Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (25/00 tiene prioridad) [2,5]

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CIP: H01L23/00, Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (25/00 tiene prioridad) [2,5]

Notas:
  • El presente grupo no cubre:
  • --los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo 29/00, que quedan cubiertos por dicho grupo;
  • --los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos 31/00 a 49/00, que quedan cubiertos por dichos grupos. [5]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Dispositivo para un procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión de componentes de forma de pastillas electrónicas con trazas conductoras de un respectivo sustrato , que consta al menos de un dispositivo de prensado , una cinta transportadora y un dispositivo para cubrir el sustrato con una película protectora , en el que el dispositivo de prensado es adecuado para el funcionamiento temporizado y presenta un macho de prensado y una mesa de prensado calentable , y en el que los componentes de forma de pastillas...

  2. 2.-

    Procedimiento para la conexión mecánica y eléctrica simultánea de dos piezas que solo se cubren parcialmente entre sí, provistas de estructuras eléctricamente conductoras de las cuales por lo menos una está recubierta en una superficie extensa e incluyendo la superficie de conexión con una capa de material eléctricamente aislante para el aislamiento eléctrico y/o la protección mecánica y/o química más allá de la zona de recubrimiento, presionándose las piezas conductoras unas contra otras en la región de sus superficies de conexión, caracterizado por que como material eléctricamente aislante se...

  3. 3.-

    Un elemento de contacto para hacer un contacto eléctrico con un miembro de contacto para permitir que fluya una corriente eléctrica entre dicho elemento de contacto y dicho miembro de contacto , comprendiendo dicho elemento de contacto un cuerpo que tiene al menos una superficie de contacto del mismo recubierta con una capa de contacto para aplicarse contra dicho miembro de contacto, comprendiendo dicha capa de contacto una película de nanocompuesto que tiene una matriz de carbono amorfo y nanocristales, esto es, con dimensiones en el intervalo de 1 a 100 nm, de al menos un carburo...

  4. 4.-

    Módulo de semiconductores de potencia con al menos dos unidades de semiconductores de potencia conectadas entre sí, que presentan semiconductores de potencia activables, una carcasa de módulo en la que están dispuestas las unidades de semiconductores de potencia y que presenta una pared lateral eléctricamente aislante, y al menos un riel de conexión que se extiende a través de la pared lateral y que está unido al menos a una de las unidades de semiconductores de potencia , caracterizado porque la pared lateral aislante está configurada como apilamiento de elementos parciales aislantes y configurados de forma enteriza, en donde los elementos parciales...

  5. 5.-

    Método y sistema de testado de circuitos integrados de radiofrecuencia a nivel de oblea y su uso. El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test...

  6. 6.-

    MÉTODO Y SISTEMA DE TESTADO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA A NIVEL DE OBLEA Y SU USO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Inventor/es:

    El objetivo principal de este invento es proporcionar un sistema y un método fiable y rápido para descartar transceptores integrados defectuosos a nivel de oblea mediante el establecimiento de enlaces inalámbricos entre diferentes circuitos en la oblea, de tal forma que las señales necesarias para testar un determinado transceptor son proporcionadas o leídas por otro de los transceptores de la misma oblea. El sistema emplea para ello, un equipo de test digital de baja frecuencia que al menos comprende dos agujas de test para el envío, recepción y comparación de unas secuencias de datos de test que se intercambian entre el equipo de test y los circuitos integrados de la oblea.

  7. 7.-

    MODULO HERMETICO DE ALTA FRECUENCIA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    . Ver ilustración. Solicitante/s: EADS DEUTSCHLAND GMBH. Inventor/es:

    Módulo de alta frecuencia con estructura de conductor hueco, constituido por un fondo de caja y una tapa de caja, estando montado sobre la tapa de la caja un dispositivo de ajuste para posicionarla sobre el fondo de dicha caja, caracterizado porque el dispositivo de ajuste consiste en un resalto de fotobarniz.

  8. 8.-

    CONEXION EN SERIE AUTOAJUSTABLE DE CAPAS DELGADAS Y GRUESAS Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SCHEUTEN GLASGROEP. Inventor/es:

    Procedimiento para la fabricación de conexiones en serie autoajustables de capas delgadas y/o gruesas, caracterizado por las siguientes etapas del procedimiento: - aplicación de pistas conductoras eléctricamente conductivas sobre un sustrato , - aplicación de una primera capa principal de un material adhesivo conductivo con un ángulo a respecto a la superficie de sustrato, - aplicación sobre el sustrato de una segunda capa principal de partículas graniformes que se adhieren en la primera capa principal, - aplicación de varias capas conjuntamente con etapas de tratamiento dependientes del material y del proceso, - aplicación de una tercera capa principal con un ángulo beta respecto a la superficie de sustrato, y - aplicación de una cuarta capa principal con un ángulo gamma respecto a la superficie de sustrato, - en el que los ángulos alfa y gamma son diferentes de 90º y opuestos uno a otro.

  9. 9.-

    CONJUNTO DE MODULO DE MEMORIA QUE UTILIZA CHIPS PARCIALMENTE DEFECTUOSOS

    . Ver ilustración. Solicitante/s: CELETRONIX INTERNATIONAL, LTD CELETRONIX USA, INC. Inventor/es:

    Procedimiento para la implementación selectiva de un reforzador de reloj, comprendiendo dicho procedimiento: montar un reforzador de reloj en una placa de circuito impreso de múltiples capas . realizar pruebas y revisiones en partes de memoria, incluidas partes de memoria parcialmente defectuosas, para producir un módulo de memoria completamente funcional ; y de acuerdo con el resultado de las pruebas, conectar de forma selectiva dicho reforzador de reloj a dichas partes de memoria revisadas cuyas líneas de E/S son utilizadas.

  10. 10.-

    MEJORAS INTRODUCIDAS EN LA FABRICACIÓN DE ENVOLTURAS DE CUARZO PARA RADIADORES ULTRAVIOLETA

    . Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

    Resumen no disponible.