METODO DE DEPOSITAR UNA ALEACCION SEMICONDUCTORA, AMORFA, DEL TIPO P.
METODO DE DEPOSITAR UNA ALEACION SEMICONDUCTORE, AMORFA, DEL TIPO P.
CONSISTE EN HABILITAR CAMARAS DE VACIO (28, 30, 32); SOMETER A VACIO A LAS CAMARAS HASTA UNA PRESION DE 10C2 TORR; HABILITAR UN SUSTRATO (11); CALENTAR EL SUSTRATO HASTA UNA TEMPERATURA DE DEPOSICION DE 150 A 300JC; APLICAR UN CAMPO ELECTROMAGNETICO (38) UTILIZANDO UNA RADIOFRECUENCIA DE 13,56 MHZ A FIN DE ESTABLECER UNA DESCARGA LUMINOSA DE EFLUVIOS EN UNA MEZCLA GASEOSA QUE INCLUYE AL MENOS UN GAS PRECURSOR DE SEMICONDUCTOR; E INTRODUCIR UNA FUENTE GASEOSA (36) DE BORO COMINADA CON UNA FUENTE DE UN HALOGENO Y UN PSEUDOHALOGENO, INCORPORANDOSE MONOATOMICAMENTE UN 1,9% ATOMICO DE BORO EN LA ALEACION SEMICONDUCTORA A MEDIDA QUE SE VA DEPOSITANDO DICHA ALEACION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SOVONICS SOLAR SYSTEMS.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 6180 COCHRAN ROAD,SOLON,OHIO 44139.
Fecha de Solicitud: 4 de Noviembre de 1985.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 13 de Noviembre de 1986.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G03G5/082 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03G ELECTROGRAFIA; ELECTROFOTOGRAFIA; MAGNETOGRAFIA (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; memorias estáticas con medios para escribir o leer informaciones G11C; registro de señales de televisión H04N 5/76). › G03G 5/00 Organos de registro para registro original por exposición, p. ej. a la luz, al calor, a los electrones; Fabricación para este efecto; Empleo de materiales especificados con este fin (superficies de registro para aparatos de medida G01D 15/34; materiales fotosensibles para la fotografía G03C). › y no incorporado en un material de unión, p. ej. depositado en vacío.
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