SISTEMA DE ALIMENTACION DE SILICIO.
UN SISTEMA DE ALIMENTACION DE BOLAS DE SILICIO PARA UTILIZARSE CON UN HORNO DE FUSION DE SILICIO UTILIZAR PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIO.
SE ACOPLA UN DEPOSITO QUE CONTIENE PARTICULAS DE ALIMENTACION AL EXTREMO SUPERIOR DE UN TUBO DE ALIMENTACION. EL EXTREMO INFERIOR DEL TUBO DE ALIMENTACION SE COLOCA JUNTO A UN PAR DE RODILLOS QUE GIRAN CONDUCIDOS POR UN MOTOR MEDIANTE UN ACOPLAMIENTO Y UN PAR DE ENGRANAJES. LOS RODILLOS SE MONTAN CON UN ANGULO CON RESPECTO A LA HORIZONTAL Y EL EXTREMO DE TOMA DE CORRIENTE DEL DE LA RUTA DE ALIMENTACION DEL RODILLO SE COLOCA SOBRE UN TUBO DE SUMINISTRO QUE LLEVA AL HORNO DE FUSION DE SILICIO. LOS ELEMENTOS ESTAN RODEADOS POR UN RECINTO QUE TIENE UNA SALIDA AL VACIO PARA PERMITIR AL RECINTO QUE SE VACIE A UN NIVEL DE VACIADO DE TRABAJO Y UNA ENTRADA DE GAS PARA PERMITIR QUE UN GAS INERTE ENTRE EN EL RECINTO. SE DETERMINA LA TASA DE ALIMENTACION MEDIANTE EL ANGULO DE LOS RODILLOS, LA VELOCIDAD DEL MOTOR Y LA FORMA DEL EXTREMO DEL FONDO DEL TUBO DE ALIMENTACION. LOS RODILLOS SON RESILIENTES PARA DAR UNA MEJOR SUPERFICIE DE FRICCION PARA EL FLUJO DE PARTICULAS Y PARA EVITAR QUE PARTICULAS DE ALIMENTACION QUE QUEDEN ATRAPADAS ATASQUEN EL MOTOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EBARA SOLAR, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 811 ROUTE 51 SOUTH,LARGE, PENNSYLVANIA 15025.
Inventor/es: NORRIS, JOSEPH R.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 18 de Julio de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › introduciendo en el material fundido el material a cristalizar o los reactivos que lo forman in situ.
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
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