SUPERCONDUCTORES CON ALTA TEMPERATURA CRITICA COMPUESTOS DE HETEROESTRUCTURAS METALICAS EN EL LIMITE ATOMICO.
DESCRIBIMOS SUPERCONDUCTORES CON UNA TEMPERATURA CRITICA ALTA FORMADOS MEDIANTE HETEROESTRUCTURAS EN EL LIMITE ATOMICO QUE PUEDEN SER REALIZADOS ARTIFICIALMENTE MEDIANTE EPITAXIA DE HAZ MOLECULAR,
DEPOSICION ELECTRONICA, LITOGRAFIA, SINTESIS QUIMICA, DEPOSICION ELECTROQUIMICA U OTRAS TECNOLOGIAS SIMILARES, REALIZADAS MEDIANTE UNA PLURALIDAD DE PRIMERAS PORCIONES DE UN MATERIAL METALICO SUPERCONDUCTOR FORMANDO UNA CELOSIA DE ELEMENTOS SUSTANCIALMENTE IGUALES CON PERIODO {LA}{SUB,P} CONSTANTE AL MENOS EN UNA PRIMERA DIRECCION (Y), Y UNA PLURALIDAD DE SEGUNDAS PORCIONES FORMADAS POR UN MATERIAL CON DIFERENTE ESTRUCTURA ELECTRONICA QUE LA DE LAS PRIMERAS PORCIONES, INTERCALADAS EN LAS PRIMERAS PORCIONES PARA OBTENER LA SEPARACION ENTRE DICHAS PRIMERAS PORCIONES; LA HETEROESTRUCTURA SE CARACTERIZA POR EL HECHO DE QUE LA PLURALIDAD DE PRIMERAS ESTRUCTURAS TIENE UN TAMAÑO (L) Y UN PERIODO ({LA}{SUB,P}) PARA CUMPLIR LA CONDICION DE LA CONDICION DE RESONANCIA DE LA FORMA DE LOS ELECTRONES EN EL NIVEL DE FERMI Y LA PLURALIDAD DE SEGUNDAS PORCIONES TIENE UN TAMAÑO (W) INFERIOR O DEL ORDEN DE LA LONGITUD DE COHERENCIA DE PIPPARD SUPERCONDUCTORA {XI}{SUB,0} DEL MATERIAL SUPERCONDUCTOR QUE FORMA LAS PRIMERAS PORCIONES. FIG. 2.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: BIANCONI, ANTONIO.
Nacionalidad solicitante: Italia.
Dirección: VIA GIULIA, 87,00186 ROMA.
Inventor/es: BIANCONI, ANTONIO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 17 de Noviembre de 1994.
Fecha Concesión Europea: 27 de Mayo de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L39/12 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › caracterizados por el material.
Países PCT: Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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