CIP-2021 : C30B 29/36 : Carburos.
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Notas[n] desde C30B 29/02 hasta C30B 29/54: - En los grupos C30B 29/02 - C30B 29/54, se aplica la regla del último lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, un material se clasifica en el último lugar apropiado.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) tras el título de la sección C, que indica a qué versión del Sistema periódico de los Elementos se refiere la CIP. En este grupo, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de 8 grupos indicados por números romanos en la Tabla Periódica
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma.
C30B 29/36 · · Carburos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC.
(17/05/2017) Un método de fabricación de una oblea epitaxial de 4H-SiC que comprende una película epitaxial de SiC sobre un sustrato de 4H-SiC monocristalino, donde el método comprende:
a. cargar el sustrato de 4H-SiC monocristalino sobre un susceptor en una celda de reacción de un sistema de CVD de pared caliente;
b. calentar el sistema controlando la temperatura del susceptor en la celda de reacción hasta un intervalo de 1500°C a 1620°C; y
c. ejecutar un ciclo de fabricación para producir la oblea epitaxial de 4H-SiC, donde el ciclo de fabricación comprende suministrar un flujo de gas paralelo a una superficie del sustrato de 4H-SiC monocristalino, de tal manera que la velocidad total del gas se encuentra en un intervalo de 120 a 250 cm/s, y controlar una presión en el interior de la celda de reacción hasta un intervalo de 100…
Lingote de carburo de silicio monocristalino, y sustrato y oblea epitaxial obtenidos a partir del lingote de carburo de silicio monocristalino.
(12/10/2016). Solicitante/s: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Inventor/es: OHTANI,NOBORU, KATSUNO,MASAKAZU, TSUGE,HIROSHI, NAKABAYASHI,MASASHI, FUJIMOTO,TATSUO.
Un lingote de carburo de silicio monocristalino, que comprende carburo de silicio monocristalino que contiene una impureza del tipo donante en una concentración de 2 x 1018 cm-3 a 6 x 1020 cm-3 y una impureza del tipo aceptante en una concentración de 1 x 1018 cm-3 a 5,99 x 1020 cm-3 y donde la concentración de la impureza del tipo donante es mayor que la concentración de la impureza del tipo aceptante y la diferencia es 1 x 1018 cm-3 a 5,99 x 1020 cm-3.
PDF original: ES-2602565_T3.pdf
CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINIO DE VANADIO.
(01/05/2007). Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F.
Monocristal volumétrico semiaislante de carburo de silicio que tiene una resistividad de al menos 5.000 O-cm a temperatura ambiente, una concentración de elementos de captura de nivel profundo que se encuentra por debajo de la cantidad que afecta a las características eléctricas del cristal, y una concentración de átomos de nitrógeno que se encuentra por debajo de 1 x 1017 cm-3.
PROCEDIMIENTO DE FORMACIN DE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO O DE NITRURO DE UN ELEMENTO DEL GRUPO III SOBRE UN SUSTRATO ADAPTADO.
(16/05/2006). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.
Producto intermediario para la realización de componentes ópticos, electrónicos u optoeléctricos, que comprende una capa cristalina de carburo de silicio cúbico sobre un sustrato monocristalino, caracterizado porque el sustrato es de silicio-germanio, estando presente el germanio en una proporción atómica comprendida entre 5 y 20%.
METODO Y APARATO PARA HACER CRECER CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO.
(16/06/2005) Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir y mantener un flujo de un gas fuente de carbono y un gas fuente de silicio a un área de reacción mientras se calienta el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono hasta aproximadamente la temperatura de reacción; hacer reaccionar el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono en el área de reacción para formar especies evaporadas que contienen carbono y silicio; y dirigir y mantener un flujo de especies evaporadas que contengan carbono…
GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO.
(16/09/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE RESEARCH, INC.. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC.
Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado de alisado característico de las gemas de diamante terminadas y suficiente para permitir la introducción de la luz en la gema para la reflexión interna desde el interior de la gema.
PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO CRISTALINO SOBRE SUBSTRATO.
(01/05/2004). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE. Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.
Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido , caracterizado porque comprende: - una etapa (a) de crecimiento del primer material sobre un substrato , constituido por un segundo material , - una etapa (d, d) en la cual se hacen crecer unas puntas cristalinas del primer material a partir de la intercara del primer material y del material en fusión, imponiendo un gradiente de temperatura en la dirección perpendicular a la superficie libre del material en fusión tal que la intercara entre el primer material y el material en fusión esté a una temperatura más elevada que la temperatura en la superficie libre del material en fusión; - una etapa (f, f) que consiste en hacer crecer, lateralmente, en un plano principalmente paralelo al de la superficie libre del material en fusión, unos cristales a partir de las puntas cristalinas, invirtiendo el signo del gradiente.
CRECIMIENTO DE CAPAS EPITAXIALES MUY UNIFORMES DE CARBURO DE SILICIO.
