7 inventos, patentes y modelos de BAUER, STEFAN

  1. 1.-

    Dispositivo de visualización para campos visuales de un vehículo industrial

    (07/2015)

    Dispositivo de visualización para campos visuales legalmente prescritos de un vehículo industrial en una cabina de conductor del vehículo industrial, que incluye al menos una unidad de registro , una unidad de cálculo y al menos una unidad de visualización , en donde el dispositivo de visualización está adaptado para procesar la información registrada por la al menos una unidad de registro mediante la unidad de cálculo y retransmitirla a la al menos una unidad de visualización de modo que al menos dos de los campos visuales legalmente prescritos durante la marcha para la visualización...

  2. 2.-

    Oligorribonucleótidos inmunoestimulantes que contienen G y U

    (06/2015)

    Una composición inmunoestimulante, que comprende: un oligómero de ARN aislado con una longitud de 5-40 nucleótidos que tiene una secuencia de bases que comprende al menos un 60 % de guanina (G) y uracilo (U), en la que la secuencia de bases está libre de dinucleótidos CpG; y un lípido catiónico.

  3. 3.-

    Rodillo regulable en temperatura

    (07/2012)

    RodiIlo o cilindro de una maquina impresora y/o una maquina de conversión y/o una máquina delacado, que comprende al menos un cuerpo de rodillo o un cuerpo de cilindro , en el que el cuerpo de rodillo o el cuerpo de cilindro presenta un cilindro hueco exterior completamente metalico y al menos un elemento interior, que esta formado al menos parcialmente por un metal esponjado, caracterizado porque una estructura delmetal esponjado es de poros abiertos, y a traves de ella fluye y/o puede fluir un liquido de regulacion de latemperatura, y porque mas del 40 % de los poros de la estructura de poros abiertos estan abiertos y a través deellos fluye y/o puede fluir un liquido.

  4. 4.-

    OXIDO MULTIMETALICO, QUE CONTIENE OXIDO DE PLATA Y OXIDO DE VANADIO Y SU EMPLEO.

    (02/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: BASF AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: C07C51/265, C01G31/00, C01G1/00, B01J23/68.

    Oxido multimetálico de la fórmula general I Aga·bMbV2Ox * c H2O, I en la cual M significa un metal escogido del grupo, que comprende Li, Na, K, Rb, Cs, Tl, Mg, Ca, Sr, Ba, Cu, Zn, Cd, Pb, Cr, Au, Al, Fe, Co, Ni y/o Mo, a tiene un valor de 0, 3 hasta 1, 9, y b tiene un valor de 0 hasta 0, 5, con la condición, que la diferencia (a-b) sea a 0, 1, y c tiene un valor de 0 hasta 20, y x significa un número, que se determina por la valencia y la frecuencia de los elementos en la fórmula I, que está presente en la estructura cristalina, que arroja un diagrama de rayos X de polvo, que tiene reflejos de difracción en las distancias reticulares cristalinas d 15, 23 0, 6, 12, 16 0, 4, 10, 68 0, 3, 3, 41 0, 04, 3, 09 0, 04, 3, 02 0, 04, 2, 36 0, 04 y 1, 80 0, 04 Å.

  5. 5.-

    CATALIZADORES DE ENVOLTURA DE VARIAS CAPAS PARA LA OXIDACION EN FASE GASEOSA DE HIDROCARBUROS AROMATICOS.

    (02/2004)

    Catalizador de envoltura para la oxidación en fase gaseosa catalítica de hidrocarburos aromáticos, que contiene sobre un portador inerte no poroso una masa catalíticamente activa con un contenido, respectivamente referido sobre la totalidad de la cantidad de la masa catalíticamente activa, de un 1 hasta un 40 % en peso de óxido de vanadio, calculado como V2O5, un 60 hasta un 99 % en peso de óxido de titanio, calculado como TiO2, hasta un 1 % en peso de un compuesto de cesio, calculado como cesio, hasta un 1 % en peso de un compuesto de fósforo, calculado como P y con un contenido total de mayor 2que un 0 hasta un 10 % en peso de óxido de antimonio, calculado como Sb2O3,...

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO CVD-PLASMA Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA SI:H MICROCRISTALINA.

    (09/2003)
    Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Clasificación: H01L31/075, H01L31/04, C23C16/24, H01L21/205, C23C16/56, C23C16/515.

    Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.

  7. 7.-

    DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA EL CONTROL DE PROCESOS EN UN SISTEMA DE ORDENADOR.

    (04/2002)
    Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Clasificación: G06F9/46.

    Sistema de ordenador para la ejecución en paralelo de varios procesos, con un recurso escaso R, al que acceden los procesos a ejecutar, que presenta: - un primer dispositivo para calcular un nivel de utilización de la capacidad C del recurso R, - un segundo dispositivo para la determinación de una responsabilidad de carga LR de un proceso que accede al recurso R, - un tercer dispositivo para el retraso de un proceso que accede al Recurso R en función del nivel de utilización de la capacidad C, de un nivel de utilización crítico de la capacidad Ccrit del recurso R y de la responsabilidad LR del proceso.