PASTILLA DE DOBLE CAPA, METODO DE FABRICAR LA MISMA, Y APARATO PARA FABRICAR LA MISMA.

UN DISCO (15) PORTADOR DE PASTILLA ES MOVILMENTE MANTENIDO ENTRE DOS BLOQUES (9 Y 10) DE ENFRIAMIENTO. EL DISCO

(15) SE MUEVE VERTICALMENTE, SITUANDOSE A TRAVES DEL ORIFICIO (31) EN ALINEAMIENTO AXIAL CON UN PRIMER ORIFICIO (25) DEL BLOQUE (10). GAS DEUTERIO ES SUMINISTRADO DENTRO DEL ORIFICIO (31) TERMINAL A TRAVES DEL ORIFICIO (25), Y ENFRIADO Y SOLIDIFICADO, FORMANDO UN CILINDRO (33) DE DEUTERIO. ENTONCES EL DISCO (15) ES MOVIDO, ALINEANDO AXIALMENTE EL ORIFICIO (31) CON UN SEGUNDO ORIFICIO (26) DEL BLOQUE (10). UN EJE (35) ES EMPUJADO DENTRO DE UN PRIMER EXTREMO DEL CILINDRO (33) DE DEUTERIO A TRAVES DEL ORIFICIO (26), POR LO QUE FORMA UN ORIFICIO EN EL EXTREMO DEL CILINDRO (33). A CONTINUACION, EL DISCO (15) ES MOVIDO, ALINEANDO AXIALMENTE EL ORIFICIO (31) CON UN TERCER ORIFICIO (27) DEL BLOQUE (10). GAS TRITIO ES INTRODUCIDO DENTRO DEL ORIFICIO DEL CILINDRO (33) A TRAVES DEL ORIFICIO (27), Y ENFRIADO Y SOLIDIFICADO, FORMANDO UN NUCLEO DE TRITIO. ADICIONALMENTE, EL DISCO (15) ES MOVIDO, ALINEANDO AXIALMENTE EL ORIFICIO (31) CON UN CUARTO ORIFICIO (28) DEL BLOQUE (10). UN EJE (41) ES MOVIDO A TRAVES DEL ORIFICIO (28), OCASIONANDO QUE LA PORCION DEL SEGUNDO EXTREMO DEL CILINDRO DE DEUTERIO (33) SE PROYECTE DESDE EL ORIFICIO (31). LA PORCION DEL SEGUNDO EXTREMO DEL CILINDRO (33) ES CORTADO. UNA CANTIDAD ADICIONAL DE GAS DEUTERIO ES APLICADA SOBRE EL PRIMER EXTREMO DEL CILINDRO (33), Y ENFRIADO Y SOLIDIFICADO, FORMA UNA CAPA QUE CUBRE EL NUCLEO DE TRITIO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THE DIRECTOR-GENERAL OF THE NATIONAL INSTITUTE FOR FUSION SCIENCE.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: FURO-CHO, CHIKUSA-KU,NAGOYA 464-01.

Inventor/es: .

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 4 de Diciembre de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR > TECNICA DEL PLASMA (tubos de haz iónico H01J 27/00;... > Producción del plasma; Manipulación del plasma... > H05H1/22 (para calefacción por inyección)
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