PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.CONSISTE EN FOTOMORDENTAR ELECTROQUIMICAMENTE (11) AL MENOS UNA PARTE DE LA SUPERFICIE DE UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO (13) PARA PRODUCIR ESPECIES OXIDADAS MEDIANTE EL PASO DE CORRIENTE (17,
18) A TRAVES DE UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO (13), UNA SOLUCION ELECTROLITICA (12) CON UNA CONDUCTIVIDAD SUPERIOR A 0,001 Y CON UN ACIDO COMO CLORHIDRICO, BROMHIDRICO, PARA SEPARAR LAS ESPECIES OXIDADAS DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO (13) Y UN CATODO (15), QUE COMPRENDE: A) APLICAR UN POTENCIAL (14) AL SEMICONDUCTORCOMPUESTO (13) COMPRENDIDO ENTRE EL POTENCIAL MAXIMO DE LA BANDA DE VALENCIA Y EL POTENCIAL MINIMO DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO (13) EN LA SOLUCION ELECTROLITICA (12); B) ILUMINAR LA PARTE DE LA SUPERFICIE DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO A MORDENTAR, CON RADIACION DE SUFICIENTE ENERGIA PARA PRODUCIR HUECOS DE BANDAS. SE OBTIENE CON ELLO UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO INTRINSECO O DE TIPO N, CON UNA SUPERFICIE LIBRE DE DAÑOS, QUE PUEDE SER DE DOS TIPOS, III-V CON GAP, GAAS Y OTROS O II-VI CON CDS, CDSE Y OTROS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 222 BROADWAY, NEW YORK, N.Y. 10038, U.S.A..
Fecha de Solicitud: 8 de Septiembre de 1983.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 29 de Marzo de 1984.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25F3/12 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico. › de materiales semiconductores.
Patentes similares o relacionadas:
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE UNA ESTRUCTURA COMPUESTA ESTRATIFICADA FOTOACTIVA, del 6 de Febrero de 2012, de HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH: Procedimiento para la producción de una estructura compuesta estratificada fotoactiva con un macroabsorbente en forma de un substrato de silicio dopado […]
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO, del 1 de Julio de 1984, de WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.: PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.CONSISTE EN MORDENTAR UNA PARTE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO ELEGIDO ENTRE HAP, GAAS, ALAS, ALP Y OTROS PARA PRODUCIR […]
INSTALACION DE GRABADO ELECTROQUIMICO Y PROCEDIMIENTO PARA EL GRABADO DE UN CUERPO QUE VA A GRABARSE, del 16 de Octubre de 2007, de ROBERT BOSCH GMBH: Célula de grabado electroquímico para el grabado de un cuerpo que va a grabarse, que se compone de silicio al menos en su superficie, con al menos una cámara, […]
PROCEDIMIENTO PARA LA PURIFICACIÓN DE MATERIALES SEMICONDUCTIVOS, del 1 de Marzo de 1960, de WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED: Procedimiento para la purificación de materiales semiconductivos, especialmente para purificar en fase líquida, un compuesto clorado de un primer elemento […]
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, del 16 de Enero de 1963, de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V.: Un método de fabricar un dispositivo semiconductor en el cual se aplica una cantidad de un agente de enmascaramiento a una superficie de un cuerpo semiconductor entre dos electrodos […]
UN DISPOSITIVO TRANSISTOR, del 1 de Julio de 1958, de PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V.: Dispositivo transistor que comprende un cuerpo en que una parte semi-conductora de un tipo de conductividad determinada provista con contacto,parte que es considerada […]