APARATO LASER RAMAN DE ENFOQUE MULTIPLE HACIA ATRAS.
SE EXPONE UN APARATO LASER RAMAN (10) PARA PRODUCIR UN RAYO DE SALIDA DE ALTA ENERGIA (38) CON DIVERGENCIA BAJA.
UN RAYO DE BOMBA OPTICA (14) PROPAGA A TRAVES DE UN PRIMER Y SEGUNDO ENFOQUES (34, 36), DENTRO DE UNA CELULA (16) QUE CONTIENE UN MEDIO GASEOSO RAMAN (20) A UNA PRESION SELECCIONADA PARA PROMOVER LA DISPERSION RAMAN ESTIMULADA (SRS) Y SUPRIME LA DISPERSION BRILLOUIN ESTIMULADA (SBS). EL RAYO BOMBA (14) GENERA UNA ONDA SRS HACIA ATRAS EN EL SEGUNDO ENFOQUE (36), QUE SE PROPAGA HACIA ATRAS A TRAVES DEL PRIMER ENFOQUE (34) Y ACTUA COMO EL ORIGEN DE LA ONDA SRS HACIA ATRAS DEL MISMO. ESTA ONDA SRS SE AMPLIFICA EN EL PRIMER ENFOQUE (34), Y SE EXTRAE DE ALLI COMO RAYO DE SALIDA (38) POR MEDIOS DE SALIDA (40). CUALQUIER ONDA SRS HACIA ADELANTE QUE SE GENERA TANTO EN EL PRIMERO (34) COMO EN EL SEGUNDO ENFOQUE (36) PODRA REFLEJARSE HACIA ATRAS (42) A TRAVES DEL SEGUNDO ENFOQUE (36) Y DESPUES A TRAVES DEL PRIMER ENFOQUE (34) PARA DESPUES AUMENTAR EL RAYO DE ORIGEN SRS HACIA ATRAS EN EL PRIMER ENFOQUE (34). EL RAYO DE SALIDA (38) SE REFLEJA HACIA ATRAS, Y TIENE UNA DIVERGENCIA COMPARABLE CON LA DEL RAYO DE BOMBA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HUGHES AIRCRAFT COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 7200 HUGHES TERRACE P.O. BOX 45066,LOS ANGELES, CALIFORNIA 90045-.
Inventor/es: STULTZ, ROBERT D., DEWHIRST, DONALD R.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Octubre de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S3/30 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › utilizando efectos de difusión, p. ej. efecto Brillouin o Raman estimulado.
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