Horno de inducción para fundir materiales granulares.
Un aparato (100, 200, 300, 400) para calentar un material (122,
150), comprendiendo el aparato:
una bobina (104) de inducción electromagnética;
un circuito eléctricamente conductor (130, 430);
estando el circuito conductor (130, 430) adaptado para transferir calor al material (122, 150);
caracterizado porque:
el circuito eléctricamente conductor (130, 430) es selectivamente conmutable entre un modo de circuito eléctrico cerrado y un modo de circuito eléctrico abierto; y
el circuito conductor (130, 430) es calentable inductivamente por la bobina (104) de inducción en el modo de circuito eléctrico cerrado; y
la bobina (104) de inducción es capaz de estar bajo tensión eléctrica cuando el circuito conductor (130, 430) está en el modo de circuito cerrado y cuando el circuito conductor (130, 430) está en el modo de circuito abierto.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2005/016458.
Solicitante: AJAX TOCCO MAGNETHERMIC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 23000 EUCLID AVENUE EUCLID OH 44117 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: TENZEK,ANTHONY M, LAZOR,DAVID A.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B13/20 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales). › por inducción, p. ej. técnica del alambre caliente (C30B 13/18 tiene prioridad).
- H05B6/22 ELECTRICIDAD. › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR. › H05B CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR. › H05B 6/00 Calefacción por campos eléctricos, magnéticos o electromagnéticos (terapia de radiación de microondas A61N 5/02). › Hornos sin núcleo sinfín (H05B 6/34 tiene prioridad).
- H05B6/24 H05B 6/00 […] › Hornos de crisol (H05B 6/30 tiene prioridad).
PDF original: ES-2657371_T3.pdf
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