UN METODO PERFECCIONADO DE PRODUCIR FOTOMASCARAS EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y MICROCIRCUITOS.

Un método perfeccionado de producir fotomáscaras empleadas en la fabricación de dispositivos semiconductores y microcircuitos,

consistente en que se recubre la superficie de un sustrato transparente con una capa de un material sensible a la luz (foto-reserva) o de un material sensible a la radiación de electrones y de rayos X (reserva sensible a los electrones), se forma un patrón requerido en dicha capa del material seleccionando por medio de irradiación, se retira el material de las partes de sustrato libres del patrón formado en la capa del material seleccionando, se deposita sobre ella una capa de un material de enmascaramiento en una cámara de vació, y se retira el patrón formado en la capa del material seleccionado para obtener, en la capa de material de enmascaramiento, un patrón negativo con respecto al formado en la capa del material seleccionado, caracterizado porque la profundidad a la cual se retira el material del sustrato es sustancialmente igual al grueso de la capa de material de enmascaramiento, llevándose a cabo la retirada en la cámara de vacío por medio de ataque iónico, y se deposita la capa de material de enmascaramiento en la misma cámara de vacío sin pérdida de vacío.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENNADY FOMICH IVANOVSKY
JURY PETROVICH MAISHEV, BORIS ALEXEEVICH EGOROV
.

Fecha de Solicitud: 3 de Marzo de 1977.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 9 de Diciembre de 1977.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/12 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

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