UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UN ELEMENTO DE MEMORIA SEMICONDUCTORA.
Un dispositivo semiconductor que tiene un elemento de memoria semiconductor,
particularmente adecuado para uso en una memoria de acceso aleatorio, dispositivo que comprende un cuerpo semiconductor dotado de una región superficial, contigua a superficie, de principalmente un determinado tipo de conductividad y dotado de un transistor de efecto de campo, denominado aquí primer transistor de efecto de campo, el cual comprende dos regiones de electrodo principal de un determinado tipo de conductividad entre las cuales hay una región de canal de un determinado tipo de conductividad, y una región de electrodo de mando, situada en superficie, por medio de la cual es posible inducir en el cuerpo de semiconductor una región de empobrecimiento, que se extiende entrando por lo menos en la región de canal, la cual constituye una región de almacenaje de carga en la que puede almacenarse información en forma de carga eléctrica, información que puede leerse de manera no destructiva por determinación de la conductividad en la región de canal comprendida entre las regiones de electrodo principal, estando dicho dispositivo caracterizado por el hecho de que el elemento comprende un transistor de efecto de campo de electrodo de mando o puerta aislado, denominado aquí segundo transistor de efecto de campo, que es del tipo complementario respecto al primer transistor de efecto de campo y que comprende dos regiones de electrodo principal, de las cuales una está formada por la parte del cuerpo de semiconductor que constituye la citada región de almacenaje de carga, y la otra región de electrodo principal está formada por una segunda región de superficie situada cerca de la región de almacenaje, comprendiendo el segundo transistor de efecto de campo por lo menos un electrodo de mando o puerta que está aislado de la superficie del cuerpo de semiconductor y que va eléctricamente acoplado a una de las regiones de electrodo principal del primer transistor de efecto de campo.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Fecha de Solicitud: 2 de Febrero de 1978.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 20 de Diciembre de 1978.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/34 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.
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