CIP-2021 : H01L 29/16 : incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,
solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
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Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/16 · · · incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
(04/06/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo (MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo. La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más compleja.
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO.
(29/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, GODIGNON, PHILIPPE, EON,DAVID, PERNOT,JULIEN, LLORET VIEIRA,Fernando, BUSTARRET,Etienne.
Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo.
La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.
PDF original: ES-2763702_B2.pdf
PDF original: ES-2763702_A1.pdf
Método para fabricar un JFET de triple implante.
(08/04/2020). Solicitante/s: United Silicon Carbide Inc. Inventor/es: BHALLA,ANUP, LI,ZHONGDA.
Un método para crear un JFET (o 'transistor de efecto de campo de unión o juntura'), que comprende:
a. aplicar una primera máscara a una lámina u oblea para formar una primera capa de enmascaramiento dura y estampada en la parte superior de la oblea, de manera que la oblea comprende una región de deriva superior y una región de drenaje inferior ;
b. aplicar tres implantes a la porción 'no enmascarada' de la parte superior de la oblea para formar una región de la compuerta inferior (605b), una región del canal horizontal y una región de la compuerta superior (605a) en la parte o porción superior de la región de deriva ;
c. formar una región de la fuente en una parte o porción de la región de la compuerta superior;
d. conectar las regiones de la compuerta superior y la compuerta inferior (605a, 605b).
PDF original: ES-2794629_T3.pdf
Dispositivo de visualización de control táctil que tiene capa de alta resistencia.
(04/03/2020). Solicitante/s: Wgtech (Jiangxi) Co., Ltd. Inventor/es: YI,WEIHUA, ZHANG,XUN, ZHOU,HUIRONG, ZHANG,BOLUN, KUANG,JUNWEN.
Un dispositivo de visualización táctil , que comprende: un sustrato de transistor de película fina , una capa de detección táctil , una capa de cristal líquido , un sustrato de filtro de color y una capa altamente resistiva , que se laminan secuencialmente; en el que un material de la capa altamente resistiva es una mezcla de óxido de grafito y óxido de estaño, caracterizado porque el material de la capa altamente resistiva es una mezcla de óxido de grafito y óxido de estaño con una relación de masa de 60:100 a 70:100.
PDF original: ES-2791478_T3.pdf
Elemento de control de campo eléctrico para fonones.
(04/10/2018) Un transistor fonónico que comprende:
contactos eléctricos (216A, 216B ; 312, 314; 308);
dos puntos cuánticos (210A, 210B; 302A, 302B) incrustados en un semiconductor de modo que cuando se aplica un desvío eléctrico a los contactos eléctricos, un campo eléctrico que se produce por el desvío eléctrico es sustancialmente paralelo a un eje a través de los dos puntos cuánticos, en donde los dos puntos cuánticos incluyen un primero y un segundo punto cuántico,
en donde el primer punto cuántico y el semiconductor proporcionan un estado continuo, en donde el segundo punto cuántico proporciona un estado discreto,
en donde el estado continuo y el estado discreto se acoplan cuando el desvío eléctrico se aplica a los contactos eléctricos,
y en donde el desvío eléctrico proporciona un mecanismo…
SISTEMA DE GENERACIÓN ENERGÉTICA CON FUENTE DE GENERACIÓN BASADA EN PILA DE HIDRÓGENO.
(31/03/2016). Solicitante/s: ANTEQUERA RODRIGUEZ, Nicolás. Inventor/es: RUEDA ARÉVALO,Francisco Javier.
Sistema que comprende un elemento de captación y transformación de la luz exterior en electricidad basado en el empleo de grafeno dopado; una centralita de gestión eléctrica y a la que están conectados: una batería y un generador para proveer la corriente necesaria para una máquina de hidrólisis conectada al generador; un depósito de hidrógeno conectado a la máquina de hidrólisis; un depósito de oxígeno conectado con la máquina de hidrólisis,de utilización en sistemas basados en el espacio, pudiendo emitir al exterior mediante un escape; una celda de combustible o pila de hidrógeno conectada con los depósitos de hidrógeno y oxígeno y un depósito de agua conectada por un lado con la pila de hidrógeno de la que recibe el agua generada y por otro con la máquina de hidrólisis a la que suministra el agua. Se logra un sistema de generación autosuficiente o autónomo.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky sobre un sustrato de diamante.
(02/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: EON,DAVID, GHEERAERT,ETIENNE, MURET,PIERRE, PERNOT,JULIEN, TRAORE,ABOULAYE.
Procedimiento de fabricación de un diodo Schottky, que incluye las etapas siguientes:
a) oxigenar la superficie de una capa semiconductora de diamante monocristalino, de manera que sustituya unas terminaciones superficiales de hidrógeno de la capa semiconductora por unas terminaciones superficiales de oxígeno; y
b) formar, por depósito físico en fase de vapor, una primera capa conductora de óxido de indio-estaño en la superficie de la capa semiconductora.
PDF original: ES-2625384_T3.pdf
MÉTODO PRECISO DE DESENCADENAMIENTO DE AVALANCHAS EN DISPOSITIVOS SUPERCONDUCTORES.
(13/06/2013) Método preciso de desencadenamiento de avalanchas en dispositivos superconductores, comprendiendo:
- colocar una guía de onda próxima a un borde del dispositivo superconductor para crear un campo electromagnético de alta frecuencia (hrf);
- medir, mediante analizador de redes vectoriales conectado a la guía de onda y para distintos rangos de campo magnético y temperatura, la variación diferencial entre campos magnéticos consecutivos de la transmisión del campo electromagnético en función de la frecuencia y de la potencia de microondas aplicada;
- determinar, en función del campo magnético y temperatura,…
(16/06/2004). Solicitante/s: PAINTER, BLAND A., III. Inventor/es: BROWN, THOMAS, G.
SE ESTABLECE UNA ESTRUCTURA DE DENSIDAD PERIODICAMENTE VARIABLE, QUE ACTUA COMO RESONADOR PARA FONONES CAPACES DE PARTICIPAR EN INTERACCIONES FONONES-ELECTRONES. ESPECIFICAMENTE, SE ESTABLECE UN RESONADOR DE FONONES QUE ES RESONANTE PARA FONONES DE IMPULSO APROPIADO PARA PARTICIPAR EN TRANSICIONES RADIANTES INDIRECTAS Y/O EVENTOS DE DISPERSION ENTRE VALLES INTERZONALES. PREFERIBLEMENTE, LA ESTRUCTURA ES UNA SUPERRETICULA ISOTOPICA, PREFERIBLEMENTE DE SILICIO. LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION TIENE PROPIEDADES OPTICAS, ELECTRICAS Y/O DE TRANSFERENCIA TERMICA MEJORADAS. TAMBIEN SE ESTABLECE UN METODO PARA PREPARAR LA ESTRUCTURA DE LA PRESENTE INVENCION.
MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR.
(01/07/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: SCHULTE, ROLF, KAMMERMAIER, JOHANN, DR.
NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR. EL NUEVO MATERIAL BASICO SEMICONDUCTOR SE DEBERA PODER OBTENER SEGUN LA TECNOLOGIA DE CAPA DELGADA EMPLEANDO PROCESOS DE BANDA Y PRESENTAR UNA MOTILIDAD DE LOS PORTADORES DE CARGA DE COMO MINIMO 1 C.
