3)NM'X4-N, EN LA QUE M Y M' SON ATOMOS DIFERENTES DEL GRUPO 4A, POR LO MENOS UNO DE M Y M' ES SILICIO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS, Y N ES UN ENTERO ENTRE 1 Y 4 INCLUSIVE, SON UTILES COMO MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION EN LA FORMACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO, EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS ELECTRONICAMENTE ACTIVOS. DOPANTES QUE TIENEN LA FORMULA (SIX3)MLX3-M, EN LA QUE L ES UN ATOMO DEL GRUPO 5A, ELEGIDO DEL GRUPO DE FOSFORO, ARSENICO, ANTIMONIO Y BISMUTO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS…

ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN SE, TE H EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I QUE TIENE MATERIAL DE SI (H, F) DE CRISTAL NO SIMPLE.

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).

ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN, SE, H EN CANTIDAD DE 1 A 4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, QUE TIENE UN MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F).

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).

CONTACTOS OHMICOS ESTABLES PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P.

(16/05/1995) UN CONTACTO OHMICO ESTABLE PARA PELICULAS DELGADAS DE SEMICONDUCTORES II-VI QUE CONTIENEN TELURO, TIPO P, Y DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS QUE INCORPORAN TALES CONTACTOS. UN CONTACTO OHMICO DE ACUERDO CON LA INVENCION COMPRENDE UNA CAPA FORMADORA DE CONTACTO DEPOSITADA SOBRE UNA PELICULA DELGADA DE TIPO P DE UN SEMICONDUCTOR II-VI QUE CONTIENE TELURO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA QUE FORMA CONTACTO ES COBRE QUE TIENE UN ESPESOR DE 2 NM APROXIMADAMENTE. SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE EN LA FORMADORA DE CONTACTO PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS SUBSIGUIENTEMENTE DE LA PELICULA DELGADA. LA CAPA AISLANTE PUEDE SER CARBONO O UNA CAPA DELGADA…

ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTICA QUE PERMITE UN MONTAJE SUPERFICIAL.

(01/03/1995). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WAITL, GUNTER, SCHELLHORN, FRANZ.

UN ELEMENTO DE CONSTRUCCION OPTICA PREPARADO PARA UN MONTAJE SUPERFICIAL, Y CON UNO O MAS EMISORES Y/O RECEPTORES TIENE QUE EMPLEARSE DE VARIAS FORMAS. SE PROVEE, PUES, DE AL MENOS DOS SUPERFICIES Y AL MENOS DOS CONEXIONES ELECTRICAS EN CADA SUPERFICIE , DE MODO QUE SIEMPRE UNA DE LAS DOS SUPERFICIES PUEDA SERVIR COMO SUPERFICIE DE MONTAJE.

DETECTOR DE LA RADIACCION DE UNA FUENTE CUANTICA.

(01/10/1994). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEVINE, BARRY FRANKLIN, MALIK, ROGER JOHN, BETHEA, CLYDE GEORGE.

RADIACION ELECTROMAGNETICA COMO, EN PARTICULAR, RADIACION INFRARROJA ES DETECTADA OPTO - ELECTRONICAMENTE MEDIANTE MECANISMOS DE ESTRUCTURA SUPERENREJADA FORMANDO FUENTES CUANTICAS QUE TIENEN UN ESTADO FRONTERA UNICA CON EL FIN DE MINIMIZAR LA CORRIENTE OSCURA, BARRERAS RELATIVAMENTE ANCHAS SON USADAS ENTRE LAS FUENTES CUANTICAS. LOS DETECTORES DE ALTA VELOCIDAD, ALTAMENTE SENSITIVOS, RESULTANTES PUEDEN SER USADOS EN COMUNICACIONES OPTICAS, PARA LEVANTAMIENTO DE PLANOS DE TERRENO Y PARA VISION INFRARROJA.

METODO PARA LA REALIZACION DE PROCESOS DE COMBUSTION LENTA.

(16/08/1994). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: SCHUM, BERTHOLD, HEWIG, GERT, WORNER, JORG, DR.

AL EXAMINAR PARA CONOCER COMO ES DEBIDO UN PROCESO DE COMBUSTION LENTA, DEBE REPRODUCIRSE SU REALIZACION, MEDIANTE UNA REPRESENTACION EN PERSEGUIDOS MEDIANTE ESPECTROMETRIA DE MASAS.

CELULA SOLAR DE PELICULA FINA.

