.Cámaras de reacción; navecillas para baño fundido; Portasustrato [3]

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CIP: C30B19/06, .Cámaras de reacción; navecillas para baño fundido; Portasustrato [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Inventos patentados en esta categoría

  1. 3.-

    UN METODO DE HACER UNA UNION PN EN UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TENGA UNA PRIMERA SUPERFICIE DE ARSENIURO DE GALIO SUSTANCIALMENTE MONO CRISTALINO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.

    Resumen no disponible.