UN DISEÑO DE MEZCLADOR Y SIMETRIZADOR COMBINADOS.
Un circuito (300) que comprende puertos (365, 370) de entrada para una primera (IF) y una segunda (OL) señales de entrada asimétricas,
estando dichas primera y segunda señales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo también el circuito (300) un mezclador (303) para mezclar dichas primera y segunda señales de entrada de forma que se produce una tercera señal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto (315) de salida del circuito, comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales están en acoplamiento mutuo entre sí, estando acoplando el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, con los terminales de salida de los transistores estando conectados a dicho puerto (315) de salida del circuito, comprendiendo también el mezclador (300) una primera impedancia (350) la cual está conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera señal de entrada asimétrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha primera impedancia (350) lleva a cabo la función de un simetrizador activo para la primera señal (IF) de entrada, en el que el puerto (365) de entrada para la segunda señal (OL) comprende una segunda impedancia (360) y en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias juntas actúan como un simetrizador pasivo para la segunda señal (OL)
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/SE2008/050323.
Solicitante: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL).
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: 164 83 STOCKHOLM SUECIA.
Inventor/es: BAO,MINGQUAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 25 de Marzo de 2008.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03D7/14C
Clasificación PCT:
- H03D7/12 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03D DEMODULACION O TRANSFERENCIA DE MODULACION DE UNA ONDA PORTADORA A OTRA (másers, lásers H01S; circuitos capaces de funcionar como moduladores y demoduladores H03C ej.moduladores balanceados H03C 1/54; detalles aplicables a los moduladores y a los cambiadores de frecuencia H03C; demodulación de impulsos que han sido modulada con una señal de variación continua H03K 9/00; transformación de tipos de modulación de impulsos H03K 11/00; sistemas relés, ej. estaciones repetidoras H04B 7/14; demoduladores adaptados a los sistemas de portadora modulada digitalmente H04L 27/00; demoduladores síncronos adaptados a la televisión en color H04N 9/66). › H03D 7/00 Transferencia de modulación de una portadora a otra, p. ej. cambio de frecuencia (H03D 9/00, H03D 11/00 tienen prioridad; amplificadores dieléctricos, amplificadores magnéticos, amplificadores paramétricos utilizados como cambiadores de frecuencia H03F). › por medio de dispositivos de semiconductores que tienen más de dos electrodos (H03D 7/14 - H03D 7/22 tienen prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Bosnia y Herzegovina, Bulgaria, República Checa, Estonia, Croacia, Hungría, Islandia, Noruega, Polonia, Eslovaquia, Turquía, Malta, Serbia.
PDF original: ES-2373760_T3.pdf
Fragmento de la descripción:
Un diseno de mezclador y simetrizador combinados.
Campo tecnico
La presente invenci6n describe un circuito con puertos de entrada para una primera y una segunda senal en sus 5 respectivas primera y segunda frecuencias. El circuito tambien comprende un mezclador para mezclar dicha primera senal de entrada con dicha segunda senal de entrada.
Antecedentes
En la tecnologia de comunicaciones, los denominados mezcladores son circuitos usados con frecuencia, los cuales, como su nombre indica, mezclan una primera y una segunda senal de entrada, las cuales estan, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, y produce una senal de salida a una tercera frecuencia.
En un transceptor de un sistema de comunicaciones, se utilizara usualmente un mezclador con objeto de mezclar una frecuencia intermedia (IF) a una radiofrecuencia (RF) , o viceversa, mezclar RF a IF.
Un simetrizador (del ingles "balanced-unbalanced") es un componente que convierte una senal simetrica en una senal asimetrica o viceversa, y que puede ser usado junto con ciertos tipos de mezcladores en los cuales se desea convertir una senal de entrada asimetrica en una simetrica (o viceversa) . Un simetrizador puede ser activo o pasivo.
En un mezclador, como se ha explicado arriba, se usan dos senales de entrada, lo cual significa que con respecto a la noci6n de senales de entrada simetricas y asimetricas, pueden discernirse varios casos: si una de las senales de entrada es asimetrica, esa senal debe ser conectada al mezclador por via de un simetrizador, para convertirla en una senal simetrica. Si ambas senales de entrada son asimetricas, las dos necesitan ser conectadas al mezclador por via de correspondientes simetrizadores, con objeto de convertir las senales asimetricas en senales simetricas.
Resumen
Puesto que, como se explic6 arriba, se usan a menudo simetrizadores junto con mezcladores, la presente invenci6n describe una soluci6n por medio de la cual un circuito puede llevar a cabo la funci6n de un mezclador asi como la funci6n de un simetrizador lo cual es, naturalmente, ventajoso en cuanto se refiera a coste y tamano.
