CIP-2021 : H01L 39/22 : Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes,

p. ej. dispositivos de efecto Josephson.

CIP-2021HH01H01LH01L 39/00H01L 39/22[1] › Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes, p. ej. dispositivos de efecto Josephson.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00).

H01L 39/22 · Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes, p. ej. dispositivos de efecto Josephson.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Contacto de Josephson en etapas reproducible.

(30/12/2015). Ver ilustración. Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: FALEY,MIKHAIL.

Elemento de construcción con un contacto de Josephson, que presenta un enlace débil, que comprende un substrato con al menos un borde gradual en su superficie, y una capa funcional dispuesta sobre el mismo, constituida por un material superconductor a alta temperatura, presentando esta capa en el borde gradual un límite intergranular que forma el enlace débil del contacto de Josephson, estando orientado en ambos lados del borde gradual el eje de cristal a y/o b en el plano de la capa funcional superconductora a alta temperatura hasta en una desviación, a modo de ejemplo, de un máximo de 10º perpendicularmente al límite intergranular, a través de una texturización del substrato y/o al menos una capa tampón dispuesta entre el substrato y la capa funcional superconductora a alta temperatura, caracterizado por que la texturización comprende resaltos y/o cavidades con una altura, o bien profundidad media entre 1 nm y 10 nm, preferentemente entre 1 nm y 5 nm.

PDF original: ES-2564493_T3.pdf

PROCEDIMIENTO Y TERMOMETRO PARA MEDIR BAJAS TEMPERATURAS.

(22/05/2012) Procedimiento y termómetro para medir bajas temperaturas. La invención describe un procedimiento para medir bajas temperaturas empleando una unión NIS que comprende un electrodo superconductor y un electrodo normal separados por una capa aislante, donde el electrodo superconductor sigue la teoría BCS, que comprende las siguientes operaciones: aplicar entre el electrodo superconductor y el electrodo normal una tensión comprendida entre 0,95{dl} y 1,05{dl}; medir la intensidad que atraviesa la unión NIS, siendo la temperatura sustancialmente proporcional a dicha intensidad; y emplear la función polinómica:**IMAGEN**, según la cual es posible obtener la temperatura…

TRANSISTOR SUPRACONDUCTOR CON EFECTO DE CAMPO Y PROCEDIMIENTO DE UNA ESTRUCTURA MULTICAPA TAL COMO LA UTILIZADA EN EL TRANSISTOR.

(01/06/2000). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BERNSTEIN, PIERRE, BOK, JULIEN.

EL TRANSISTOR COMPRENDE UN SUSTRATO QUE LLEVA SUCESIVAMENTE UNA ESTRUCTURA DE CANAL HECHA DE CAPAS ALTERNATIVAMENTE SUPRACONDUCTORAS Y NO SUPRACONDUCTORAS TENIENDO CADA UNA UN ESPESOR DEL ORDEN DE MAGNITUD DE LA LONGITUD DE DEBYE, Y DE DOS ELECTRODOS DE FUENTE Y DE DRENAJE SEPARADOS POR UNA PELICULA DE AISLAMIENTO DE LA REJILLA . EL TRANSISTOR PUEDE CONDUCIR UNA CORRIENTE ELEVADA BAJO PEQUEÑAS TENSIONES DRENAJE-FUENTE Y DE CONTROL DE REJILLA.

COMPONENTE CONCENTRADO Y UN CIRCUITO DE ALTA FRECUENCIA QUE LO CONTIENE.

(16/03/2000). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JULICH GMBH. Inventor/es: CHALOUPKA, HEINZ, ZHANG, YI, GOTTSCHLICH, MARTIN, HEIN, MATTHIAS, PATZELT, THOMAS.

