CIP-2021 : H01L 29/74 : Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/74 · · · · Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Un tiristor, un procedimiento de activar un tiristor, y circuitos del tiristor.
(26/10/2016). Solicitante/s: Silergy Corp. Inventor/es: VAN DALEN,ROB, SWANENBERG,MAARTEN, EMMERIK-WEIJLAND,INESZ.
Un tiristor que comprende:
una primera región de un primer tipo de conductividad;
una segunda región de un segundo tipo de conductividad y contiguo a la primera región;
una tercera región del primer tipo de conductividad y contigua a la segunda región;
una cuarta región del segundo tipo de conductividad y que comprende un primer segmento y un segundo segmento separado del primer segmento, el primer segmento y el segundo segmento se encuentran cada uno contiguos a la tercera región;
un elemento resistivo que conecta de manera eléctrica el primer segmento y la tercera región;
un primer contacto contiguo a la primera región;
un segundo contacto contiguo al primer segmento; y un contacto de disparo contiguo al segundo segmento y separado del segundo contacto.
PDF original: ES-2612203_T3.pdf
COMPONENTE SEMICONDUCTOR DESCONECTABLE DE ALTA TENSION.
(01/04/1998) EN UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION DESCONECTABLE, EN PARTICULAR EN FORMA DE UN GTO, CON UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE DISCO, QUE ESTA DISPUESTO DE FORMA CONCENTRICA EN UNA CAJA AISLANTE DE MODO ANULAR ENTRE UN CONTACTO DE CATODO EN FORMA DE DISCO IMPULSABLE MEDIANTE PRESION Y UN CONTACTO DE ANODO EN FORMA DE DISCO EVENTUALMENTE IMPULSABLE CON PRESION, SE CONTACTA SOBRE LA CARA DEL CONTACTO DE CATODO A TRAVES DE UN CONTACTO GATE. EL CONTACTO DE CATODO ESTA UNIDO POR MEDIO DE UNA PRIMERA TAPA (11A) CON LO QUE UN EXTREMO DE LA CAJA AISLANTE Y EL CONTACTO DE ANODO A TRAVES DE UNA SEGUNDA TAPA (11B)…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN SURCO AISLANTE Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
(16/07/1996). Solicitante/s: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: TOKUNOH, FUTOSHI.
UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA COMPRENDE UNA REGION TIRISTORA PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA (GR) Y UNA REGION DIODO (DR) CON UN AREA DE AISLAMIENTO (SR) ENTRE ELLAS. EL AREA DE AISLAMIENTO SE PROVEE CON UN SURCO MULTI-ESTADO O DE VARIAS ETAPAS QUE TIENE ESTRUCTURAS DE PASOS . EL SURCO MULTI-ESTADO SE FORMA A TRAVES DE UN PROCESO DE ATAQUE QUIMICO O MORDENTADO EN DOS ETAPAS, Y LAS REGIONES SOBRE-GRABADAS EN LOS ANGULOS DE LA PARTE INFERIOR DEL SURCO MULTI-ESTADO SON RELATIVAMENTE POCO PROFUNDAS. ESTA ESTRUCTURA ES EFECTIVA PARA INCREMENTAR EL VOLTAJE DE RUPTURA O TENSION DISRUPTIVA DE LA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y LAS AISLACIONES ENTRE LA REGION TIRISTORA DE PUERTA DE GIRO HACIA AFUERA Y LA REGION DIODO.
DISPOSITIVO DE PROTECCION SCR DE BAJO VOLTAJE DE DISPARO Y ESTRUCTURA.
(16/12/1995). Solicitante/s: DAVID SARNOFF RESEARCH CENTER, INC. SHARP CORPORATION. Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE LA ENERGIA TRANSITORIA. EL DISPOSITIVO PROPORCIONA UNA SCR PROVISTA DE UNA TENSION DE DISPARO REDUCIDA.
DISPOSITIVO DE CONMUTACION EN ESTADO SOLIDO.
(01/12/1976). Solicitante/s: THOMSON-CSF.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS EN LOS RECTIFICADORES GOBERNABLES.
(01/12/1975). Solicitante/s: SEMIKRON GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND E.M.
Perfeccionamientos en los rectificadores gobernables, a base de semiconductor, con por lo menos cuatro zonas de tipo de conductividad alternativamente opuesto, de las cuales por lo menos una de las zonas interiores débilmente adulteradas que se encuentran contiguas a las zonas de emisor exteriores intensamente adulteradas se extiende a través de la zona de emisor correspondiente hasta la superficie exterior de esta última y está unida directamente con un recubrimiento conductivo dispuesto en dicha superficie, el cual sirve para la contactación, caracterizados porque para la penetración de la zona interior a través de la zona de emisor hasta el recubrimiento conductivo se ha previsto en la zona de emisor una escotadura que comprende una pluralidad de sectores en forma de brazos unidos que forman una figura geométrica conexa.
RECTIFICADOR DE POTENCIA CONTROLADO.
(01/12/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
