PROCEDIMIENTO PARA HACER UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DE OXIDO METALICO.
Procedimiento para hacer una estructura de transistor semiconductor de óxido metálico,
caracterizado porque comprende las fases de: proporcionar un sustrato semiconductor de un primer tipo de conductividad, formar una primera capa aislante de dióxido de silicio en una superficie activa del substrato, formar una segunda capa aislante de nitruro de silicio sobre la primera capa aislante; colocar una máscara fotoprotectora sobre la segunda capa aislante para definir áreas elegidas; eliminar las áreas elegidas de la máscara fotoprotectora por una técnica fotográfica para exponer la segunda capa aislante por debajo del área elegida; mordentar las áreas expuestas de la segunda capa aislante; injertar iones del primer tipo de conductividad a través de las regiones expuestas; desarrollar regiones de óxido gruesas sobre las regiones injertadas; eliminar la segunda capa aislante remanente; eliminar la primera capa aislante; desarrollar una delgada capa aislante de óxido; depositar una capa de polisilicio sobre una delgada capa aislante de óxido; eliminar partes de la capa de polisilicio para definir una puerta conductiva; injertar iones del primer tipo de conductividad en las áreas comprendidas entre la puerta conductiva y las regiones gruesas de óxido: difundir los iones injertados para formar primeras regiones; injertar iones de un segundo tipo de conductividad de las mismas áreas de la puerta conductiva y las regiones de óxido gruesas; y difundir los iones injertados del segundo tipo de conductividad para formar segundas regiones dentro de la primera región.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MOSTEK CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1215 WEST CROSBY ROAD, CARROLLTON,TEXAS 75006.
Fecha de Solicitud: 4 de Diciembre de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Junio de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/033 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › incluyendo capas inorgánicas.
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