.por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (31/18 tiene prioridad) [3]

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CIP: C30B31/06, .por contacto con la sustancia de difusión en estado gaseoso (31/18 tiene prioridad) [3]

Entorno:
  • Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada [3,5]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

1.-

Microcavidades ópticas y esponjas fotónicas, procedimiento de producción y sus aplicaciones en la fabricación de dispositivos fotónicos. La invención describe una microesfera de silicio con diámetro entre 0.1 y 50 micras capaz de funcionar como una microcavidad óptica con modos resonantes tipo Mie para longitudes de onda comprendidas entre 1 y 15 micras, y una esponja fotónica constituida a partir de ellas. La obtención de la misma se lleva a cabo por un método sencillo basado en la descomposición por calentamiento de los precursores gaseosos. El uso de estas microesferas y esponjas fotónicas reside en la fabricación de dispositivos fotónicos, por ejemplo, células solares, fotodiodos, láseres y sensores

2.- PROCEDIMIENTO PARA INTRODUCIR IMPUREZAS APRECIABLES O INFLUYENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTIVO SÓLIDO

. Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.

Procedimiento para introducir impurezas apreciables o influyentes en un cuerpo semiconductivo sólido, especialmente en un cuerpo de silicio, el cual comprende la fase de poner el cuerpo en contacto con una atmósfera que contiene la impureza apreciable en estado de vapor; caracterizado porque ese contacto se mantiene a una temperatura y durante un lapso adecuados para producir una capa vítrea en la superficie del citado cuerpo, y una capa difusa de impureza apreciable en el cuerpo mismo; se ataca éste para quitar la capa vitrea, y se calienta luego a una temperatura y durante un lapso convenientes para que la impureza apreciable de la capa difusa se difunda más hacia el interior del cuerpo referido.