Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común...

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CIP: H01L27/00, Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (procedimientos o aparatos adaptados a la fabricación o al tratamiento de éstos, o de sus partes constitutivas 21/70, 31/00 a 49/00; detalles 23/00, 29/00 a 49/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales 25/00; conjuntos de componentes eléctricos en general H 05 K) [2] Notas (1) En los grupos 27/01 a 27/26, salvo indicación en contra, una invención se clasifica en el último lugar apropiado. [2] (2) En el presente grupo, es deseable añadir el código de indexación del grupo 101:00. El código de indexación debe ser no enlazado. [5]

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Inventos patentados en esta categoría

1.-

La presente invención, según se expresa en el enunciado de esta memoria descriptiva, consiste en hardware de señal mixta para cómputo de la imagen integral en el plano focal mediante una agrupación de celdas básicas de sensado-procesamiento cuya interconexión puede ser reconfigurada mediante circuitería periférica que hace posible una implementación muy eficiente de una tarea de procesamiento muy útil en visión artificial como es el cálculo de la imagen integral en escenarios tales como monitorización de espacios naturales, robótica, ayuda a la navegación aérea no tripulada, etc. El área científico-técnica de la invención es la de tecnologías físicas, concretamente microelectrónica. Su marco de aplicación general sería...

2.- HARDWARE PARA CÓMPUTO DE LA IMAGEN INTEGRAL

. Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SEVILLA. Inventor/es:

La presente invención, consiste en hardware de señal mixta para cómputo de la imagen integral en el plano focal mediante una agrupación de celdas básicas de sensado-procesamiento cuya interconexión puede ser reconfigurada mediante circuitería periférica que hace posible una implementación muy eficiente de una tarea de procesamiento muy útil en visión artificial como es el cálculo de la imagen integral en escenarios tales como monitorización de espacios naturales, robótica, ayuda a la navegación aérea no tripulada etc. El área científico-técnica de la invención es la de tecnologías físicas, concretamente microelectrónica. Su marco de aplicación general sería el de sistemas electrónicos de muy bajo consumo de potencia diseñados para llevar a cabo tareas de visión artificial, es decir, captura de imágenes, análisis de las mismas y actuación en caso de que los resultados de dicho análisis así lo requieran.

3.-

Una estructura de píxel para usar en un generador de imágenes infrarrojo, que comprende: - un sustrato , y - un bolómetro que comprende: un transductor que tiene una relación de separación con respecto a dicho sustrato, teniendo el transductor unaresistencia eléctrica que varía en respuesta a cambios en la temperatura del transductor, y un absorbente que tiene una conexión térmica con el transductor que permite que la radiación absorbida por elabsorbente caliente el transductor; en la que el absorbente tiene un lado superior que define un rebaje (112a, 112b) en el absorbente, estando elrebaje adaptado para afectar a la trayectoria de propagación de una porción de radiación recibida por el absorbentede...

4.- PROCESADOR DE IMÁGENES PARA EXTRACCIÓN DE CARACTERÍSTICAS

. Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE COMPOSTELA. Inventor/es:

La presente invención se refiere a un procesador de imágenes para la extracción de características que comprende un único chip no planar que contiene una pluralidad de sensores integrados y recursos de procesamiento distribuidos en dos o más capas adaptado a capturar cuadros de imágenes y extraer características de las imágenes. En una realización particular, el chip no planar es un circuito integrado CMOS-3D (CI CMOS- 3D) con una distribución vertical de los recursos de sensado y de procesado distribuidos en dos o más capas verticales de circuito integrado. El CI CMOS-3D implementa dos o más detectores de características en un único chip reutilizando una pluralidad de circuitos empleados para la obtención del gradiente y de puntos clave. Los detectores de características incluyen un detector invariante a transformaciones (SIFT), un detector de Harris y un detector basado en la matriz Hessiana.

5.- METODO PARA PRODUCIR SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE CALIDAD VLSI.

. Solicitante/s: AUGUSTO, CARLOS JORGE RAMIRO PROENCA. Inventor/es:

ES DESCRITO UN METODO QUE HACE POSIBLE USAR LOS SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE CALIDAD VLSI PARA LA FABRICACION DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS DE PANELES PLANOS DE MATRIZ ACTIVA (AMFPD). LOS SUBSTRATOS VLSI SE PROPORCIONAN DISPONIENDO UNA CAPA DE MATERIAL TRANSPARENTE A LA LUZ EN ESAS AREAS DE UNA OBRA SEMICONDUCTORA EN LOS CUALES NO SE DISPONDRAN DISPOSITIVOS ACTIVOS, ELIMINANDO LA OBRA SEMICONDUCTORA CON LO CUAL SE OBTIENE UNA OBRA TRANSPARENTE CON REGIONES SEMICONDUCTORAS CRISTALINAS Y LUEGO CONFORMANDO LA OBRA TRANSPARENTE EN UNA UNIDAD MODULAR DEL TAMAÑO ADECUADO. VARIAS UNIDADES MODULARES PUEDEN SER UNIDAS A UN SUSTRATO DE VIDRIO Y UN MATERIAL CONDUCTOR ES LUEGO DEPOSITADO PARA HACER INTERCONEXIONES ELECTRICAS ENTRE LAS UNIDADES MODULARES. LA OPERACION DE ENLACE PUEDE SER DESARROLLADA A TEMPERATURA AMBIENTE USANDO UN PEGAMENTO TRANSPARENTE A LA LUZ O A TEMPERATURA MAS ALTA USANDO UNA TECNICA DE UNION DE OBLEAS CONOCIDA EN TECNOLOGIA DE LA SILICE SOBRE AISLANTE.

