SUPERCONDUCTIVIDAD EN SISTEMAS DE COMPONENTE DE FORMA PLANA.
SE DESCRIBE UNA COMPOSICION SUPRCONDUCTORA COMPRENDIENDO UN COMPLEJO OXIDO DE LA FORMULA [LA - X MX]A AB OX DONDE "L" ES ESCANDIO,
ITRIO, LANTANO, CENIO, PRASEODIMIO, NEODMIO, SAMARIO, EUROPIO, GEDOLINIO, TERBIO, DISPROSIO, HOLMIO, ERBIO, TULIO, ITERBIO, LUTECIO O UNA COMBINACION DE ELLOS, "M" ES BARIO, ESTRONCIO, CALCIO, MAGNESIO, MERCURIO O UNA COMBINACION DE ELLOS, CON TAL QUE CUANDO "L" ES LANTANO "M" NO ES BARIO; "A" ES COBRE, BISMUTO, TITANIO, TUNGSTENO, ZIRCONIO, TANTALO, MIOBIO, VANADIO O UNA COMBINACION DE ELLOS, "X" ES DESDE 0.01 HASTA 1.0 APROXIMADAMENTE; "A" ES DE 1 A 2; "L" ES 1; "Y" ES DE 2 A 4. LOS COMPLEJOS OXIDOS DEL INVENTO ESTAN PREPARADOS POR UN PROCEDIMIENTO DE REACCION DE ESTADO SOLIDO QUE PRODUCE COMPLEJOS OXIDOS QUE TIENEN TEMPERATURAS DE TRANSICION SUPERCONDUCTORAS REALZADAS COMPARADA A UN COMPLEJO OXIDO CON SIMILAR COMPOSICION EMPIRICA PREPARADA POR UN PROCEDIMIENTO DE DESCOMPOSICION DE CO - PRECIPITACION DE ALTA TEMPERATURA.CON EL COMPLEJO OXIDO PREPARADO POR LA REACCION EN ESTADO SOLIDO DEL INVENTO HA SIDO OBSERVADA UNA TEMPERATURA DE TRASMISION TAN ALTA COMO DE 100 K INCLUSO BAJO LA PRESION ATMOSFERICA. TAMBIEN SE REVELA UN METODO PARA CONCLUIR UNA FUENTE ELECTRICA USANDO UN COMPLEJO OXIDO DESCRITO AMITA COMO MATERIAL CONDUCTOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSITY OF HOUSTON.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: UNIVERSITY PARK, 4800 CALHOUN ROAD,HOUSTON, TEXAS 77004.
Inventor/es: CHU, CHUNG.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 25 de Enero de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L39/12 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › caracterizados por el material.
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