(01/04/2003) Método de deposición química en fase de vapor que aumenta la uniformidad del espesor de las capas epitaxiales de carburo de silicio, comprendiendo el método: calentar un reactor a una temperatura de al menos 1500ºC, suficientemente alta para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio, pero inferior a la temperatura a la que un gas portador de hidrógeno tendería a mordentar el carburo de silicio; y dirigir el flujo de los gases fuente, incluyendo silano, y los gases portadores, a través del reactor calentado, para formar una capa epitaxial de carburo de silicio en el substrato, estando el flujo de gas dirigido a través …
PASTILLA DE CARBURO DE SILICIO PRENSADO EN CALIENTE Y PROCEDIMIENTO PARA UTILIZARLA COMO PASTILLA DE SACRIFICIO.
(01/02/2002). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN INDUSTRIAL CERAMICS, INC.. Inventor/es: HOLMES, THOMAS, M., TOMANOVICH, JOHN, A.
LA INVENCION SE REFIERE A MICROPLAQUETAS PATRON DE CARBURO DE SILICIO PRENSADAS EN CALIENTE, QUE TIENEN BAJOS NIVELES DE IMPUREZAS DE HIERRO, ASI COMO UN PROCEDIMIENTO DE UTILIZACION DE DICHAS MICROPLAQUETAS PATRON DE CARBURO DE SILICIO PRENSADAS EN CALIENTE, EN APLICACIONES DE TRATAMIENTO DE MICROPLAQUETAS DE SILICIO.
PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION DE TRIQUITAS O FILAMENTOS FIBROSOS LARGOS DE CARBURO DE SILICIO.
(16/08/1999). Solicitante/s: AEROSPATIALE SOCIETE NATIONALE INDUSTRIELLE VIAM ALL RUSSIAN INSTITUT OF AVIATION MATERIALS. Inventor/es: GRIBKOV, VLADIMIR NIKOLAEVICH, POLAKOV, ALEXANDRE, VASSILIEVICH, POKROVCKY, DANIEL, DANILOVICH, SILAEV, VLADIMIR, ALEXANDROVICH, GORELOV, YURII, ALEXEEVICH, LYACOTA, PIOTR, PHIODOROVICH.
LA PRODUCCION DE TRICHITAS O WHISKERS DE SIC Y DE MATES DE ESTOS SOBRE UN SUSTRATO POR TRATAMIENTO A 1.20 - 1.500 (GRADOS) C, DE UNA MEZCLA GASEOSA QUE COMPRENDE HIDROGENO Y FUENTES DE ATOMOS DE SI Y C QUE ESTAN EN FORMA DE AL MENOS UN COMPUESTO DESPROVISTO DE OXIGENO, EN PRESENCIA DE UN CATALIZADOR D TIPO METAL, POR UN PROCESO SEMICONTINUO O PERIODICO, SE CARACTERIZA EN QUE DURANTE EL PERIODO DE CRECIMIENTO, UN CATALIZADOR AL-FE SE INTRODUCE EN LA FASE GASEOSA EN LA ZONA DE REACCION, MEDIANTE UNA REDUCCION POR EL CARBONO DE CERAMICAS DE TIPO ALUMINOSILICATO QUE COMPRENDEN AL MENOS 73% EN PESO DE AL2O3 Y 0,3 A 3,0% EN PESO DE OXIDOS DE HIERRO Y EL SUSTRATO ES UN TEJIDO DE CARBONO A BASE DE FIBRA DE RAYON CARBONIZADO QUE HA SIDO PRETRATADO, ANTES DE LA CARBONIZACION, POR UNA SOLUCION DE BORAX Y UNA SOLUCION DE FOSFATO DE DIAMONIO HASTA QUE LAS CANTIDADES NO SOBREPASAN 4% Y 2% EN PESO RESPECTIVAMENTE. APLICACION EN LA FABRICACION DE TRICHITAS O WHISKERS LARGOS DE SIC.
PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS EN CARBURO DE SILICIO.
(16/06/1993) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE TRIQUITAS DE CARBURO DE SILICIO POR REACCION, EN ATMOSFERA NO OXIDANTE A UNA TEMPERATURA AL MENOS IGUAL A 1300 GRADOS C, DE UNA CARGA CONSTITUIDA POR UNA MEZCLA DE NEGRO DE CARBONO Y POR UNA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO, PROCEDIMIENTO SEGUN EL CUAL EL NEGRO DE CARBONO TIENE UNA TASA DE OXIDABILIDAD (MEDIDA POR CALENTAMIENTO AL AIRE DURANTE 30 MINUTOS A 600 GRADOS C) AL MENOS IGUAL A 85%, LA FUENTE DE OXIDO DE SILICIO TIENE UNA GRANULOMETRIA INFERIOR A 100 NM Y LA VELOCIDAD DE SUBIDA EN TEMPERATURA ENTRE 1300 Y 1600 GRADOS C ES INFERIOR A 3 GRADOS C -1 POR MINUTO SI SE OPERA EN ATMOSFERA ESTATICA, Y AL MENOS IGUAL A 25 GRADOS C MIN SI SE OPERA BAJO PERCOLACION DE GAS. SE EFECTUA EVENTUALMENTE UN DESCANSO DE 5 MIN A 5 H A 1600 GRADOS C. PREFERENTEMENTE SE INTRODUCE EN CARBONO EN LA MEZCLA DE REACCION,…
