UN PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE COMPUESTOS INTERMETÁLICOS BINARIOS O COMPLEJOS.
Procedimiento de fabricación de compuestos intermetálicos binarios o complejos,
cuyo punto de fusión rebasa notablemente las temperaturas de eutexia de los sistemas de aleaciones correspondientes, caracterizado porque se preparan dos polvos,conteniendo uno e los polvos uno de los elementos del compuesto en proporción inferior a la proporción en la cual existe en dicho compuesto, pero tal que calentado este polvo por encima de la temperatura del eutéctico más rico en este elemento, se cree una cantidad de líquido comprendida entre 0 y 15%, conteniendo el otro polvo el mismo elemento en proporción superior a aquella en la cual existe en dicho compuesto, pero tal que calentado este otro polvo por encima de la temperatura del eutéctico más rico en el otro elemento del compuesto haya creación de una cantidad de líquido comprendida entre 0 y 15%; porque se mezclan estos dos polvos en proporciones tales que la composición global de la mezcla sea la del compuesto deseado; y porque se comprime esta mezcla y se frita según las técnica usuales, con un pequeño gradiente de la temperatura en función del tiempo
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0255134.
Solicitante: COMPAGNIE FRANCAISE THOMSON-HOUSTON,S.A.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Fecha de Solicitud: 20 de Enero de 1960.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 15 de Febrero de 1960.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C22C1/02 QUIMICA; METALURGIA. › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › C22C 1/00 Fabricación de aleaciones no ferrosas (por electrotermia C22B 4/00; por electrólisis C25C). › por fusión.
- C22C1/04R
- C22C28/00 C22C […] › Aleaciones basadas en un metal no previsto por los grupos C22C 5/00 - C22C 27/00.
- H01L35/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con teluro, selenio, o azufre.
Clasificación PCT:
Clasificación antigua:
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