(16/01/1994). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR INDUSTRIES L.P. Inventor/es: TANNER, DAVID P., JESTER, THERESA L., YIN, MING-JAU.

UN MODULO SOLAR DEL TIPO QUE TIENE AL MENOS DOS SERIES DE CELULAS SOLARES CONECTADAS INCLUYENDO CADA UNA DE ELLAS UN ELECTRODO TRANSPARENTE EN LA CARA FRONTAL, UNA PELICULA FINA FOTOVOLTAICA, Y UN CONTACTO POSTERIOR DE ALUMINIO. SE COLOCA UNA PELICULA DE NIQUEL SOBRE EL CONTACTO POSTERIOR DE ALUMINIO PARA CONSEGUIR UNA MAYOR RESISTENCIA AL ENVEJECIMIENTO.

SILICIO PARA CELULAS SOLARES, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU EMPLEO.

(01/12/1993). Solicitante/s: BAYER AG. Inventor/es: SCHWIRTLICH, INGO, DR..

EL INVENTO ANTES CITADO SE REFIERE A UN SILICIO, CON PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS MEJORADAS, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.

PIXEL FOTOSENSIBLE CON ELEMENTO EXPUESTO A BLOQUEO.

(16/10/1993). Solicitante/s: OIS OPTICAL IMAGING SYSTEMS, INC. Inventor/es: KITAMURA, KOICHI, SWATZ, LOUIS D., CATCHPOLE, CLIVE, YANIV, ZVI.

MEDIANTE EL MANTENIMIENTO DE LOS PRIMEROS ELECTRODOS DE UN ELEMENTO FOTOGENERADOR Y UN ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE A UN POTENCIAL COMUN, MIENTRAS SE INTERCONECTAN ELECTRICAMENTE LOS SEGUNDOS ELECTRODOS DE AQUELLOS, EL ELEMENTO DE BLOQUEO NO NECESITA SER CUBIERTO DE LA RADIACION INCIDENTE PORQUE LA SEÑAL ELECTRICA ALMACENADA GENERADA POR EL ELEMENTO FOTO GENERADOR NO SERA DISIPADA POR LOS PARES DE PORTADORES FOTOGENERADOS APORTADOS POR EL ELEMENTO DE BLOQUEO DE CORRIENTE.

DISPOSITIVO CON SENSOR DE RADIACION.

(16/05/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: BETHEA, CLYDE G., LEVINE, BARRY FRANKLIN, BRASEN, DANIEL, WILLENS, RONALD HOWARD.

LOS EFECTOS DE RADIACION INDUCIDA EN ESTRUTURAS POR CAPAS DE MATERIALES CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORTES, SE UTILIZAN EN DISPOSITIVOS TALES COMO POR SENSORES DE POSICION ALTAMENTE NO LINEALES O LINEALES. TALES DISPOSITIVOS INCLUYEN UNA ESTRUCTURA DE CAPAS ALTERNADAS DE MATEIALES CONDUCTORE SY SEMICONDUCTORES Y SE PROPORCIONAN CONTACTOS ELECTRICOS ENTRE LOS CUALES APARECE VOLTAJE DE RADIACION INDUCIDA. ENTRE LOS MATERIALES DE LAS CAPAS HAY SILICONA Y TITANIO, Y LOS DISPOSITIVOS RESULTANTES POR SENSIBLES A RADIACION ELECTROMAGNETICA AL IGUAL QUE REACCIONAN LAS PARTICULAS.

CAPSULADO DE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO.

(16/04/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HOFFMANN, WINFRIED, DR. DIPL.-PHYS., HUSCHKA, HANS, DR. DIPL.-CHEM.

SE DESCRIBE UN CAPSULADO DE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO, CUYA SUPERFICIE EXTERIOR ESTA EQUIPADA CON UNA CAPA DE PROTECCION, QUE CONSTA DE CARBONO Y DE UNA UNION DIELECTRICA DE UNION DE SILICIO.

CELULA SOLAR.

(01/04/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, HACKSTEIN, KARL-GERHARD, DR.

