CIP-2021 : C30B 1/10 : por reacción en estado sólido o difusión multifase.
CIP-2021 › C › C30 › C30B › C30B 1/00 › C30B 1/10[1] › por reacción en estado sólido o difusión multifase.
Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 1/00 Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
C30B 1/10 · por reacción en estado sólido o difusión multifase.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CONVERSION TERMICA EN ESTADO SOLIDO DE ALUMINA POLICRISTALINA EN ZAFIRO USANDO UN CRISTAL DE SIEMBRA.
(16/01/2002). Solicitante/s: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Inventor/es: SCOTT, CURTIS EDWARD, STROK, JACK MACK, LEVINSON, LIONEL MONTY.
UN PROCESO DE CRISTAL INICIADOR DE ESTADO SOLIDO PARA CONVERSION EN BRUTO DE UN CUERPO CERAMICO POLICRISTALINO EN UN CUERPO MONOCRISTALINO (DE LA MISMA COMPOSICION QUIMICA) QUE TIENE LA MISMA ORIENTACION DEL CRISTAL QUE EL CRISTAL INICIADOR. EL PROCESO COMPRENDE CALENTAR DICHO CUERPO PARA FORMAR UNA UNION MONOLITICA ENTRE EL CUERPO Y EL CRISTAL INICIADOR, CALENTAR LA ESTRUCTURA UNIDA PARA REDUCIR INHIBIDORES DE GRANO REDUCIDO Y ADICIONALMENTE CALENTAR LA ESTRUCTURA UNIDA POR ENCIMA DE LA TEMPERATURA MINIMA REQUERIDA PARA DESARROLLO DE CRISTALITA DEL MATERIAL CRISTALINO, PERO INSUFICIENTE PARA FUNDIR Y DISTORSIONAR LA FORMA ORIGINAL DEL CUERPO CERAMICO POLICRISTALINO DURANTE SU CONVERSION A UN MONOCRISTAL. ESTE PROCESO HA SIDO USADO PARA CONVERTIR CUERPOS DE ALUMINA POLICRISTALINA (PCA) A ZAFIRO QUE TIENE LA MISMA ORIENTACION CRISTALINA QUE EL CRISTAL INICIADOR CALENTANDO EL CUERPO PCA, UNIDO MONOLITICAMENTE A UN ZAFIRO COMO UN CRISTAL INICIADOR DE ZAFIRO, A UNA TEMPERATURA POR ENCIMA DE 1700.