DISPOSITIVO DE IMAGENES DE RECUENTO DE FOTONES.

Dispositivo de imágenes de recuento de fotones (50) para un recuento único de rayos x que comprende:



a) una capa de material fotosensible (4);

b) una fuente de potencial de polarización (12);

c) una fuente para el suministro de la tensión de umbral (Ut);

d) un array NxM de diodos fotodetectores (2) dispuestos en dicha capa de material fotosensible (4); cada uno de dichos diodos fotodetectores (2) tienen un interfaz de potencial de polarización y un interfaz de salida de diodo (20), dicho interfaz de potencial de polarización de cada diodo fotodetector (2) se conecta a dicho potencial de polarizador (12);

e) un array NxM de células de unidad de lectura (18, 36), de bajo ruido con ganancia elevada una célula de unidad de lectura (18, 36) para cada diodo fotodetector (2);

f) cada célula de unidad lectura (18, 36) que incluye un interfaz de entrada (22) conectado con el interfaz de salida de diodo (22), un medio de amplificación de la tensión de ganancia elevada (46) que abarca una unidad de comparador (CA), una unidad digital de recuento (48), que comprende un contador digital (sec), y un interfaz de salida del contador digital (RBO) conectado en serie, cada unidad digital de recuento (48) cuenta con una señal de salida de la unidad de comparador (CA); dicha señal de salida es proporcional a un número de pares de electrones/huecos (10) generados por un fotón (6) en el diodo fotodetector respectivo (2);

g) un medio de multiplexación (MM), que comprende un circuito de selección de línea (RS) y un circuito de selección de columna (CS) que hace posible acceder a cada unidad de célula de lectura, es decir, para leer los datos digitales que actualmente se memorizan en el contador digital (RSC), en el interfaz de salida del contador digital;

h) cada interfaz de salida del contador digital (RBO) se conecta a un bus de salida;

i) dicho bus de salida se conecta a un medio de tratamiento de datos (DPM) que controla el medio de multiplexado (MM)

Tipo: Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: W03008886EP.

Solicitante: PAUL SCHERRER INSTITUT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIEMENS AG, POSTFACH 22 16 34,80506 MUNCHEN.

Inventor/es: SCHMITT, BERND, BRONNIMANN,CHRISTIAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 27 de Mayo de 2009.

Clasificación PCT:

  • G01T1/00 FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01T MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X (análisis de materiales por radiaciones, espectrometría de masas G01N 23/00; tubos para determinar la presencia, intensidad, densidad o energía de una radiación o de partículas H01J 47/00). › Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas (G01T 3/00, G01T 5/00 tienen prioridad).
  • H01L27/146 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H01L31/115 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.

Clasificación antigua:

  • G01T1/00 G01T […] › Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas (G01T 3/00, G01T 5/00 tienen prioridad).
  • H01L27/146 H01L 27/00 […] › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H01L31/115 H01L 31/00 […] › Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
DISPOSITIVO DE IMAGENES DE RECUENTO DE FOTONES.

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