.caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica [3]

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CIP: C30B11/14, .caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

  2. 3.-

    METODO Y DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE PALETAS DE ENGRANAJE DE UN SOLO CRISTAL.

    . Solicitante/s: SULZER- MTU CASTING TECHNOLOGY GMBH. Inventor/es:

    LA INVENCION TRATA DE UN METODO Y DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE PALETAS DE ENGRANAJE DE UN SOLO CRISTAL MEDIANTE LA FUNDICION DE UN BAÑO DE FUSION DENTRO DE UN MOLDE DE FUNDICION QUE TIENE UN CRISTAL NUCLEO COLOCADO EN EL FONDO DEL BAÑO DE CONSTRUCCION Y UN DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO ESTE PROCEDIMIENTO. CON ESTE DISPOSITIVO SE ALCANZA UNA ALTA REPRODUCCION EN LA FABRICACION DE PALETAS. PARA ELLO SE PREPARA EL CRISTAL DE NUCLEO DE UN SOLO CRISTAL CON UNA DENSIDAD DE EFECTO MINIMA Y SE ACOPLA EN POCOS SEGUNDOS UN MOLDE DE FUNDICION LIMPIO AL VACIO A UNA TEMPERATURA ALTA CON UN CRISTAL DE NUCLEO Y SE FUNDE LA FUNDICION SOBRE EL CRISTAL DE NUCLEO.