6.-

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE INTERCONEXIONES ELECTRONICAS EN TECNOLOGIA DE CAPA FINA. TIENE POR OBJETO CONSEGUIR LA CONSTRUCCION SOBRE UN SUSTRATO DE UN INTERCONEXIONADO DE MUY ALTA DENSIDAD Y RESOLUCION, CON UNA RESISTIVIDAD BAJA EN EL QUE INTEGRAN RESISTENCIAS DE ELEVADA ESTABILIDAD Y REDUCIDAS DIMENSIONES. INCLUYE UNA PRIMERA FASE DE LIMPIEZA DEL SUSTRATO MEDIANTE ATAQUE A BAJA PRESION; UNA SEGUNDA FASE DE METALIZACION MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA REACTIVA; UNA TERCERA FASE DE METALIZACION (16 Y 17 O 16') MEDIANTE PULVERIZACION CATODICA REALIZADA SECUENCIALMENTE CON LA FASE ANTERIOR; UNA CUARTA FASE DE ENMASCARAMIENTO NEGATIVO PARA PROTEGER LAS ZONAS NO CONDUCTORAS; UNA QUINTA FASE DE CRECIMIENTO EN LA QUE SE DEPOSITA UN METAL...

9.- MEJORAS INTRODUCIDAS EN LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO

. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Mejoras introducidas en los elementos de circuito que comprenden un cuerpo en el cual una zona que consiste de un semiconductor es adyacente a una zona que consiste de un electreto, estando provistos medios usualmente contactos sobre el cuerpo para aplicar una diferencia de potencial eléctrico a la juntura entre el electro y el semiconductor.

10.-

1. Fuente luminosa modular con tecnología de iluminación en estado sólido, caracterizada porque está constituida a partir de un soporte base que actúa como estructura para el montaje de una tira lineal de elementos LED con alimentador incluido y posibles elementos luminiscentes, adoptando dicha estructura una sección variable que puede ser circular, rectangular o triangula y de longitud y anchura variables.2. Fuente luminosa modular con tecnología de iluminación en estado sólido, según reivindicación 1ª, caracterizada porque incorpora en su interior una fuente de alimentación universal protegida contra sobretensiones, oscilaciones e inversiones de polaridad.3. Fuente luminosa modular con tecnología de iluminación en estado sólido, según reivindicaciones anteriores,...

11.-

Un dispositivo que comprende: un ánodo ; un cátodo ; una pluralidad de regiones orgánicas fotoactivas apiladas dispuesta entre el ánodo y el cátodo y conectada eléctricamente a los mismos, comprendiendo cada región fotoactiva un material orgánico receptor y un material orgánico donante ; caracterizado por una capa de bloqueo de los excitones proporcionada en más de una de la pluralidad de regiones orgánicas fotoactivas apiladas, estando dispuesta cada capa de bloqueo de los excitones adyacente y en contacto físico directo con el material orgánico receptor de la respectiva región orgánica fotoactiva, en el que un LUMO de cada capa de bloqueo de los excitones distinta de la capa de bloqueo de los excitones más cercana al cátodo...

12.-

Circuito integrado para la lectura digital de sensores de imagen de alta velocidad. La presente invención se refiere a circuitos integrados de lectura (Read-Out Integrated Circuit, ROIC) de matrices de sensores de imagen. Introduce una nueva topología de modulador de pulsos como parte del conversor analógico-digital para píxeles activos digitales que atenúa las pérdidas de señal debidas a los tiempos de inicialización del integrador analógico. También implementa la función de cancelación de ruido de baja frecuencia del integrador analógico mediante doble muestreo correlado. Frente a la tecnología actual, la invención...

20.- UN METODO DE FABRICAR UN CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICO

. Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINES CORPORATION.

Resumen no disponible.

22.- UN DISPOSITIVO DE TUBO DE CAMARA PARA TELEVISION Y OTROS USOS

. Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS GLOEIAMPENFABRIKEN.

Resumen no disponible.

23.- UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR

. Ver ilustración. Solicitante/s: N. V. PHILIPS GLOEIILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.

24.- PERFECCIONAMIENTOS EN LOS RECTIFICADORES DE SEMICONDUCTORES PARA ALTA TENSION Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION CORRESPONDIENTE

. Ver ilustración. Solicitante/s: SEMIKRON GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU AND EL.

Resumen no disponible.

32.- UN METODO DE MANUFACTURAR UN MOSAICO DE UNIONES SEMICONDUCTORAS EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO DEL TIPO N

. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Resumen no disponible.