UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PERFECCIONADO PARA UNA MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO.

Un dispositivo semiconductor perfeccionado para una memoria de acceso aleatorio,

que comprende una pluralidad de celdas de memoria, cada una de las cuales incluye un transistor de efecto de campo de unión que tiene como electrodos principales electrodos de entrada y salida conectados a extremos opuestos de un canal y dos electrodos de control contiguos al canal y que forman una unión rectificadora con el mismo para controlar la conductividad del canal; medios de selección que comprenden líneas de selección, que incluyen una línea de bitio y una línea de palabra para cada celda de memoria, estando conectado un primer electrodo principal de un transistor de celda de memoria a una línea de bitio respectiva común a una columna de transistores, y estando conectado un primer electrodo de control a una línea de palabra común a una fila de transistores, estando a un potencial flotante un segundo electrodo de control de tal transistor de celda de memoria, cuyo potencial representa información bajo el control de las tensiones utilizadas para selección de dichos transistores de celda de memoria; y medios de control para suministrar tensiones de selección a las líneas de palabra y líneas de bitio para seleccionar dichos transistores de celda de memoria de tal modo que puede borrarse la información si está presente en tal transistor, o puede inscribirse nueva información, o puede ser leída información, estando conectado dicho segundo electrodo principal de dicho transistor a un electrodo común a los transistores de celda de memoria.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Fecha de Solicitud: 15 de Diciembre de 1977.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 5 de Diciembre de 1978.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/34 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de semiconductores.

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