.a partir de masas fundidas [2]

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CIP: C25C5/04, .a partir de masas fundidas [2]

Inventos patentados en esta categoría

  1. 1.-

    Procedimiento para la producción de silicio, procedimiento para la separación de silicio de una masa de sal en fusión y procedimiento para la producción de tetrafluoruro. La invención se refiere a la tecnología de silicio para semiconductores. El procedimiento según la invención consiste en la separación electrolítica de una masa fundida eutéctica saturada con tetrafluoruro de silicio, formada por un sistema ternario de sales fluoruro de metales alcalinos. Para la saturación de la masa fundida se utiliza un tetrafluoruro de silicio obtenido por fluoración de dióxido de silicio, donde la fluoración se realiza en dos etapas, esto es en la primera etapa se alimenta flúor elemental en exceso y en la segunda etapa se...

  2. 2.-

    "PROCEDIMIENTO MEJORADO PARA EL AFINO DE MATERIALES DE DESECHO, CHATARRAS O MATERIALES RESIDUALES, COMPUESTOS DE METALES NO FERRICOS".

    . Solicitante/s: NOMETA PATENT-UND LIZENZVERWERTUNGS-AG.

    PROCEDIMIENTO PARA EL AFINO ELECTROLITICO DE LOS DESECHOS, LA CHATARRA Y LOS RESIDUOS DE MATERIALES NO FERRICOS METALICOS.SE CARGA EL MATERIAL DE DESECHO EN UN PORTA-ANODOS QUE SE INSTALA EN UNA CELDA ELECTROLITICA Y QUE ESTA CONSTITUIDO POR UN METAL CONDUCTIVO E INSOLUBLE EN EL ELECTROLITO EMPLEADO DURANTE EL PROCESO DE AFINO ELECTROLITICO, TAL COMO PLOMO, TITANIO Y ALGUNOS ACEROS INOXIDABLES, EXISTIENDO UN BUEN CONTACTO ELECTRICO ENTRE EL PORTA-ANODOS Y LA CHATARRA EN EL CONTENIDA. LA CHATARRA, EN CONTACTO CON EL ELECTROLITO, SE DISUELVE ANODICAMENTE EN EL MISMO Y EL METAL AFINADOSE DEPOSITA EN EL CATODO. SE RETIENEN LAS PARTICULAS INSOLUBLES EN EL ELECTROLITO MEDIANTE LA INCORPORACION DE MEMBRANAS EN EL PORTA-ANODOS.