ELEMENTO SEMICONDUCTOR AMORFO.
Elemento semiconductor amorfo que incluye un material semiconductor amorfo inicialmente de pares aislados que tiene órbitas formadas en una matriz de recepción amorfa sólida que presenta configuraciones estructurales localizadas en lugar de extensas y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo,
energético y una energía de activación eléctrica importante, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene unas órbitas que interactúan con las órbitas de la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo energético estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa, reduciendo sustancialmente la energía de activación eléctrica de la misma y, por tanto, aumentando sustancialmente la conductividad eléctrica del elemento semiconductor a temperatura igual o superior a la temperatura ambiente, controlando él grado de adición de material modificador la gama de conductividad eléctrica.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Fecha de Solicitud: 17 de Mayo de 1978.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 15 de Junio de 1979.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/04 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
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