Disposición de sensor y procedimiento para formación de imágenes digitales por escaneado.
Una disposición de sensor para formación de imágenes digitales por escaneado de un objeto utilizando un haz de radiación electromagnética más estrecho que el objeto,
en particular, para utilizar en relación con un equipo de mamografía, comprendiendo la disposición:
un elemento de absorción de radiación que incluye, o en el que está integrado material que transforma cuantos de radiación en pares electrón-hueco,
electrodos de píxel (P1, P2, P3) en una superficie opuesta a la superficie de recepción de radiación de dicho elemento, o medios correspondientes para dividir el elemento en píxeles,
contadores (C) que están conectados a dichos electrodos de píxel (P1, P2, P3) o a los correspondientes medios, para contar pulsos recibidos desde los mismos,
caracterizada por que
la disposición comprende medios de conmutación específicos por contador (Sm) que están dispuestos entre los contadores (C) y los electrodos de píxel (P1, P2, P3), de tal modo que
en la dirección de escaneado del sensor se obtienen estructuras sucesivas donde un contador (C) y un medio de conmutación específico por contador (Sm) están dispuestos para cada N electrodos de píxel sucesivos (P1, P2, P3),
siendo N un entero cuyo valor es de por lo menos dos,
estando conectados a los medios de conmutación específicos por contador (Sm) conjuntos de electrodos de píxel (P1, P2, P3) que consisten en 2N-1 electrodos de píxel sucesivos (P), de tal modo que de cada conjunto,
los electrodos de píxel más centrales (P2) están conectados a solamente un medio de conmutación específico por contador (Sm),
los electrodos de píxel (P1) anteriores a dichos electrodos de píxel más centrales (P2) están dispuestos de manera conectable a dicho un medio de conmutación específico por contador (Sm) y al que le precede, y
los electrodos de píxel (P3) posteriores a dichos electrodos de píxel más centrales (P2) están dispuestos de manera conectable a dicho medio de conmutación específico por contador (Sm) y al que le sigue.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FI2002/000945.
Solicitante: Planmed OY.
Nacionalidad solicitante: Finlandia.
Dirección: ASENTAJANKATU 6 00880 HELSINKI FINLANDIA.
Inventor/es: STRÖMMER,PEKKA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- A61B6/00 NECESIDADES CORRIENTES DE LA VIDA. › A61 CIENCIAS MEDICAS O VETERINARIAS; HIGIENE. › A61B DIAGNOSTICO; CIRUGIA; IDENTIFICACION (análisis de material biológico G01N, p.ej. G01N 33/48). › Aparatos de diagnóstico por radiación, p. ej. combinados con el equipo de radioterapia (instrumentos para la medida de la intensidad de la radiación de aplicación en el campo de la medicina nuclear, p. ej. en vivo cómputo, G01T 1/161; aparatos para la toma de fotografías de rayos X G03B 42/02).
- G01T1/24 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01T MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X (análisis de materiales por radiaciones, espectrometría de masas G01N 23/00; tubos para determinar la presencia, intensidad, densidad o energía de una radiación o de partículas H01J 47/00). › G01T 1/00 Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas (G01T 3/00, G01T 5/00 tienen prioridad). › con detectores de semiconductores.
- G01T1/29 G01T 1/00 […] › Medida efectuada sobre haces de radiaciones, p. ej. sobre la posición o la sección del haz; Medida de la distribución espacial de radiaciones.
- H01L27/14 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).
- H04N5/32 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS. › H04N TRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION. › H04N 5/00 Detalles de los sistemas de televisión (Detalles de los dispositivos de análisis o sus combinaciones con la producción de la tensión de alimentación H04N 3/00). › Transformación de rayos X.
PDF original: ES-2658821_T3.pdf
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