.Crecimiento de un lecho epitaxial [3]

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CIP: C30B23/02, .Crecimiento de un lecho epitaxial [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de vapores [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

1.-

Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende: una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ; una cámara de crecimiento ; un paso para el transporte de vapor desde la cámara de aporte hasta la cámara de crecimiento ; un soporte , dispuesto dentro de la cámara de crecimiento y configurado para soportar un cristal seminal ; y un espacio de separación , definido entre la cámara de crecimiento y el soporte ; de tal modo que el coeficiente de dilatación térmica del soporte es mayor que el coeficiente de dilatación térmica de la cámara de crecimiento, y de forma que los materiales y dimensiones del soporte y de la cámara de crecimiento se han...

2.-

Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor que comprende un sustrato cubierto por una capa de material, comprendiendo además dicho dispositivo: - una cámara de crecimiento que rodea un área de procesado , comprendiendo dicha cámara de crecimiento una pared lateral , una pared inferior y una pared superior , presentando cada una de ellas una superficie interior, - un panel criogénico principal que tiene al menos una parte lateral que cubre la superficie interior de dicha pared lateral , - un soporte de muestras apto para soportar dicho sustrato, comprendiendo dicho soporte de muestras unos medios de calentamiento, - por lo menos una celda de efusión apta para evaporar átomos o moléculas de elementos o compuestos, - un inyector de gas apto...

3.- EQUIPO DE EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR.

. Solicitante/s: ADDON. Inventor/es:

Equipo de epitaxia que comprende un recinto de epitaxia al vacío que contiene un soporte de substrato y, al menos, una célula de evaporación al vacío del material de epitaxia cerrada por un diafragma que presenta, al menos, un orificio y que comunica con el recinto de epitaxia por una brida de unión, que comprende, además, una placa colocada frente al citado diafragma perforado, caracterizado porque la citada placa es móvil de modo que la distancia de la placa a la superficie exterior del diafragma es variable y presenta una sección correspondiente a la sección del citado diafragma: formándose el haz molecular a nivel de una zona que rodea la placa.

4.- APARATO Y CRISOL PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR.

. Solicitante/s: SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION. Inventor/es:

EL APARATO PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR A ALTA TEMPERATURA COMPRENDE UN RECINTO TERMICAMENTE AISLANTE, UN PRIMER, UN SEGUNDO Y UN TERCER DIFUSOR PARA CONSTITUIR UNA PRIMERA, UNA SEGUNDA Y UNA TERCERA ZONA DE CALENTAMIENTO ISOTERMICO RESPECTIVAMENTE ALREDEDOR DEL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO DE UN CRISOL CERRADO AMOVIBLE DESTINADO A CONTENER UN MATERIAL FUERTE EN EL PRIMER COMPARTIMENTO Y UN SUSTRATO EN EL SEGUNDO COMPARTIMENTO . EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER DIFUSOR SON POR CONSTRUCCION INDEPENDIENTES TERMICAMENTE UNOS DE OTROS Y PRESENTAN CADA UNO UNA SECCION EN FORMA DE U PARA CONTENER RESPECTIVAMENTE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) DEL CRISOL. ESTE PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) ESTAN DISPUESTOS DE MANERA NO ALINEADA, SEGUN UNA LINEA QUEBRADA, DE TAL MANERA QUE LOS DECALAJES ANGULARES ASEGURAN UN DESACOPLAMIENTO TERMICO RADIACTIVO ENTRE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23).

5.- METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO.

. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es:

LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE SOBRE LA CUAL ESTAN DISPUESTAS ADYACENTES UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDS) CON UNA PEQUEÑA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDS) Y UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDL) QUE TIENE UN AREA SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA PARA QUE CREZCA EL CRISTAL SOLAMENTE A PARTIR DE UN UNICO NUCLEO, Y QUE TIENE UNA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDL) MAYOR QUE LA DE LA SUPERFICIE (SNDS), DANDO ASI LUGAR AL CRECIMIENTO DE UN MONOCRISTAL A PARTIR DE DICHO UNICO NUCLEO.

6.- PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DEL TIAZOL.

. Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..

Resumen no disponible.

7.- PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DE TIAZOL.

. Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..

Resumen no disponible.

8.- PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE DERIVADOS DE ALTIAZOL.

. Solicitante/s: AMERICAN CYANAMID CO..

Resumen no disponible.

9.- METODO DE SINTESIS DE UN COMPUESTO DE FORMULA MN+1AXN, PELICULA DEL COMPUESTO Y SU USO

. Ver ilustración. Solicitante/s: ABB AB. Inventor/es:

Un método para sintetizar o desarrollar un compuesto que tiene la fórmula general Mn+1AXn donde M es al menos un metal de transición, n es 1, 2, 3 o mayor, A es al menos un elemento del grupo A y X es carbono, nitrógeno o ambos, en el que el método comprende la etapa de exponer un sustrato a los componentes vaporizados desde al menos una fuente sólida con lo que dichos componentes, o dichos componentes en combinación con al menos un componente gaseoso, reaccionan entre sí para producir el compuesto Mn+1AXn , caracterizado porque el sustrato comprende una capa de siembra , sobre la que el compuesto Mn+1AXn se sintetiza o se desarrolla, que se produce ex situ, in situ o mediante una combinación de ambas etapas ex situ e in situ.

10.-

Cámara de evaporación de materiales, que comprende una cámara de vacío , una primera unidad de bombeo para bombear dicha cámara y unas fuentes de material, caracterizada porque: - una pared que puede asegurar una estanqueidad total o parcial al vacío, delimita en el seno de la cámara de vacío un primer volumen bombeado por dicha primera unidad de bombeo y un segundo volumen bombeado por una segunda unidad de bombeo , - algunas de dichas fuentes de material que tienen un eje principal están dispuestas en el segundo volumen y otras fuentes están dispuestas en el primer volumen , - dicha pared presenta unos vaciados , estando cada vaciado centrado sobre el eje principal de una de las fuentes de material que tiene un eje principal , y porque - la cámara comprende unos medios...

11.- ESTRUCTURAS CON TEXTURA BIAXIAL MEJORADA Y METODO DE FABRICACION DE LA MISMA.

. Ver ilustración. Solicitante/s: LOCKHEED MARTIN ENERGY SYSTEMS, INC.. Inventor/es:

UN ARTICULO CON TEXTURA BIAXIAL COMPRENDE UN SUSTRATO DE TEXTURA BIAXIAL LAMINADO Y RECOCIDO DE UN METAL QUE TIENE UNA ESTRUCTURA CUBICA CENTRADA EN LAS CARAS, CUBICA CENTRADA EN EL CUERPO O CRISTALINA HEXAGONAL COMPACTA, Y UN SUPERCONDUCTOR EPITAXIAL U OTRO DISPOSITIVO EPITAXIALMENTE DEPOSITADO SOBRE EL MISMO.