PROCESO DE PULVERIZACION PARA FORMAR UNA CAPA DE ALUMINIO SOBRE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA ESCALONADA.

ES UN PROCESO DE PULVERIZACION DE ALUMINIO ESCALONADO, EL ALUMINIO SE PULVERIZA SOBRE LA SUPERFICIE DE UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA

(13) Y CAPAS BAJAS (12) ENTRE LAS PARTES LEVANTADAS DE POCO PASO (11, 12) DE LA PLAQUITA , DE MODO QUE LOS ESCALONES SEPARADOS DE POCO PASO, ZANJAS ESTRECHAS, O VIAS DE PEQUEÑO DIAMETRO, QUEDAN COMPLETAMENTE RELLENADAS CON EL ALUMINIO PULVERIZADO (20). ESTO DA COMO RESULTADO EL QUE SE FORME UNA CAPA DE ALUMINIO (20) QUE NO PUEDA MAS FINA EN TALES ZONAS MAS BAJAS, Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE QUE VARIA ENTRE UNA PENDIENTE PLANA Y UNA PENDIENTE POSITIVA TAL Y COMO SE MUESTRA EN (24') Y (26') EN LA FIGURA 2. EL PRIMER PASO SE LLEVA A CABO PULVERIZANDO DE UNOS 20 A UNOS 200 NM (DE UNOS 200 A UNOS 2000 ANGSTROMS) DE ALUMINIO MIENTRAS QUE LA TEMPERATURA DE LA PLAQUITA SE ENCUENTRA A UNOS 50 C HASTA UNOS 250 C Y EL PLASMA PULVERIZADOR ESTA A UN NIVEL DE POTENCIA DE ENTRE 1 Y 16 KILOVATIOS APROXIMADAMENTE. EL MARGEN DEL NIVEL DE POTENCIA CAMBIA ENTONCES DE UNOS 14 A UNOS 20 KILOVATIOS, SE APLICA UNA POLARIZACION DE CC O DE CA A LA PLAQUITA, Y DESPUES SE PULVERIZA ALUMINIO BIEN DURANTE UN PERIODO DE TIEMPO ADICIONAL DE UNOS 20 A UNOS 45 SEGUNDOS O HASTA QUE LA TEMPERATURA DE LA PLAQUITA ALCANZA LOS 500 C, LO QUE QUIERA QUE OCURRA PRIMERO, EN UN SEGUNDO PASO. DESPUES, LA PARTE POSTERIOR DE LA PLAQUITA SE PONE EN CONTACTO CON UN PAR TERMICAMENTE CONDUCTOR PARA CONTROLAR LA TEMPERATURA DE LA PLAQUITA AL TIEMPO QUE SE VUELVE A PULVERIZAR ALUMINIO, DE MANERA OPCIONAL, SOBRE LA PLAQUITA DURANTE UNOS 0 A 45 SEGUNDOS ADICIONALES EN UN TERCER PASO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3050 BOWERS AVENUE, M/S 2061,SANTA CLARA, CALIFORNIA 95054-.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 2 de Enero de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/3205 (Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28))
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/285 (a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación)
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