CIP-2021 : H01L 27/00 : Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00,

H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).

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Notas^[n] de H01L 27/00:

• En este grupo, a excepción de los grupos H01L 27/115 - H01L 27/11597, se aplica la regla del último lugar, es decir a cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el último lugar apropiado.
• Cuando se clasifica en este grupo, la materia relacionada con memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM se clasifica en el grupo H01L 27/115, con independencia de la regla del último lugar.

H01L 27/01 · que comprenden solamente elementos pasivos de película delgada o gruesa formados sobre un sustrato aislante común.

H01L 27/02 · incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.

H01L 27/04 · · el sustrato común es un cuerpo semiconductor.

H01L 27/06 · · · con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.

H01L 27/07 · · · · teniendo los componentes una región activa en común.

H01L 27/08 · · · únicamente con componentes semiconductores de un solo tipo.

H01L 27/082 · · · · comprendiendo únicamente componentes bipolares.

H01L 27/085 · · · · comprendiendo únicamente componentes de efecto de campo.

H01L 27/088 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo de puerta aislada.

H01L 27/092 · · · · · · transistores de efecto de campo metal-aislante-semiconductor complementario.

H01L 27/095 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de barrera Schottky.

H01L 27/098 · · · · · siendo los componentes transistores de efecto de campo con puerta de unión PN.

H01L 27/10 · · · con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

H01L 27/102 · · · · comprendiendo componentes bipolares.

H01L 27/105 · · · · comprendiendo componentes de efecto de campo.

H01L 27/108 · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio.

H01L 27/11 · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio.

H01L 27/112 · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura.

H01L 27/115 · · · · · · Memorias de solo lectura programables eléctricamente; Procedimientos de fabricación multi-etapa asociados.

H01L 27/11502 · · · · · · · con condensadores de memoria ferroeléctrica.

H01L 27/11504 · · · · · · · · caracterizadas por la configuración vista desde arriba.

H01L 27/11507 · · · · · · · · caracterizadas por la región del núcleo de memoria.

H01L 27/11509 · · · · · · · · caracterizadas por la región de circuito periférico.

H01L 27/11512 · · · · · · · · caracterizadas por la región límite entre las regiones del núcleo y de circuito periférico.

H01L 27/11514 · · · · · · · · caracterizadas por las disposiciones tridimensionales, p. ej. con células en diferentes niveles de altura.

H01L 27/11517 · · · · · · · con puerta flotante.

H01L 27/11519 · · · · · · · · caracterizadas por la configuración vista desde arriba.

H01L 27/11521 · · · · · · · · caracterizadas por la región del núcleo de memoria (disposiciones tridimensionales H01L 27/11551).

H01L 27/11524 · · · · · · · · · con transistores de selección de célula, p. ej. NAND.

H01L 27/11526 · · · · · · · · caracterizadas por la región de circuito periférico.

H01L 27/11529 · · · · · · · · · de regiones de memoria que comprenden transistores de selección de célula, p. ej. NAND.

H01L 27/11531 · · · · · · · · · Fabricación simultánea de células periféricas y de memoria.

H01L 27/11534 · · · · · · · · · · que incluyen solo un tipo de transistor periférico.

H01L 27/11536 con una capa de control de puerta que también se utiliza como parte del transistor periférico.

H01L 27/11539 con una capa dieléctrica entre puertas que también se utiliza como parte del transistor periférico.

H01L 27/11541 con una capa de puerta flotante que también se utiliza como parte del transistor periférico.

H01L 27/11543 con una capa dieléctrica de efecto túnel que también se utiliza como parte del transistor periférico.

H01L 27/11546 · · · · · · · · · · que incluyen diferentes tipos de transistores periféricos.

H01L 27/11548 · · · · · · · · caracterizadas por la región límite entre las regiones de núcleo y de circuito periférico.

H01L 27/11551 · · · · · · · · caracterizadas por las disposiciones tridimensionales, p. ej. con células en diferentes niveles de altura.

H01L 27/11553 · · · · · · · · · con fuente y drenaje en diferentes niveles, p. ej. con canales inclinados.

