PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO EN ESTADO SOLIDO.
EL SELLADO DEL LADO POSTERIOR DE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA IMPIDE LA EVAPORACION DEL DOPANTE (NORMALMENTE BORO) CUANDO SE DESARROLLA UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE EL LADO FRONTAL (ACTIVO),
EVITANDO CON ELLO EL AUTODOPADO DE LA CAPA EPITAXIAL CON DOPANTE EN EXCESO. LA PRESENTE TECNICA DEPOSITA UNA CAPA DE OXIDO DURANTE EL PERIODO DE SUBIDA DE LA TEMPERATURA DEL HORNO, DURANTE EL CUAL SE DEPOSITA ASIMISMO LA CAPERUZA DE NITRURO, EVITANDO CON ELLO UNA ETAPA DE PROCESO EXTRA. IGUALMENTE, SE EVITAN LAS MAYORES TEMPERATURAS REQUERIDAS EN LAS TECNICAS CONOCIDAS DE DESARROLLO DE LA CAPA DE OXIDO, LO CUAL SE TRADUCE EN UNA MENOR PRECIPITACION DE OXIGENO DERIVADA DEL PROCESO DE FORMACION DE LA CAPERUZA Y EN UN MAYOR RENDIMIENTO DE LAMINAS UTILIZABLES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, N.Y. 10022.
Inventor/es: KOZE, JEFFREY THOMAS.
Fecha de Solicitud: 4 de Mayo de 1987.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 15 de Noviembre de 1988.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/314 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
- H01L21/318 H01L 21/00 […] › compuestas de nitruros.
- H01L21/322 H01L 21/00 […] › para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
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