.Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido [3]

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CIP: C30B15/10, .Crisoles o recipientes para sostener el baño fundido [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central...

  2. 2.-

    Un crisol para el tratamiento de silicio fundido que comprende un cuerpo básico con una superficie de fondo y paredes laterales que definen un volumen interior, el cuerpo básico comprende: - por lo menos 65% en peso de carburo de silicio; - de 12 a 30% en peso de un constituyente seleccionado de óxido o nitruro de silicio, el cuerpo básico también comprende por lo menos un revestimiento de óxido y/o nitruro de silicio, por lo menos sobre las superficies que definen el volumen interior del crisol

  3. 3.-

    Crisol para la cristalización de silicio que comprende a) un cuerpo base que comprende una superficie inferior y paredes laterales que definen un volumen interior; b) una capa de sustrato que comprende entre el 80% y el 100% en peso de nitruro de silicio en la superficie de las paredes laterales que miran hacia el volumen interior; c) una capa intermedia que comprende entre el 50% y el 100% en peso de sílice sobre la capa de sustrato ; y d) una capa superficial que comprende entre el 50% y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia

  4. 4.-

    CRISOL DE SOPORTE DE MULTIPLES PARTES.

    . Solicitante/s: RINGSDORFF-WERKE GMBH. Inventor/es:

    SE PROPONE UN CRISOL SOPORTE COMPUESTO DE SEGMENTO PARA SU UTILIZACION EN CRISOLES DE FUNDICION EN INSTALACIONES DE EXTRACCION DE CRISTAL. LA SUPERFICIES QUE DELIMITAN LOS SEGMENTOS CON RESPECTO A LOS SEGMENTOS VECINOS RESPECTIVOS SE SOLAPAN AL MENOS EN LA ZONA DE LA PARED DE CRISOL. SE EVITA CON ELLO LA EXPOSICION DIRECTA DE LA PARED DEL CRISOL DE FUSION A LA EMANACION DE RADIACIONES TERMICAS DE LOS ELEMENTOS DE CALENTAMIENTO. DE ACUERDO CON EL PROCESO DE FABRICACION REFERIDO, EL CRISOL SOPORTE ESTA PRODUCIDO MEDIANTE CORTES PARALELOS CON RESPECTO A LA LINEA CENTRAL DE UN CRISOL NO SEGMENTADO EN UN ANGULO CON RESPECTO A LA SUPERFICIE DE CUBIERTA QUE SE EXTIENDE EN FORMA CURVA DESDE EL PUNTO DE ARRANQUE EN LA CUBIERTA DEL CRISOL A LA LINEA CENTRAL DEL CRISOL.

  5. 5.-

    UN SISTEMA DE CRISOL/ SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENTRIFICA.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION. Inventor/es:

    UN SISTEMA DE CRISOL/SUSCEPTOR ADECUADO PARA EL DESARROLLO DE CRISTALES DE SILICIO EN FORMA DE BANDA DENDRITICA, EN EL QUE LAS PAREDES LATERALES DEL CRISOL Y DE LA CAVIDAD DEL SUSCEPTOR ESTAN INCLINADAS HACIA FUERA SEGUN UN ANGULO SUFICIENTE PARA QUE LA FUERZA DE LA GRAVEDAD SUPERE A LAS FUERZAS QUE TIRAN HACIA DENTRO, CREADAS POR LA ELEVADA TENSION SUPERFICIAL DEL SILICIO FUNDIDO, QUE PERMITE QUE LAS PAREDES ABLANDADAS DEL CRISOL DE CUARZO SE APLIQUEN Y ADAPTEN A LAS PAREDES INCLINADAS DEL SUSCEPTOR, CON LO QUE SE MEJORA LA TRANSFERENCIA DE CALOR DESDE EL SUSCEPTOR AL SILICIO FUNDIDO Y SE MEJORA LA REPRODUCTIBILIDAD DEL SISTEMA.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA PIEZA DE SILICE AMORFA SINTERIZADA, MOLDEADA Y BARBOTINA USADA EN ESTE PROCEDIMIENTO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN. Inventor/es:

    Molde de fabricación de una preforma a base de sílice destinada a ser sinterizada, previsto para recibir una barbotina a base de polvo de sílice amorfa y de un líquido, que comprende unas partes interior y exterior apropiadas para delimitar una pared de dicha preforma, por lo menos en una zona que delimita una porción útil de dicha pared , siendo una sola de dichas partes interior y exterior , denominada "parte permeable" , siendo permeable a dicho líquido, caracterizado porque en por lo menos una zona que delimita una porción útil de dicha pared, una por lo menos de dichas partes interior y exterior es deformable y presenta una rigidez intrínseca suficiente para delimitar una pared de la preforma cuando se introduce barbotina en el molde.

  7. 7.-

    CRISOL PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY. Inventor/es:

    Crisol para la cristalización de silicio que comprende a) Un cuerpo base que comprende una superficie inferior y unas paredes laterales que definen un volumen interior; b) Una capa intermedia que comprende entre el 50% en peso y el 100% en peso de sílice en la superficie de las paredes laterales que se encuentran frente al volumen interior; y c) Una capa superficial que comprende entre el 50% en peso y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia.

  8. 8.-

    METODO Y APARATO PARA CRECIMIENTO DE CRISTAL

    . Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es:

    Un método para formar una cinta cristalina, comprendiendo el método: proporcionar un crisol mesa que tiene una superficie superior y bordes que definen un límite de la superficie superior del crisol mesa; formar un fundido de un material fuente en la superficie superior del crisol mesa, siendo retenidos los bordes del fundido por adhesión capilar a los bordes del crisol mesa; y extraer una cinta cristalina desde el fundido.

  9. 9.-

    RECIPIENTE PARA LA CONTENCION DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.

    . Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Inventor/es:

    Recipiente para la recepción o fusión de silicio fundido que comprende un recubrimiento pulverizado cermet de material compuesto de silicio que comprende silicio metálico, nitruro de silicio y óxido de silicio sobre al menos parte de la pared interna del recipiente de contención de silicio, caracterizado porque el recubrimiento pulverizado cermet de material compuesto de silicio tiene una relación de mezcla de silicio metálico (X): nitruro de silicio (Y): óxido de silicio (Z) de X : Y : Z: = 20 - 50: 77 - 30: 3 - 20.