SE PRESENTA UNA CELULA SOLAR DE SILICIO CON UN CUERPO DE SUBSTRATO , EN CUYO LADO SE PRODUCE UN CAMPO ELECTRICO A TRAVES DE UN CONTACTO MIS PARA CAUSAR UNA SEPARACION DE LOS SOPORTES DE CARGA PRODUCIDOS A TRAVES DE ENERGIA DE RADIACION. LOS SOPORTES DE CARGA DE MINORIA SE ASPIRAN EN METAL DEL CONTACTO OHMICO . LOS CONTACTOS OHMICOS SE ENCUENTRAN SOBRE LOS CAMPOS EXISTENTES FRENTE DE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL SUBSTRATO . ADEMAS SE DESTEJA EL LADO DEL CUERPO DE SUBSTRATO , QUE MUESTRA EL CONTACTO OHMICO CON AL MENOS UNA CAPA PASIVADORA COMPLETAMENTE.

PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE REFRIGERACION CRIOGENICA DE UN OBJETO.

(16/10/1992). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ETABLISSEMENT A CARACTERE SCIENTIFIQUE , TECHNIQUE ET INDUSTRIEL. Inventor/es: REALE, SERGE, RAVEX, ALAIN.

DE ACUERDO CON EL PROCEDIMIENTO, SE CEDE LA POTENCIA FRIGORIFICA PRODUCIDA A UNA MASA DE GAS AUXILIAR CUYA TEMPERATURA DE PUNTO TRIPLE CORRESPONDE A LA TEMPERATURA DE REFRIGERACION DESEADA, DE FORMA QUE SE LLEVA A ESTA MASA SU PUNTO TRIPLE Y SE REFRIGERA EL OBJETO POR CAMBIO DE CALOR CON ESTA MASA DE GAS AUXILIAR EN SU PUNTO TRIPLE. APLICACION A LA REFRIGERACION DE LOS DETECTORES INFRARROJOS.

MODELO DE PANEL SOLAR CON CELDAS SOLARES DISPUESTOS EN SERIE Y EN PARALELO.

(01/07/1992). Solicitante/s: TELEFUNKEN SYSTEMTECHNIK GMBH. Inventor/es: FLODL, HELMUT, DIPL.-ING.

EL INVENTO SE REFIERE A UN MODELO DE PANEL SOLAR. LAS LINEAS DE CELDAS SOLARES CONSISTIENDO EN VARIAS CELDAS SOLARES SE SOLAPAN ENTRE SI. CON ARREGLO AL INVENTO LAS JUNTAS DE LAS LINEAS DE CELDAS SOLARES PROXIMAS SE ALTERNAN UNAS CON OTRAS Y SE POSIBILITA UNA CONEXION EN SERIE Y EN PARALELO DENTRO DE MODULO DE PANEL SOLAR CON ARREGLO AL INVENTO.

CELULA SOLAR.

(16/01/1992). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, DR. DIPL.-PHYS., HACKSTEIN,KARL GERHARD,DR.DIPL.-CHEM.

CONSTA DE: UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR ELECTRONICO , UNA CAPA DE SILICIO , UNA CAPA DE METAL QUE ORIGINA UN CAMPO ELECTRICO JUNTO CON EL SUBSTRATO Y LA CAPA DE ZONAS DE CONTACTO OHMIOS QUE RECIBEN LA DESCARGA DEL PORTADOR MAYORATORIO ELECTRONICO Y UNA CAPA DE PASIVACION COLOCADAS ENTRE LAS ZONAS OHMICAS Y ENCIMA DEL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR ELECTRONICO.

DISPOSITIVO POSICIONADOR Y PAQUETE CERRADO HERMETICAMENTE.

(01/04/1991). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: STANLEY, IAN WILLIAM.

PAQUETE CERRADO HERMETICAMENTE PARA UN DISPOSITIVO OPTICO , QUE TIENE UNA PARED FORMADA PARCIALMENTE POR UN DISPOSITIVO POSICIONADOR SOLDADO A LA PARED . EL DISPOSITIVO POSICIONADOR PERMITE QUE UNA FIBRA SE ALINEE CON EL DISPOSITIVO OPTICO A CADA LADO DE UNA VENTANA DE TRANSMISION.

CAPA DE SILICE DE SUPERFICIE IRREGULAR DESPOSITADA SOBRE UN SUBSTRATO, EN PARTICULAR DE VIDRIO Y PRODUCTO DE OBTENCION.

(16/03/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: KAWAHARA, HIDEO, HIRATA, MASAHIRO, HYODOH, MISONOU MASEO M.

