DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras...

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CIP: H01L, DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (sistemas transportadores para obleas semiconductoras B 65 G 49/07; empleo de dispositivos semiconductores para medir G 01; detalles de aparatos con sonda de barrido, en general G 12 B 21/00; resistencias en general H 01 C; imanes, inductancias, transformadores H 01 F; condensadores en general H 01 G; dispositivos electrolíticos H 01 G 9/00; pilas, acumuladores H 01 M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H 01 P; conectadores de líneas, colectores de corriente H 01 R; dispositivos de emisión estimulada H 01 S; resonadores electromecánicos H 03 H; transductores electromecánicos para comunicaciones eléctricas H 04 R; fuentes de luz eléctrica en general H 05 B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H 05 K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación) [2]

Notas:
  • (1) La presente subclase cubre:
  • --los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados; [2]
  • --las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa; [2]
  • --los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar. [2]
  • (2) En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:
  • --"cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente. Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir los hilos de conexión; [2]
  • --"dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente"; [2]
  • --"dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales; [2]
  • --"parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo; [2]
  • --"contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado"; [2]
  • --"circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes; [2]
  • --"ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores. [2]
  • (3) En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés. [6]

Entorno:
  • H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
  • Notas
  • (1) Los procedimientos que implican una sola técnica, p. ej. secado, revestimiento, que está prevista en otra parte están clasificados en la clase correspondiente a esta técnica.
  • (2) Es importante tener en cuenta las notas que siguen a los títulos de la clase B 81 y de la subclase B 81 B relativas a "dispositivos de microestructura" y "sistemas de microestructura". [7]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    SUSTRATO PARA CIRCUITO IMPRESO DE ALTA DENSIDAD Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.

    . Solicitante/s: ISOLA LAMINATE SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es:

    Un sustrato eléctrico, que comprende: una capa dieléctrica que tiene una rugosidad superficial no mayor de 6, 0 micrómetros; y una primera capa conductora unida a dicha capa dieléctrica en el que la capa dieléctrica comprende una tela que tiene un tejido uniforme y una resina que está impregnada consistentemente dentro del tejido uniforme de dicha tela.

  2. 2.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN DIODOS SEMICONDUCTORES.

    . Solicitante/s: DR. HERMANN MADER.

    Perfeccionamientos en dichos semiconductores, con estructura de tres zonas npn o pnp que consta de tres zonas de semiconductor colindantes y con contactos resistivos, caracterizado porque para disminuir la barrera de energía la zona de base central en la estructura de tres zonas, se ha elegido de un espesor tan pequeño que ya sin haber tensión eléctrica aplicada a los electrodos con el dopado dado a esta zona de base, toda la zona de base esta empobrecida de portadores de carga libres.

  3. 3.-

    Una disposición de pilas solares de semiconductor, que comprende una pluralidad de unidades separadas o distanciadas, paralelas y alargadas, formadas a partir de un substrato común, estando el material de cuerpo de cada una de dichas unidades compuesto de material de un primer tipo de conductividad y teniendo la misma relación de distancia de separación respecto al material de cuerpo de otra de dichas unidades que en el substrato primitivo del cual están hechos, teniendo cada unidad unos costados o paredes laterales, teniendo cada unidad unos costados o paredes laterales erguidos y teniendo entre ellos una superficie superior,...

  4. 4.-

    CAPSULA MONOCRISTAL PIEZOELECTRICA PERFECCIONADA.

    . Solicitante/s: ORBAICETA. S.A..

    Cápsula monocristal piezoeléctrica perfeccionada que estando compuesta por una carcasa, envolvente de una masa de inercia y un cristal piezoelectrico que apoya en un yunque, esencialmente se caracteriza porque la carcasa va roscada sobre una prolongación cilíndrica igualmente roscada de la masa de inercia dando lugar a un receptáculo accesible que es ocupado por el cristal piezoeléctrico y el mencionado yunque.

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO OHMICO EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR

    . Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC CO. INC..

    Procedimiento para producir un contacto óhmico en un cuerpo semiconductor, consistiendo principalmente por lo menos una capa superficial del mismo en un semiconductor compuesto que contiene aluminio, y en donde se deposita una capa de oro encima de la citada capa superficial; caracterizado porque comprende las etapas de depositar sobre la capa superficial, antes de la deposición de la capa de oro, una capa de transición de constituyentes capaces de proporcionar adulteración de energía de activación superficial y adhesión entre la capa superficial y la capa de oro; depositar la capa de oro por encima y en contacto con la capa de transición; y calentar el cuerpo con la capa de transición y la capa de oro sobre el mismo, en una atmósfera no oxidante, a una temperatura superior a la temperatura a la cual la capa de transición es líquida y por debajo de la temperatura de fusión del oro.

  6. 6.-

    UN DIODO SEMICONDUCTOR INTEGRADO MONOLITICO.

    . Solicitante/s: ITT INDUSTRIES, INC..

    Resumen no disponible.

  7. 8.-

    UN METODO DE GRABADO GASEOSO SOBRE UNA CAPA DE NITRURO DE SILICIO.

    . Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

    Resumen no disponible.

  8. 9.-

    PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR LA CABEZA DE UN TERMOELEMENTO PARA SEGUROS DE ENCENDIDO DE APARATOS CALENTADOS POR GAS.

    . Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH.

    Resumen no disponible.