Por medio de la invenci6n, de acuerdo con la reivindicaci6n 1, se describe un circuito el cual puede llevar a cabo la funci6n de simetrizadores para una primera y una segunda senal de entrada asimetricas las cuales van a ser mezcladas una con otra, al tiempo que es un mezclador.
El circuito de la invenci6n comprende puertos de entrada para una primera y una segunda senales de entrada asimetricas, con las senales de entrada primera y segunda que estan, respectivamente, a primera y segunda frecuencias.
Ademas, el circuito comprende tambien un mezclador para mezclar las primera y segunda senales de entrada de forma que se produce una tercera senal a una tercera frecuencia en un puerto de salida del circuito. A este fin, el mezclador comprende un primer y un segundo transistor los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, y los terminales de salida de los transistores estan conectados al puerto de salida del circuito.
Ademas, el circuito comprende tambien una primera impedancia la cual esta conectada a tierra y, por medio de los transistores y la primera impedancia, el mezclador lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal de entrada. Tambien, el puerto de entrada para la segunda senal comprende una segunda impedancia y esta segunda impedancia, junto con la primera impedancia, actua como un simetrizador pasivo para la segunda senal.
Los dos transistores del circuito pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo entre si a traves de 40 condensadores.
Tambien, los transistores que se usan en la invenci6n peden ser transistores bipolares, en cuyo caso los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores. Si se usan transistores bipolares, estos pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
Como alternativa, los transistores que se usan en la invenci6n pueden ser Transistores de Efecto de Campo, FETs, 45 en cuyo caso los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores. Si se usan FETs, estos pueden de forma conveniente estar en acoplamiento mutuo por via de sus respectivas puertas.
Como se mostrara mas abajo, la invenci6n, de acuerdo con la reivindicaci6n 8 independiente, tambien describe una realizaci6n para la situaci6n en la que se desea mezclar una primera senal asimetrica con una segunda senal de entrada simetrica.
Breve descripcion de los dibujos
La invenci6n se describira con mayor detalle en lo que sigue, haciendo referencia a los dibujos que acompanan, en los cuales las figuras 1 y 2 muestra mezcladores con simetrizadores de la tecnica anterior; y la figura 3 muestra una primera realizaci6n de la invenci6n; y la figura 4 muestra una segunda realizaci6n de la invenci6n.
Descripcion detallada La figura 1 muestra un ejemplo de un mezclador de la tecnica anterior. En los ejemplos de mezcladores dados mas abajo, tanto los mezcladores de la tecnica anterior como los mezcladotes de la invenci6n, se asumira que el prop6sito de los mezcladores es llegar a una senal de salida en Radio Frecuencia, RF, por medio de mezclar una senal en Frecuencia Intermedia; IF, con una senal de un Oscilador Local, un OL. Un mezclador de la tecnica anterior similar al circuito ilustrado en la figura 1 es conocido, por ejemplo, del documento de patente alemana DE 34 09 555
A.
Asi, las senales de entrada mostradas en los ejemplos que van mas abajo seran una senal IF y una senal de un OL, las cuales son mezcladas con objeto de obtener una senal RF. No obstante, debe hacerse notar que la invenci6n no esta limitada a tales combinaciones de senales de entrada/salida.
Mirando ahora a la figura 1, hay mostrado un mezclador 100 de la tecnica anterior el cual comprende un primer 110 y un segundo 120 transistores, los cuales estan conectados entre si. Los transistores en el ejemplo son transistores bipolares y estan conectados entre si por via de sus respectivos emisores.
Una senal IF asimetrica es introducida al mezclador 100 por via delos emisores de los dos transistores 110, 120.
Una senal de OL asimetrica tambien es usada como entrada al mezclador 100, pero es introducida por via de una simetrizador 140, de forma que los componentes primero y segundo de una senal OL simetrica son producidos y pueden ser usados como entrada a los primer 110 y segundo 120 transistores respectivamente, por via de las bases de los transistores.
Los terminales de salida de los dos transistores, en este caso los colectores, estan conectados a un segundo simetrizador 130, de forma que una senal RF asimetrica es producida como senal de salida del mezclador 100, en el puerto de salid del simetrizador 130.
Ademas, el mezclador 100 comprende tambien una impedancia, es decir un componente resistivo o reactivo, en este caso una bobina de inductancia 150, por via del cual la senal IF de entrada esta conectada a tierra.