LA INVENCION SE REFIERE A UNA CAPA DE SILICE DE SUPERFICIE IRREGULAR DEPOSITADA SOBRE UN SUSTRATO, EN PARTICULAR DE VIDRIO Y PRODUCTO DE OBTENCION. PROPONE SOPLAR REACTIVOS GASEOSOS EN DIRECCION DEL SUSTRATO CALENTADO CON UNOS FLUJOS Y PROPORCIONES TALES QUE TENGA LUGAR UNA REACCION PARCIAL CONDUCIENDO A LA FORMACION DE GRANOS DE SILICE ANTES DEL ENCUENTRO CON EL SUSTRATO, INCRUSTANDOSE ESTOS GRANOS DE SILICE EN LA CAPA QUE SE FORMA SOBRE EL SUSTRATO CON LOS REACTIVOS RESTANTES. RESULTA DE ELLO UNA CAPA DE REVESTIMIENTO DE SUPERFICIE IRREGULAR, UTILIZABLE EN PARTICULAR EN LAS PILAS SOLARES.

SUBSTRATO CONDUCTOR Y TRANSPARENTE PARA ELEMENTO FOTOELECTRICO.

(16/03/1991). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: KAWAHARA, HIDEO, MISONOU, MASAO, HIRATA, MASAHIRO.

LA INVECION SE REFIERE A UN SUSTRATO TRANSPARENTE Y CONDUCTOR UTILIZABLE COMO ELEMENTO FOTOELECTRICO. SE PROPONE UTILIZAR COMO SUSTRATO UN SOPORTE TAL COMO EL VIDRIO REVESTIDO DE UN ESPESOR POR LO MENOS IGUAL A 0.7 MICROMETRO, DE OXIDO DE ESTAÑO OBTENIDO POR DESCOMPOSICION TERMICA Y OXIDACION DE UN COMPUESTO DE ESTAÑO CONTENIENDO CLORO, PERO SIN NINGUN OTRO HALOGENO.

UN APARATO DETECTOR ENFRIADO CRIOGENAMENTE.

(16/11/1988). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY. Inventor/es: MONIER, JOHN M, WILCOX, W GENE.

EL VIDEO RUBIO Y VIDEO CENTELLEO INHERENTES PRESENTES EN EL PUNTO DE EBULLICION DEL NITROGENO DENTRO DE UN DETECTOR ENFRIADO CRIOGENAMENTE, SE ELIMINAN SUSTANCIALMENTE RELLENANDO CUALQUIER ESPACIO QUE PUEDA RETENER AIRE, CON UN GEL FLUIBLE DE SILICONA AUTO-OBTURANTE. EL GEL ES PAGADIZO Y MANTIENE SU ADHERENCIA TANTO A LA PATILLA FRIA COMO AL DEWAR AL SER ENFRIADO A TEMPERATURAS CRIOGENAS, SIN PERDER SU AUTOCOHESION INTERNA. EN LA REALIZACION ILUSTRADA, SE EMPLEA UN GEL DE DOS PARTES FABRICADO POR DOW CORNING BAJO LA MARCA COMERCIAL SYLGARD 527. EL GEL SE CARACTERIZA POR SER AUTO-OBTURANTE HASTA AL MENOS UNA TEMPERATURA DENTRO DE UN MARGEN DE 60 GC HASTA 100 GC. ADEMAS, EL GEL ES TERMICAMENTE ESTABLE A TODAS LAS TEMPERATURAS, DESDE TEMPERATURAS AMBIENTALES ALTAS HASTA TEMPERATURAS CRIOGENAS.

BALIZA.

(01/08/1987). Solicitante/s: RATTI,CLAUDE PAGNOL,FREDERIC.

Baliza, cuya alimentación con corriente eléctrica está regulada por células fotovoltaicas que funcionan con la energía solar, caracterizada porque comprende un cagón estanco que presenta en su parte superior. una forma sensiblemente troncocónica, estando incorporadas las células fotovoltaicas en la pared de la parte sensiblemente troncocónica del citado cajón que contiene en su interior las baterías destinadas a acumular la energía producida por las células así como los dispositivos electrónicos necesarios para el funcionamiento de la baliza.

UN MODULO FOTOVOLTAICO.

(01/05/1987). Solicitante/s: THE STANDARD OIL CO..

MODULO FOTOVOLTAICO. COMPRENDE: UNA PLURALIDAD DE TIRAS FORMADAS POR FILAMENTOS ELECTRICAMENTE CONDUCTORES , UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS DISCRETAS Y POR REJILLAS ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS DE TINTA DE PLATA; UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA BARRAS DE CONEXION COMUN QUE RECOGEN LA ENERGIA ELECTRICA DE LAS TIRAS FOTOVOLTAICAS Y LA LLEVAN A LAS TERMINALES DE SALIDA POSITIVA Y NEGATIVA ; Y UN MIEMBRO DE SOPORTE QUE SOSTIENE LAS BARRAS DE CONEXION Y LAS TIRAS . SE UTILIZA PARA EL APROVECHAMIENTO DE ENERGIA SOLAR.