H01L 27/11556 · · · · · · · · · · comprendiendo los canales porciones verticales, p. ej. canales con forma de U.

H01L 27/11558 · · · · · · · · siendo la puerta de control una región dopada, p. ej. células de memoria simple o múltiple.

H01L 27/1156 · · · · · · · · siendo la puerta flotante un electrodo compartido por dos o más componentes.

H01L 27/11563 · · · · · · · con puertas aislantes con atrapamiento de carga, p. ej. MNOS o NROM.

H01L 27/11565 · · · · · · · · caracterizadas por la configuración vista desde arriba.

H01L 27/11568 · · · · · · · · caracterizadas por la región de núcleo de memoria (disposiciones tridimensionales H01L 27/11578).

H01L 27/1157 · · · · · · · · · con transistores de selección de célula, p. ej. NAND.

H01L 27/11573 · · · · · · · · caracterizadas por la región de circuito periférico.

H01L 27/11575 · · · · · · · · caracterizadas por la región límite entre las regiones de núcleo y de circuito periférico.

H01L 27/11578 · · · · · · · · caracterizadas por las disposiciones tridimensionales, p. ej. con células en diferentes niveles de altura.

H01L 27/1158 · · · · · · · · · con fuente y drenaje en diferentes niveles, p. ej. con canales inclinados.

H01L 27/11582 · · · · · · · · · · comprendiendo los canales porciones verticales, p. ej. canales con forma de U.

H01L 27/11585 · · · · · · · con electrodos de puerta que comprenden una capa utilizada por sus propiedades de memoria ferroeléctrica, p. ej. metal-ferroeléctrico-semicondutor - [MFS] o metal –ferroeléctrico -metal-aislante-semiconductor [MFMIS].

H01L 27/11587 · · · · · · · · caracterizadas por la configuración vista desde arriba.

H01L 27/1159 · · · · · · · · caracterizadas por la región del núcleo de memoria.

H01L 27/11592 · · · · · · · · caracterizadas por la región de circuito periférico.

H01L 27/11595 · · · · · · · · caracterizadas por la región límite entre las regiones de núcleo de circuito periférico.

H01L 27/11597 · · · · · · · · caracterizadas por las disposiciones tridimensionales, p. ej. con células en diferentes niveles de altura.

H01L 27/118 · · · · Circuitos integrados de capa matriz.

H01L 27/12 · · el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 27/13 · · · combinado con componentes pasivos de película delgada o gruesa.

H01L 27/14 · con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones (componentes sensibles a las radiaciones asociados estructuralmente a una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 31/14; dispositivos de acoplamiento de guías de luz con elementos opto-electrónicos G02B 6/42).

H01L 27/142 · · Dispositivos de conversión de energía (módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas individuales que comprende diodos de derivación integrados o directamente asociado con las células fotovoltaicas sólo H01L 31/0443; módulos fotovoltaicos compuestas de una pluralidad de células solares de película delgada depositados en el mismo sustrato H01L 31/046).

H01L 27/144 · · Dispositivos controlados por radiación.

H01L 27/146 · · · Estructuras de captadores de imágenes.

H01L 27/148 · · · · Captadores de imágenes por acoplamiento de carga.

H01L 27/15 · con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz.

H01L 27/16 · con componentes termoeléctricos con o sin unión de materiales diferentes; con componentes termomagnéticos (que utilizan el efecto Peltier únicamente para la refrigeración de dispositivos de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido H01L 23/38).

H01L 27/18 · con componentes que presentan un efecto de superconductividad.

H01L 27/20 · con componentes piezoeléctricos; con componentes electroestrictivos; con componentes magnetoestrictivos.

H01L 27/22 · con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.

H01L 27/24 · con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.

H01L 27/26 · con componentes de resistencia negativa con efecto de volumen.

H01L 27/28 · con componentes que utilizan materiales orgánicos como la parte activa o que utilizan una combinación de materiales orgánicos con otros materiales como la parte activa.

H01L 27/30 · · con componentes especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; con componentes especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación.

H01L 27/32 · · con componentes especialmente adaptados para la emisión de luz, p. ej. monitores de pantalla plana que utilizan diodos emisores de luz orgánicos.