La figura 2 muestra otro ejemplo de un mezclador 200 de la tecnica anterior. El mezclador 200 de la tecnica anterior es similar al de la figura 1, con la diferencia de que aqui la senal IF es tambien introducida por via de un segundo simetrizador 230, de forma que se produce una pareja de senales IF simetricas, la cual puede ser usada como entrada a los emisores de cada uno de los transistores. En este caso, la senal RF de salida es asimetrica sin el uso de un simetrizador en el puerto de salida.
La figura 3 muestra un diagrama de un circuito 300 de la invenci6n, el cual esta destinado a aplicaciones en las cuales las dos senales, es decir las senales que van a ser mezcladas entre si, son asimetricas.
Como se muestra en la figura 3, la realizaci6n 300 comprende puertos 365, 370 de entrada para una primera y una segunda senales de entrada asimetricas. En la figura 3, las senales de entrada que van a ser mezclada una con otra son una senal IF y una senal de OL. No obstante, debe entenderse que estas senales de entrada se usan meramente para mostrar un ejemplo de una aplicaci6n conveniente del circuito 300.
Como se muestra en la figura 3, el circuito 300 comprende tambien un mezclador 303 el cual lleva a cabo la verdadera mezcla de las dos senales de entrada. El mezclador 303 del circuito 300 comprende un primer 330 y un segundo 335 transistores,... [Seguir leyendo]
Reivindicaciones:
1. Un circuito (300) que comprende puertos (365, 370) de entrada para una primera (IF) y una segunda (OL) senales de entrada asimetricas, estando dichas primera y segunda senales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo tambien el circuito (300) un mezclador (303) para mezclar dichas primera y segunda senales de entrada de forma que se produce una tercera senal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto
(315) de salida del circuito, comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, estando acoplando el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, con los terminales de salida de los transistores estando conectados a dicho puerto
(315) de salida del circuito, comprendiendo tambien el mezclador (300) una primera impedancia (350) la cual esta conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera senal de entrada asimetrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha primera impedancia (350) lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal (IF) de entrada, en el que el puerto (365) de entrada para la segunda senal (OL) comprende una segunda impedancia (360) y en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias juntas actuan como un simetrizador pasivo para la segunda senal (OL) .
2. El circuito (300) de la reivindicaci6n 1, en el que dichas primera (350) y segunda (360) impedancias comprenden inductancias.
3. El circuito (300) de la reivindicaci6n 1 o 2, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si a traves de condensadores (340, 345) .
4. El circuito (300) de cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en el que los transistores (330, 335) son transistores bipolares y los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores.
5. El circuito (300) de la reivindicaci6n 4, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
6. El circuito (300) de cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en el que los transistores son Transistores de Efecto de Campo, FTEs, y los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores.
7. El circuito (300) de la reivindicaci6n 6, en el que los transistores FET estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas puertas.
8. Un circuito (400) que comprende puertos (370, 465, 465') de entrada para una primera asimetrica (IF) y una segunda simetrica (OL) senales de entrada, respectivamente, a primera y segunda frecuencias, comprendiendo tambien el circuito (400) un mezclador (303) para mezclar dicha primera senal de entrada (IF) con dicha segunda senal de entrada (OL) , comprendiendo el mezclador (303) un primer (330) y un segundo (335) transistores los cuales estan en acoplamiento mutuo entre si, estando acoplado el terminal de control de cada transistor al terminal de entrada del otro transistor, de forma que se produce una tercera senal (RF) a una tercera frecuencia en un puerto (315) de salida del circuito al cual estan conectados los terminales de salida de los transistores (330, 335) , comprendiendo tambien el circuito (400) una impedancia (450, 452) la cual esta conectada a tierra y al terminal de entrada de cada uno de dichos transistores, estando acoplado el puerto de entrada para la primera senal de entrada asimetrica al terminal de entrada de uno de dichos transistores, dicho circuito (400) en el que el mezclador (303) por medio de los transistores (330, 335) y dicha impedancia (450, 452) tambien lleva a cabo la funci6n de un simetrizador activo para la primera senal (IF) de entrada.
9. El circuito (400) de la reivindicaci6n 8, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si a traves de condensadores (340, 345) .
10. El circuito (400) de la reivindicaci6n 8 o 9, en el que los transistores (330, 335) son transistores bipolares y los terminales de salida de los transistores son los colectores de los transistores.
11. El circuito (400) de la reivindicaci6n 10, en el que los transistores (330, 335) estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas bases.
12. El circuito (400) de cualquiera de la reivindicaci6n 8 o 9, en el que los transistores son Transistores de Efecto de Campo, FTEs, y los terminales de salida de los transistores son los drenadores de los transistores.
13. El circuito (400) de la reivindicaci6n 12, en el que los transistores FET estan en acoplamiento mutuo entre si por via de sus respectivas puertas.
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