PROCEDIMIENTO FABRICACION DE UN VARISTOR A BASE DE OXIDO METALICO.

Un método de fabricación un varistor cilíndrico de óxido metálico con capacidad de absorción de energía mejorada,

en el que los electrodos se colocan haciendo contacto con las superficies finales del varistor de óxido metálico, las superficies finales del varistor se recubren con metal, y la superficie de envoltura se suministra con un material de alta resistencia para formar una zona con resistividad potenciada cerca de la superficie de envoltura, comprendiendo el método las etapas de: - formar un polvo de óxido metálico en un cuerpo cilíndrico de varistor comprimido, pero no sinterizado, - recubrir las superficies de envoltura del cuerpo de varistor comprimido, pero no sinterizado, con una pasta o una dispersión de un material de alta resistencia en forma de SiO2, LiO2 o Cr2O3 o sales de los mismos por pulverización, pintura por inmersión o laminado, y - sinterizar el cuerpo de varistor recubierto, en el que durante la sinterización el material de alta resistencia se difunde hacia la zona superficial de la superficie de envoltura del cuerpo de varistor a una profundidad de 2-6 mm.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ABB AB.

Nacionalidad solicitante: Suecia.

Dirección: 721 83 VASTERAS.

Inventor/es: BOIJE, TEDDY, STERLUND, RAGNAR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 22 de Noviembre de 2006.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01C7/102 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01C RESISTENCIAS.H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › Capa de barrera de varistores, p. ej. capas de superficie (H01C 7/12 tiene prioridad).

Clasificación PCT:

  • H01C7/102 H01C 7/00 […] › Capa de barrera de varistores, p. ej. capas de superficie (H01C 7/12 tiene prioridad).
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