CIP-2021 : C23C 16/16 : a partir de carbonilos metálicos.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/16 · · a partir de carbonilos metálicos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
APARATOS PARA LA DEPOSICION DE VAPOR.
(16/01/2003). Solicitante/s: INCO LIMITED. Inventor/es: WEBER, REINHART, ALBERTY, MICHAEL, RYAN, TYROLER, GEORGE, PAUL, PASSMORE, IAN, KEITH.
Un aparato para descomponer carbonilos de metal gaseosos, comprendiendo el aparato una placa base , una cubierta dispuesta en la placa base, definiendo la cubierta y la placa base una cámara , incluyendo la placa base al menos una abertura, un anillo de placa base dispuesto dentro de la abertura de la placa base, un anillo de mandril anidado dentro del anillo de la placa base, incluyendo el anillo del mandril al menos un conducto de fluido dispuesto en él, estando el anillo del mandril adaptado para recibir un mandril y medios para introducir carbonilo de metal gaseoso dentro de la cámara.
(01/04/1997). Solicitante/s: INCO LIMITED. Inventor/es: ETTEL, VICTOR ALEXANDER, BABJAK, JURAJ, PASERIN, VLADIMIR.
EL INVENTO PROVEE UNA ESPUMA DE NIQUEL Y UN METODO DE FORMAR UNA ESPUMA DE NIQUEL PARA UNA BATERIA QUE CONTIENE NIQUEL. UNA ESTRUCTURA DE ESPUMA DE CELULAABIERTA ES COLOCADA EN UNA ESTRUCTURA QUE CONTIENE GAS CARBONIL NIQUEL. LA ESTRUCTURA DE ESPUMA ES CALENTADA A UNA TEMPERATURA A LA QUE SE DESCOMPONE EL CARBONIL NIQUEL. EL NIQUEL DEL GAS CARBONIL NIQUEL SE DESCOMPONE EN LA ESTRUCTURA DE ESPUMA PARA FORMAR UNA ESTRUCTURA DE ESPUMA LAMINADA DE NIQUEL. LA ESTRUCTURA LAMINADA ES ENTONCES SINTERIZADA, DEJANDO UNA MALLA DE NIQUEL DE CELULAS ABIERTAS PARA FORMAR LA ESPUMA DE NIQUEL. LAS CELULAS ABIERTAS DE LA ESPUMA DE NIQUEL COMPRENDEN UN ALAMBRE DE NIQUEL HUECO QUE TIENE UNA SECCION TRANSVERSAL SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LA ESPUMA DE NIQUEL ESTA ADEMAS CARACTERIZADA POR LA CONDUCTIVIDAD, QUE A TRAVES DE LA ESPUMA DE NIQUEL SE MULTIPICA POR UN FACTOR DE 3.4, SIENDO IGUAL A, O MAS GRANDE QUE LA CONDUCTIVIDAD TEORICA DEL NIQUEL.
METODO DE NUCLEACION Y CRECIMIENTO DE ZONAS SELECTIVAS PARA EL DEPOSITO QUIMICO DE METAL EN FASE DE VAPOR USANDO HACES IONICOS ENFOCADOS.
(01/03/1991). Ver ilustración. Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY. Inventor/es: KUBENA, RANDALL L., MAYER, THOMAS M.
METODO DE NUCLEACION Y CRECIMIENTO DE ZONAS SELECTIVAS PARA EL DEPOSITO QUIMICO DE METAL EN FASE DE VAPOR USANDO HACES IONICOS ENFOCADOS. SE DEPOSITAN LINEAS METALICAS EN UNA PLACA SEMICONDUCTORA O MASCARA DE CIRCUITO INTEGRADO MEDIANTE UN HAZ IONICO ENFOCADO (FIB) CON DOSIS DE RADIACION DE 10BS14 A 10BS15 IONES/CMB.
