CIP-2021 : C30B 15/22 : Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.
CIP-2021 › C › C30 › C30B › C30B 15/00 › C30B 15/22[2] › Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.
Notas[g] desde C30B 7/00 hasta C30B 21/00: Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 15/22 · · Estabilización, o control de la forma, de la zona fundida próxima al cristal estirado; Control de la sección del cristal.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSICIÓN PARA LA FABRICACIÓN DE UN TUBO.
(20/07/2011) Procedimiento para la fabricación de un tubo cristalino a partir de un material como silicio a través de estiramiento del tubo desde una colada , que es generada por medio de la fundición del material alimentado a un crisol de fundición por medio de una calefacción , en el que la colada a traviesa un intersticio capilar que predetermina la geometría del tubo y se proyecta más allá de este intersticio con un menisco de una altura h, que pasa a un germen de cristal que corresponde a la geometría del tubo o bien a una zona marginal inferior de una sección estirada del tubo a fabricar, caracterizado porque la temperatura se ajusta por medio de regulación en zonas de la colada de manera independiente unas de las otras en función del espesor de pared t de la sección de…
CONTROL DE LA PROFUNDIDAD DEL MATERIAL FUNDIDO PARA EL CRECIMIENTO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DESDE UN MATERIAL FUNDIDO.
(16/01/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es: WALLACE, RICHARD, L., JR., KRAUCHUNE, RICHARD, C.
Un método de crecimiento continuo de cristales que comprende las etapas de: a) proporcionar un crisol que comprende un material fundido a partir de un material fuente; b) suministrar al material fundido de forma continua un material fuente adicional; c) hacer pasar una señal de entrada a través del material fundido; d) medir la señal de salida, generada en respuesta a la señal de entrada, a través de dos electrodos (C, D) en contacto directo con el crisol o el material fundido, estando relacionaba la señal de salida con una profundidad del material fundido; e) mantener la profundidad del material fundido a un nivel sustancialmente constante ajustando una velocidad de suministro del material fuente adicional utilizando la señal de salida; y f) hacer crecer de forma continua una cinta cristalina mediante la solidificación del material fundido.
