Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.

Un dispositivo detector de radiación semiconductor, que comprende una capa de volumen

(103) de material semiconductor, y sobre una primera superficie de la capa de volumen (103) en el siguiente orden:

- una capa de compuerta interna modificada (104, 304) de semiconductor del segundo tipo de conductividad,

- una capa de barrera (105) de semiconductor del primer tipo de conductividad y

- dopadores de pixel (111, 112, 1331, 1332, 1333, 1334, 2206) de semiconductor del segundo tipo de conductividad, adaptados para ser acoplados a por lo menos un pixel de voltaje, con el objeto de crear los pixeles que corresponden a los dopadores de pixel, caracterizado porque:

- el dispositivo comprende un primer contacto de un primer tipo de conductividad, dicho pixel de voltaje siendo definido como una diferencia de potencial entre el dopador de pixel y el primer contacto,

- la capa de volumen (103) es del primer tipo de conductividad, y

- el dispositivo no comprende, sobre una segunda superficie de la capa de volumen (103) opuesta a la primera superficie, una capa del lado posterior conductora que podría transportar las cargas secundarias fuera del área activa del dispositivo, y en el que

- las cargas secundarias se recogen mediante al menos uno de los siguientes: un área de retén de canal (121, 122, 123, 124, 125) entre pixeles, un contacto (725) de volumen.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2006/000058.

Solicitante: AUROLA, ARTTO.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: OTTAKALLIO 1 A 7 02150 ESPOO FINLANDIA.

Inventor/es: AUROLA,ARTTO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes... > H01L27/146 (Estructuras de captadores de imágenes)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes... > H01L27/148 (Captadores de imágenes por acoplamiento de carga)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/109 (siendo la barrera de potencial del tipo PN a heterounión)

PDF original: ES-2551480_T3.pdf

 

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