REVESTIMIENTO ANTIRREFRACCION DE BANDA ANCHA, PARA DISPOSITIVO FOTODETECTOR DE ANTIMONIDE DE INDIO, Y METODO DE OBTENCION DEL MISMO.
UN REVESTIMIENTO (30) ANTIRREFRACCION DE BANDA ANCHA, DE CUATRO CAPAS,
SE FORMA SOBRE UNA SUPERFICIE (22) RECEPTORA DE LUZ, DE UN FOTODETECTOR (10) DE ANTIMONIDE (INSB) DE INDIO PARA HACER POSIBLE LA DETECCION DE LUZ EN LONGITUDES DE ONDA VISIBLES Y DE RAYOS INFRARROJOS. LAS CAPAS (30A, 30B, 30C, 30D) TIENEN CADA UNA UN GROSOR OPTICO DE, APROXIMADAMENTE, UN CUARTO DE LONGITUD DE ONDA, EN UNA LONGITUD DE ONDA DE REFERENCIA DE 1'6 MICRONES. LOS INDICES DE REFRACCION DE LAS CAPAS (30A, 30B, 30C, 30D) ESTAN ESCALONADOS EN DISMINUCION, DESDE LA SUPERFICIE (22), TENIENDO VALORES APROXIMADOS DE 3'2 / 2'6 / 1'9 / 1'45 RESPECTIVAMENTE. LA SEGUNDA CAPA (30B) ESTA FORMADO PREFERENTEMENTE POR SUBOXIDO DE SILICIO (SIOO X 1) MEDIANTE DEPOSICION DE HAZ DE ELECTRONES DE SILICIO EN UN RELLENO DE OXIGENO, PARA OBTENER UN INDICE DE REFRACCION ENTRE LOS INDICES DEL SILICIO Y DEL MONOXIDO DE SILICIO. UNA CAPA (26) FINA DE PASIVACION, DE GERMANIO O NITRURO DE SILICIO, SE FORMA SOBRE LA SUPERFICIE (22), POR DEBAJO DEL REVESTIMIENTO (30) ANTIRREFRACCION, PARA INHIBIR UN EFECTO DE DESTELLO EN LONGITUDES DE ONDA DE RAYOS INFRARROJOS, DESPUES DE LA EXPOSICION A LOS RAYOS ULTRAVIOLETA Y/O LUZ VISIBLE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SANTA BARBARA RESEARCH CENTER.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 75 COROMAR DRIVE, B1/106,GOLETA CALIFORNIA 93117.
Inventor/es: KASAI, ICHIRO, HETTICH, HERBERT L., LAWRENCE, STEPHEN L., RANDOLPH, JAMES E.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Marzo de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
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