PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR UN APARATO FORMADOR DE PELICULAS SEMICONDUCTORAS DELGADAS DE SILICIO.

Un procedimiento de lavado de un aparato de fabricación de células solares provisto de una cámara de formación de película

(4, 5, 6) que comprende piezas internas y una bandeja (42) que tiene un sustrato (13) montado en la misma, a una parte del cual está unido un material semiconductor, en el que las piezas internas de la cámara de formación de película y la parte de la bandeja a la que está unido un material semiconductor están formadas por piezas desmontables, estando una pluralidad de las piezas desmontables sustentadas por una herramienta, sumergiéndose simultáneamente la herramienta y las piezas desmontables sustentadas en un agente de grabado alcalino para realizar el grabado, retirando así el material semiconductor unido a las piezas internas de la cámara de formación de película (4, 5, 6) y el material semiconductor unido a la bandeja (42); lavándose la herramienta y las piezas sustentadas con un detergente líquido acuoso después de terminar el grabado y secándose la herramienta ylas piezas desmontables lavadas.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: KANEKA CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-4, NAKANOSHIMA 3-CHOME, KITA-KU,OSAKA-SHI, OSAKA 530-8288.

Inventor/es: KONDO, MASATAKA, NISHIO, HITOSHI, YAMAGISHI,HIDEO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 22 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 25 de Julio de 2007.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L21/00 (Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/20 (comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/54 (Aparatos especialmente adaptados para el revestimiento en continuo)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/205 (utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/20 (Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/46 (por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

google+ twitter facebookPin it
PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR UN APARATO FORMADOR DE PELICULAS SEMICONDUCTORAS DELGADAS DE SILICIO.