LA INVENCION SE REFIERE A UN COMPONENTE ELECTRONICO CONCENTRADO TENIENDO AL MENOS UN PARAMETRO DE COMPONENTE QUE PUEDE SER CONTROLADO MEDIANTE UN CAMPO MAGNETICO. EL COMPONENTE COMPRENDE UN SQUID EN FORMA DE UNA CAPA SUPERCONDUCTIVA ESTRUCTURADA CON UNA LAZO SQUID CONTENIENDO UN CONTACTO JOSEPHSON. PUEDE HABERSE PREVISTO TAMBIEN UNA CAPA CAPACITIVA PLANA SUPERCONDUCTORA QUE ESTA ACOPLADA AL SQUID. DE ESTA FORMA PUEDEN SER ELABORADOS ELEMENTOS DIGITALES Y/O ANALOGICOS EXTREMADAMENTE RAPIDOS PARA PROCESADO NO LINEAL DE SEÑALES DE ALTA FRECUENCIA O LINEAS SINTETICAS CON PROPIEDADES PROGRAMABLES, TALES COMO FILTRO VARIABLE PERIODICO DE TIEMPO.

DISPOSITIVO SUPERCONDUCTOR MICROPUENTE DE ALTO TC QUE UTILIZA UNA JUNTA SNS BORDE CON BORDE ESCALONADA.

(01/11/1995) SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SUPER CONDUCTOR MICROPUENTE QUE INCLUYE UN SUBSTRATO , HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO LAAIO SUB 3 QUE TIENE UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO INFERIOR PLANA , UNA SUPERFICIE INCLINADA QUE TIENE UNA INCLINACION HACIA ARRIBA DE ENTRE 20 Y 80 IE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO , Y UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO SUPERIOR PARALELA A LA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO INFERIOR Y SEPARADA DE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR POR LA SUPERFICIE INCLINADA. UNA CAPA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR ORIENTADA EN EL SENTIDO DEL EJE C, HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO YBA SUB 2 CU SUB 3 O SUB 7-X, SE DEPOSITA DE FORMA EPITOAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO, Y TIENE UN BORDE EN DIRECCION AL EJE A ADYACENTE A LA INTERSECCION CON LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR…

EMPALMES DE JOSEPHSON EN SUPERCONDUCTORES.

(01/01/1994). Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION. Inventor/es: TALVACCHIO, JOHN JOSEPH, JANOCKO, MICHAEL ANDREW, BRAGINSKI, ALEKSANDER IGNACE, GAVALER, JOHN RAYMOND.

SE PRESENTA EMPALMES JOSEPHSON EN SUPERCONDUCTORES QUE TIENEN UNA CAPA DE NITRURO DE NIOBIO SOBRE UN SUBSTRATO, UNA CAPA EPIAXIAL DE UN COMPUESTO SEUDOBINARIO SOBRE LA CAPA DE NITRURO DE NIOBIO, DONDE EL COMPUESTO SEUDOBINARIO TIENE UNA COMPOSICION DE ENTRE EL 3% DE MGO - 97% DE CAO, HASTA EL 97% DE MGO - 3% DE CAO, Y UNA CAPA EPIAXIAL DE NITRURO DE NIOBIO SOBRE LA CAPA DE COMPUESTO SEUDOBINARIO. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA REALIZAR EMPALMES JOSEPHSON DEPOSITANDO UNA CAPA DE NITRURO DE NIOBIO SOBRE UN SUBSTRATO ADECUADO, DEPOSITANDO UNA CAPA EPIAXIAL DE UN COMPUESTO SEUDOBINARIO SOBRE LA CAPA DE NITRURO DE NIOBIO, DONDE EL COMPUESTO SEUDOBINARIO TIENE UNA COMPOSICION DESDE EL 3% DE MGO - 97% DE CAO, HASTA EL 97% DE MGO - 3% CAO, Y DEPOSITANDO UNA CAPA EPIAXIAL DE NITRURO DE NIOBIO SOBRE LA CAPA DE DICHO COMPUESTO SEUDOBINARIO.

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