MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.

Un módulo de semiconductor de potencia (1) en un diseño de contacto por presión,

para disponerlo en un disipador de calor (2), que comprende por lo menos un sustrato (5), por lo menos dos componentes del semiconductor de potencia (60) dispuestos sobre el mismo, un alojamiento (3) y elementos de conexión de la carga dirigidos hacia fuera (40, 42, 44) y elementos de conexión de control y que comprende un dispositivo de presión (70) para introducir presión sobre los elementos de conexión de la carga para el contacto eléctrico de los mismos con trayectorias conductoras (54) del sustrato, en el que el sustrato (5) comprende un cuerpo de material aislante (52) y dichas trayectorias conductoras (54) con el potencial de la carga están dispuestas sobre una primera superficie principal del mismo, encaradas al interior del módulo de semiconductor de potencia, en el que los elementos de conexión de la carga están cada uno de ellos configurados como cuerpos conformados de metal provistos de por lo menos un elemento de contacto (404, 424), una sección en forma de tira (402, 422, 442) y patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de la misma, la sección en forma de tira está dispuesta paralela a la superficie del sustrato y a una distancia del mismo y las patas de contacto se extienden desde la sección en forma de tira hasta el sustrato (5) y entran en contacto con éstos de una manera apropiada para el circuito, y en el que los elementos de conexión de la carga (40, 42, 44) forman una pila y en este caso, una capa intermedia elástica (46) está dispuesta entre elementos de conexión de la carga respectivamente adyacentes en el área de las respectivas secciones en forma de tira (402, 422, 442)

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E07002031.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.

Inventor/es: POPP,RAINER.

Fecha de Publicación: 5 de Noviembre de 2009.

Fecha Solicitud PCT: 31 de Enero de 2007.

Fecha Concesión Europea: 5 de Agosto de 2009.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/98 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).
H01L23/48F
H01L25/07N

Clasificación PCT:

H01L23/48 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
H01L25/07 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

Patentes similares o relacionadas:

Sistemas en paquetes, del 19 de Febrero de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip […]

Ensamblaje de un chip microelectrónico a una ranura con un elemento de cableado en forma de cordón y procedimiento de ensamblaje, del 3 de Abril de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Ensamblaje de por lo menos un chip microelectrónico con un elemento de cableado , dicho por lo menos un chip microelectrónico comprende un componente microelectrónico […]

Procedimiento de interconexión eléctrica en tres dimensiones entre chips electrónicos encapsulados o entre un chip electrónico encapsulado y un circuito impreso, del 9 de Mayo de 2018, de 3D PLUS: Procedimiento de interconexión en tres dimensiones para al menos dos cápsulas plásticas de encapsulado conteniendo cada una al menos un chip electrónico , […]

Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos, del 3 de Agosto de 2016, de TESSERA, INC.: Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos […]

Chip microelectrónico desnudo provisto de una ranura que forma un alojamiento para un elemento filar que constituye un soporte mecánico flexible, procedimiento de fabricación y microestructura, del 22 de Abril de 2015, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Chip microelectrónico que incluye un elemento filar eléctricamente conductor , dos caras principales paralelas delantera y trasera , caras laterales […]

Dispositivos de carburo de silicio de gran superficie y métodos de fabricación para los mismos, del 27 de Mayo de 2013, de CREE, INC.: Método de fabricación de un dispositivo de carburo de silicio, que comprende: - formar una pluralidad de un mismo tipo de dispositivos de carburo […]

MÉTODOS PARA EL ENSAMBLAJE HOMOGÉNEO, ELECTRÓNICO Y FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS, del 12 de Diciembre de 2011, de Gamida for Life B.V: Método para el transporte de un dispositivo microelectrónico o micromecánico que comprende las etapas de: proporcionar una plataforma de ensamblaje plana que tiene al […]

PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN ENSAMBLE DE CHIPS UNIDOS MECÁNICAMENTE POR MEDIO DE UNA CONEXIÓN FLEXIBLE, del 23 de Marzo de 2011, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de fabricación de un ensamble de chips unidos mecánicamente por medio de una conexión flexible, comprendiendo el procedimiento: - la realización, sobre un sustrato […]