CIP-2021 : H01L 43/12 : Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos.

CIP-2021HH01H01LH01L 43/00H01L 43/12[1] › Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 43/12 · Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa y dispositivo magneto-electrónico.

(08/11/2017) Un método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa, comprendiendo el método: depositar una estructura multicapa que incluye al menos dos capas ferromagnéticas dispuestas una en la parte superior de la otra y que tiene cada una de ellas una anisotropía magnética con un momento magnético correspondiente, en donde cada una de las dos capas ferromagnéticas de las al menos dos capas ferromagnéticas son separadas por una capa no magnética respectiva, y en donde cada una de las capas ferromagnéticas es depositada en un ángulo azimutal respectivo con respecto a una dirección de referencia que…

DISPOSITIVO SENSOR DE CAMPO MAGNETICO.

(01/03/1997). Ver ilustración. Solicitante/s: ALCATEL STANDARD ELECTRICA, S.A.. Inventor/es: SANCHEZ SANCHEZ,PEDRO, SANCHEZ TRUJILLO,M. DEL CARMEN, LOPEZ PEREZ,ELOISA, TAMAYO LOPEZ, BRAULIO, HERNANDEZ CARBONERO, MIGUEL, SEMPERE HERNANDEZ, FRANCISCO, AROCA HERNANEZ-ROS, CLAUDIO.

DISPOSITIVO SENSOR DE CAMPO MAGNETICO. DEL TIPO BASADO EN TECNOLOGIA DE "NUCLEO SATURADO" Y DETECCION DEL SEGUNDO ARMONICO, QUE COMPRENDE UN OSCILADOR MAESTRO UTILIZADO COMO REFERENCIA DE UN GENERADOR PARA LA GENERACION DE DOS SEÑALES DE FRECUENCIA BASICA DE FUNCIONAMIENTO Y DE FRECUENCIA DOBLE RESPECTIVAMENTE. LA PRIMERA ES AMPLIFICADA EN UN ELEVADOR DE POTENCIA PARA EXCITAR LA BOBINA IMANADORA DE UNA CABEZA SENSORA . LA SEÑAL DE SALIDA DE LA BOBINA SENSORA ES FILTRADA EN UN FILTRO PASO BANDA , DEL TIPO DE CONDENSADORES CONMUTADOS PARA ENVIARLA POSTERIORMENTE A UN DETECTOR DE FASE QUE RECIBE ADEMAS LA SEÑAL DE FRECUENCIA DOBLE PROCEDENTE DEL GENERADOR . LA SEÑAL OBTENIDA POR DICHO DETECTOR DE FASE SE ENVIA A UN FILTRO PASO BAJO CUYA SEÑAL DE SALIDA ES PROPORCIONAL AL CAMPO MAGNETICO DETECTADO. DISPONE ADEMAS DE UN BLOQUE DE COMUNICACIONES Y DE UN BLOQUE DE AUTOCALIBRADO PARA LA TRANSMISION DE DATOS A UN PUNTO REMOTO, Y CALIBRADO Y COMPROBACION TAMBIEN DESDE UN PUNTO REMOTO.

DISPOSITIVO MAGNETOMETRICO DE TECNOLOGIA PLANAR Y PROCESO DE FABRICACION.

(16/12/1995) DISPOSITIVO MAGNETOMETRICO DE TECNOLOGIA PLANAR Y PROCESO DE FABRICACION. APLICABLE PARA OBTENER SENSORES MAGNETOMETRICOS DE TIPO NUCLEO-SATURADO (FLUX-GATE), TENIENDO POR OBJETO REDUCIR EL TAMAÑO DE LOS SENSORES Y PERMITIR LA INCLUSION EN SU ESTRUCTURA DE LA ELECTRONICA ASOCIADA. EL SENSOR CUENTA CON UNA CAPA O SUSTRATO SOBRE EL QUE ESTAN SUPERPUESTAS POR SUS DOS CARAS SENDAS CAPAS CONDUCTORAS , QUE CONSTITUYEN BOBINAS PLANAS ESPIRALES, QUE A SU VEZ ESTAN CUBIERTAS POR UNA CAPA AISLANTE A LA QUE SIGUE UNA CAPA CONDUCTORA , QUE CONSTITUYE LAS PISTAS DE CONEXIONADO, SOBRE LAS QUE SE SUPERPONE UNA CAPA AISLANTE QUE VA SEGUIDA DE UNA CAPA MAGNETICA , A CONTINUACION DE LAS CUALES SE REPITEN LAS CAPAS EN ORDEN INVERSO, DE MANERA QUE AL HACER CIRCULAR POR LAS CAPAS CONDUCTORAS , ENTRE LAS QUE QUEDA UBICADO UN NUCLEO MAGNETICO , CORRIENTES ALTERNAS…

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .