APARATO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS RECUBIERTAS CON UNA PELICULA CONDUCTORA.
APARATO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS RECUBIERTAS CON CINTA METALICA CONDUCTORA.
LA INVENCION PROPORCIONA UN APARATO NUEVO PARA LA FABRICACION DE PIEZAS ELECTRONICAS QUE INCORPORAN CADA UNA DE ELLAS UNA PLURALIDAD DE HILOS DE PLOMO TOTALMENTE RECUBIERTOS CON CINTA METALICA CONDUCTORA TALES COMO FILTROS ANTIPARASITARIOS. UN SOPORTE GIRATORIO SE TRASFIERE INTERMITENTEMENTE DE LA PRIMERA ESTACION DE TRABAJO A LA SEPTIMA ESTACION DE TRABAJO EN EL ESTADO EN EL QUE UNA UNIDAD DE SUJECION EN EL SOPORTE GIRATORIO RETIENE UN ELEMENTO DE HILO DE PLOMO DE UNIDAD INDIVIDUAL. LAS ESTACIONES DE TRABAJO RESPECTIVAS ENLAZAN UN HILO DE PLOMO, MIENTRAS QUE LOS RESTANTES HILOS DE PLOMO SE UNEN CON CINTAS METALICAS CONDUCTORAS VIA UN PROCESO DE SOLDADURA ELECTRICA POR PUNTOS Y, A CONTINUACION, SE RECUBREN TOTALMENTE ESTOS HILOS DE PLOMO CON CINTAS METALICAS CONDUCTORAS. DESPUES, SE VUELVE A PONER EL HILO DE PLOMO PREDETERMINADO EN SU POSTURA INICIAL Y, A CONTINUACION, LOS HILOS DE PLOMO SE RECUBREN TOTALMENTE CON CINTAS AISLANTES. DE ESTA FORMA, SE PROCESAN CORRECTAMENTE TODOS LOS HILOS DE PLOMO PARA QUE SE PUEDAN INTEGRAR EN UNA ALINEACION PERFECTA A DISTANCIAS CONSTANTES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: HITACHI ZOSEN CORPORATION
IKEDA, TAKESHI.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 3-28, NISHIKUJO 5-CHOME,KONOHANA-KU, OSAKA 554.
Inventor/es: NAKAO, AKIRA, IKEDA, TAKESHI, ENDO, TOYOFUSA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 17 de Enero de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01G13/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01G CONDENSADORES; CONDENSADORES, RECTIFICADORES, DETECTORES, CONMUTADORES O DISPOSITIVOS FOTOSENSIBLES O SENSIBLES A LA TEMPERATURA, DEL TIPO ELECTROLITICO (empleo de materiales especificados por sus propiedades dieléctricas H01B 3/00; condensadores con una barrera de potencial o una barrera de superficie H01L 29/00). › H01G 13/00 Aparatos especialmente adaptados para fabricar condensadores; Procesos especialmente adaptados a la fabricación de condensadores no previstos en los grupos H01G 4/00 - H01G 11/00. › Máquinas para bobinar condensadores.
- H01L21/00 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
- H03H1/00 H […] › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03H REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES (medidas, ensayos G01R; disposiciones para producir una reverberación sonora o un eco G10K 15/08; redes de impedancia o resonadores que se componen de impedancias distribuidas, p. ej. del tipo guía de ondas, H01P; control de la amplificación, p. ej. control del ancho de banda de los amplificadores, H03G; sintonización de circuitos resonantes, p. ej. sintonización de circuitos resonantes acoplados, H03J; redes para modificar las características de frecuencia de sistemas de comunicación H04B). › Detalles de realización de redes de impedancia cuya forma de funcionamiento eléctrico no está especificado o es aplicable a más de un tipo de red (detalles constructivos de transductores electromecánicos H03H 9/00).
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]
Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]
Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]
Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]
Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]
Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]