METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES.

EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO PRELIMINAR DE LA SUPERFICIE EN PLAMA-SUSTANCIA DE CARBONO-HALOGENOS ANTES DE LA COLOCACION DE LAS CAPAS DE PASIVACION Y AISLAMIENTO.

LOS ELEMENTOS GENERADOS TIENEN UN MEJOR VALOR ELECTRICO QUE LOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SIN EL TRATAMIENTO PRELIMINAR, CONCRETAMENTE PRESENTAN UNA CORRIENTE DE BLOQUEO MENOR (CORRIENTE OSCURA).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT
ALCATEL N.V.
.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: LORENZSTRASSE 10,D-70435 STUTTGART.

Inventor/es: BOUAYAD-AMINE, JAMAL, KUEBART, WOLFGANG, SCHERB, JOACHIM.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 23 de Abril de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/311 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado de las capas aislantes.
  • H01L21/316 H01L 21/00 […] › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
  • H01L21/318 H01L 21/00 […] › compuestas de nitruros.
  • H01L31/18 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

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