Célula solar y método de producción de la misma.
Célula solar (110) que comprende:
un sustrato semiconductor (113) de un primer tipo de conductividad en el que una de las superficies principales es una superficie de recepción de luz,
la otra superficie principal es un lado posterior, y el lado posterior del sustrato semiconductor tiene una región del primer tipo de conductividad y una región de un segundo tipo de conductividad, siendo un tipo de conductividad opuesto al primer tipo de conductividad;
un primer electrodo de dedo que incluye: una primera parte de contacto (126) unida a la región (120) del primer tipo de conductividad; y un primer colector de corriente (135), estando formada al menos una parte del primer colector de corriente en la primera parte de contacto;
un segundo electrodo de dedo que incluye: una segunda parte de contacto (127) unida a la región (121) del segundo tipo de conductividad; y un segundo colector de corriente (136), estando formada al menos una parte del segundo colector de corriente en la segunda parte de contacto;
estando un primer electrodo de barra de conexión (137) en contacto eléctrico con el primer colector de corriente;
estando un segundo electrodo de barra de conexión (138) en contacto eléctrico con el segundo colector de corriente; y
una película aislante (124, 125) dispuesta al menos en el área completa justo debajo del primer electrodo de barra de conexión y el segundo electrodo de barra de conexión;
donde el contacto eléctrico entre el primer colector de corriente (135) y el primer electrodo de barra de conexión (137), así como el contacto eléctrico entre el segundo colector de corriente (136) y el segundo electrodo de barra de conexión (138) se realizan sobre la película aislante; y
la primera parte de contacto (126) y la segunda parte de contacto (127) son cada una en forma de línea continua al menos justo debajo de la película aislante.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2015/003326.
Solicitante: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD..
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 6-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0004 JAPON.
Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI, MATSUO,YOKO.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0224 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
PDF original: ES-2767530_T3.pdf
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