PROCEDIMIENTO PARA CELULA SOLAR DE BANDA CIS Y DISPOSITIVO PARA SU ELABORACION.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE CELULA SOLAR DE BANDA CIS.
EL OBJETIVO DE LA PRESENTE INVENCION ES DESCRIBIR UNA SOLUCION DE PRODUCCION Y LA CONSTRUCCION NECESARIA DE RECUBRIMIENTO REQUERIDO PARA LA ELABORACION ECONOMICA DE CELULAS SOLARES CIS CON ADHERENCIA ASEGURADA A LAS BANDAS DE COBRE. ESTE OBJETIVO SE CONSIGUE DE ACUERDO CON LA INVENCION COMO SIGUE: EN UNA PRIMERA ETAPA, LA BANDA DE COBRE PREVIAMENTE LIMPIA ES RECUBIERTA GALVANICAMENTE DE FORMA CONTINUA SOBRE UNA CARA CON INDIO; EN UNA SEGUNDA ETAPA LA BANDA DE COBRE RECUBIERTA CON INDIO ES CALENTADA MUY RAPIDAMENTE EN UN PROCESO DE CONTACTO CON UN CUERPO DE GRAFITO CALENTADO Y PUESTA EN CONTACTO SOBRE UNA CARA CON UNA RANURA PEQUEÑA GAS SOPORTE CONTENIENDO AZUFRE O SELENIO CALENTADO; EN UNA TERCERA ETAPA, EL RECUBRIMIENTO SUPERFICIAL DE SULFURO DE COBRE O SELENURO DE COBRE ES RETIRADO SELECTIVAMENTE CON UN PROCESO DE ATAQUE AL ACIDO; EN UNA CUARTA ETAPA, LA SUPERFICIE DE LA CAPA CIS ES SOMETIDA A UN RECUBRIMIENTO ADAPTADOR O RECUBRIMIENTO COLECTOR DE CONDUCCION P + TRANSPARENTE DE OXIDO/ SULFURO DE COBRE. ADICIONALMENTE, EL OBJETIVO DE LA INVENCION ES DESARROLLAR UN REACTOR PARA LA REALIZACION DE ESTE PROCEDIMIENTO. ESTE REACTOR CONSISTE EN UN CALENTADOR DE BANDA CONVEXA ARQUEADA, ELABORADA BASANDOSE EN GRAFITO, UN CALENTADOR DE GAS CONCAVO ARQUEADO, ASI COMO BASANDOSE EN GRAFITO Y BALDOSAS DE CRISTAL DE CUARZO CON SELLADO EN EL EXTERIOR DEL CONJUNTO DE RANURA ENTRE EL CALENTADOR DE BANDA Y EL CALENTADOR DE GAS. EL CALENTADOR DE BANDA Y EL CALENTADOR DE GAS PUEDEN SER CALENTADOS SEPARADAMENTE CON O SIN LA TEMPERATURA DE PROCEDIMIENTO NECESARIA POR MEDIO DE CALENTADORES RADIANTES DE CALENTAMIENTO RAPIDO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: IST-INSTITUT FUR SOLARTECHNOLOGIEN GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: IM TECHNOLOGIEPARK 7,15236 FRANKFURT AN DER ODER.
Inventor/es: PENNDORF, JURGEN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 21 de Agosto de 1997.
Fecha Concesión Europea: 23 de Febrero de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/032 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/0336 H01L 31/00 […] › en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Países PCT: Austria, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Oficina Europea de Patentes.
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