CONCENTRADOR SOLAR LUMINISCENTE SOLIDO HOMOGENEO.

(01/12/1986). Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Concentrador Solar Luminiscente Sólido Homogéneo, caracterizado por constar de una lámina de plástico o vidrio, 2, en la que se han introducido sustancias luminiscentes y una segunda lámina, permitiendo todo ello que los rayos de luz que inciden en las superficies superior 1, e inferior 3, de las mencionadas láminas sean guiados hacia las células fotovoltaicas 4, colocadas en el borde del mismo.

UN APARATO PARA DERIVAR ELECTRICAMENTE,DE FORMA CONDICIONADA,UN SEGMENTO GENERADOR DE POTENCIA DE UNA DISPOSICION FOTOVOLTAICA.

(16/10/1986). Solicitante/s: THE STANDARD OIL CO..

APARATO PARA DESVIAR CONDICIONAL Y ELECTRICAMENTE UN SEGMENTO GENERADOR DE POTENCIA DE UN CONJUNTO FOTOVOLTAICO, QUE TIENE MIEMBROS GENERADORES DE POTENCIA CON CAPAS DE SUSTRATO ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS. CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE TIRAS ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS TRASLAPADAS QUE ESTAN FORMADAS DE UN MATERIAL ELECTRICAMENTE CONDUCTOR DE COBRE MUY DELGADO O SIMILAR; DE UN DIODO INTERPUESTO ENTRE LA PRIMERA TIRA CONDUCTORA Y LA SIGUIENTE TIRA EN LA RELACION TRASLAPADA; Y DE UNA COMUNICACION ELECTRICA ENTRE LA TIRA CONDUCTORA Y EL MIEMBRO GENERADOR DE POTENCIA. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS PARA APROVECHAMIENTO DE LA ENERGIA SOLAR.

UN DISPOSITIVO FOTOSENSIBLE MEJORADO.

(01/10/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

VARIACIONES EN UN DISPOSITIVO FOTOSENSIBLE. CONSTA DE: UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE TIPO P-I-N FORMADO POR CELDAS INDIVIDUALES 12A, 12B Y 12C, FABRICADAS DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR AMORFO QUE CONTIENE SILICIO O GERMANIO, Y CADA UNA DE LAS CUALES INCLUYE: UNA CAPA 16 SEMICONDUCTORA DE CONDUCTIVIDAD TIPO P, UNA CAPA 18 SEMICONDUCTORA INTRINSECA LIGERAMENTE ADULTERADA Y UNA CAPA 20 SEMICONDUCTORA DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N; LAS CAPAS 16 Y 20 COOPERAN PARA ESTABLECER UN CAMPO ELECTRICO A TRAVES DE LA 18 INTRINSECA PARA LA RECOLECCION DE PORTADORES DE CARGA GENERADOS EN LA 18 POR LA LUZ; UN SUSTRATO QUE UNE LA CELDA 12A Y FUNCIONA COMO ELECTRODO DE LA CELDA 10, FABRICADO DE ACERO INOX, ALUMINIO O NIQUEL. SE UTILIZA EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

UN DISPOSITIVO QUE RESPONDE A LA LUZ QUE INCORPORA UN REFLECTOR POSTERIOR MEJORADO.

(16/06/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

MODIFICACIONES EN CELULAS FOTORRESPONSIVAS. CONSISTENTES EN QUE: EL RETROFLECTOR INCLUYE UN MATERIAL REFLECTOR ALEADO, ALUMINIO Y PLATA, ALEADO CON SILICIO, EN PROPORCIONES 90%, 5% Y 5% RESPECTIVAMENTE, PARA PROMOVER LA ADHESION DEL REFLECTOR AL SUSTRATO Y AL CUERPO SEMICONDUCTOR, E INHIBIR LA DIFUSION ENTRE EL REFLECTOR Y EL CUERPO SEMICONDUCTOR; EL SUSTRATO COMPRENDE UN REVESTIMIENTO DE CAPA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA CON UNA PELICULA AISLANTE; EL REFLECTOR SE DISPONE EN EL REVESTIMIENTO. SE UTILIZAN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.

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