Películas anti-reflectantes conductoras.

Un método de aplicación de una película conductora transparente sobre un sustrato polimérico que tiene una textura en él,

comprendiendo dicho método en las etapas de:

a) proporcionar un material polimérico que tiene una textura dispuesta en él; y

b) aplicar con conformación un material conductor transparente sobre el material polimérico para producir una película conductora transparente conformada encima;

donde la película conductora transparente conformada tiene una textura que corresponde a la textura del material polimérico y donde la textura tiene un período que no es superior a la longitud de onda de la luz visible, en virtud de lo cual la película conductora transparente conformada es anti-reflectante.

caracterizado por que el material polimérico está modificado para crear la textura en él a través de un método que comprende las etapas de:

a) proporcionar una mezcla madre de alúmina porosa que tiene una pluralidad de poros dispersados en ella; correspondiendo dicha pluralidad de poros a las proyecciones que han de impartirse en la superficie del material de moldeo polimérico

b) disponer el material de moldeo polimérico entre una película transparente y la mezcla madre de alúmina porosa, y

c) aplicar presión mecánica para laminar la mezcla madre de alúmina porosa en el material de moldeo polimérico,

donde la textura impartida al material de moldeo polimérico comprende proyecciones que corresponden a los poros de la mezcla madre de alúmina porosa

donde la mezcla madre de alúmina porosa se prepara a través de un proceso que comprende las siguientes etapas:

a) realizar una anodización de primera etapa sobre un sustrato de aluminio;

b) grabar con óxido el sustrato de alúmina;

c) realizar una anodización de segunda etapa; y

d) realizar un tratamiento de expansión de poro,

donde se crean poros cilíndricos en la mezcla madre de alúmina porosa.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2012/059222.

Solicitante: MACDERMID AUTOTYPE LIMITED.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: Grove Road Wantage, Oxon OX12 7BZ REINO UNIDO.

Inventor/es: HUBBARD,GRAHAM J, PARSONS,KEITH P, WRIGHT,TIMOTHY N.

Fecha de Publicación: 21 de Febrero de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C14/08 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › Oxidos (C23C 14/10 tiene prioridad).
G02B1/118 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 1/00 Elementos ópticos caracterizados por la sustancia de la que están hechos (composiciones de vidrios ópticos C03C 3/00 ); Revestimientos ópticos para elementos ópticos. › que tienen estructuras superficiales de longitud de onda subóptica diseñadas para proporcionar una transmitancia mejorada, p. ej. estructuras de ojo de polilla o nanoestructuradas.
H01L31/0236 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Texturas de superficie particulares.
H01L31/0392 H01L 31/00 […] › comprendiendo películas delgadas depositadas sobre sustratos metálicos o aislantes.

PDF original: ES-2664607_T3.pdf

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente, del 15 de Julio de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición […]

Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma, del 1 de Julio de 2020, de Flexucell ApS: Un transductor fotoeléctrico que comprende: un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie […]

Dispositivos nanoestructurados, del 10 de Junio de 2020, de Advanced Silicon Group Technologies, LLC: Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y una región […]

Dispositivos nanoestructurados, del 8 de Enero de 2020, de Bandgap Engineering, Inc: Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región […]

Vidrio texturado para invernaderos y proceso de fabricación asociado, del 25 de Junio de 2019, de SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE: Lámina transparente que comprende una textura en relieve sobre una primera de sus caras principales, caracterizada porque si n es el índice de refracción […]

Procedimiento de texturización de la superficie de un sustrato de silicio y sustrato de silicio texturizado para célula solar, del 12 de Junio de 2019, de TOTAL S.A.: Procedimiento de texturizacion de la superficie de un sustrato de silicio en fase gaseosa, que comprende al menos una etapa a) de exposicion […]

Método de texturización de las superficies de obleas de silicio, del 29 de Octubre de 2018, de UNIVERSITAT KONSTANZ: Método para la texturización de las superficies de obleas de silicio, que comprende las etapas de inmersión de la oblea de silicio en una solución […]

Célula solar de película delgada, del 25 de Abril de 2018, de University Court of The University of St Andrews: Una célula solar que tiene una película delgada de material activo en la que están definidas una serie o una matriz de células de difracción, en la que: cada célula de […]