  9. 10.-

    DISPOSITIVO GENERADOR DE ALTA TENSION.

    . Solicitante/s: BRAUN AKTIENGESELLSCHAFT.

    Resumen no disponible.

  10. 11.-

    UN SEMICONDUCTOR PLANAR PERFECCIONADO.

    . Solicitante/s: ITT INDUSTRIES, INC..

    Resumen no disponible.

  11. 13.-

    UN ACOPLADOR OPTO-ELECTRONICO.

    . Solicitante/s: STANDARD ELECTRICA, S.A..

    Un acoplador opto-electrónico que consiste de un emisor luminoso y un sensor de luz, caracterizado porque el sensor de luz está compuesto, por lo menos, por dos células fotovoltaicas activas conectadas en serie en la misma dirección.

  12. 15.-

    MEJORAS INTRODUCIDAS EN APARATOS PARA CONVERTIR ENERGIA SOLAR EN ENERGIA ELECTRICA.

    . Solicitante/s: TYCO LABORATORIES, INC.

    Resumen no disponible.

  13. 16.-

    UNA CINTA SEMICONDUCTORA.

    . Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION.

    Una cinta semiconductora, resistente al estireno, constituida por un substrato poroso de malla abierta de hebras fibrosas eléctricamente semiconductoras, caracterizada porque las hebras fibrosas contienen una composición de barniz protector cargado, completamente termoendurecible, que está constituida esencialmente por una mezcla fenólicaalquídica termorreactiva curada y contiene de 15 a 45 % en peso de partículas de carbono en contacto eléctrico, con una superficie específica interna y externa total de hasta 60Q m2/g, uniformemente distribuidas en su seno, para proporcionar hebras fibrosas que conducen la electricidad.

  14. 17.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE PUENTES RECTIFICADORES DE TENSION.

    . Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

    Resumen no disponible.

  15. 18.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES ELECTRICOS.

    . Solicitante/s: BLAUPUNK-WERKE, G. M. B. H.

    Resumen no disponible.

  16. 19.-

    REACTOR PARA PASIVACION.

    . Solicitante/s: PIHER SEMICONDUCTORES, S.A..

    Reactor para pasivación, destinado a la modificación físico-química de obleas de materiales semiconductores, caracterizado esencialmente por consistir en un cuerpo tubular de un material altamente resistente a la acción del calor y de los elementos químicos, tal como el cuarzo, que presenta en uno de sus extremos entradas para la introducción independiente de nitrógeno, oxígeno, monosilano y fosfamina y, eventualmente, otros cuerpos en estado gaseoso, realizándose su mezcla íntima en el interior del reactor mediante un difusor asociado a la entrada de los mismos, figurando en la parte correspondiente al fondo del cuerpo tubular un soporte para la colocación de las obleas del material a pasivar, calentado mediante una resistencia eléctrica dispuesta en el interior del soporte y que tiene sus terminales conectados mediante conductores externos a una fuente de alimentación, derivándose del otro extremo del cuerpo tubular una conducción para la salida de gases tras la realización del proceso.

  17. 20.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES.

    . Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

    Resumen no disponible.

  18. 21.-

    PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UN APARATO DE SOLDADURA POR TERMOCOMPRESION.

    . Solicitante/s: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND, G. M. B. H.

    Resumen no disponible.

  19. 23.-

    UN DISPOSITIVO PERCEPTOR DE IMAGEN.

    . Solicitante/s: N. V. PHILIPS'GLOEILAMENFABRIEKEN.

    Resumen no disponible.

  20. 24.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN COMPONENTES SEMICONDUCTORES GOBERNABLES.

    . Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

    Resumen no disponible.

  21. 26.-

    MEDIOS PERFECCIONADOS PARA EL SUMINISTRO DE AIRE A UN HORNO.

    . Solicitante/s: GOTAVERKEN ANGTEKNIK, AB.

    Resumen no disponible.

  22. 27.-

    UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

    . Solicitante/s: SONY CORPORATION.

    Resumen no disponible.

  23. 28.-

    Aparato para la fabricación de revestimiento protector para electrodos de grafito, compuesto de un cuerpo con paralelas de guía y un contrapunto fijo con husillo , un, contrapunto suelto con husillo de cola y un soporte deslizante longitudinal con tornillo regulador , en el que, sobra el soporte deslizante longitudinal , están colocados varios soportes deslizantes transversales sobre los cuales estan acoplados aparatos o mecanismos para la limpieza de superficies de los electrodos de grafito, un cabezal para al tratamiento por arco eléctrico , una pistola de rociado de metal eléctrico , para aplicar aluminio...

  24. 29.-

    METODO PARA FABRICAR UNA PLURALIDAD DE DISPOSITIVOS SEMI- CONDUCTORES ENCAPSULADOS EN PLASTICO.

    . Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

    Resumen no disponible.

  25. 30.-

    METODO DE FABRICACION DE UNA PLURALIDAD DE DADOS A PARTIR DE UN DISCO SEMICONDUCTOR.

    . Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

    Resumen no disponible.

  26. 31.-

    UN METODO DE PREPARACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES.

    . Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

    Resumen no disponible.

  27. 32.-

    METODO PARA ATACAR QUIMICAMENTE UN SUBSTRATO DE SILICIO.

    . Solicitante/s: MOTOROLA, INC..

    Resumen no disponible.